We consider atomic transitions in the Anderson lattice in amorphous semiconductors accompanied by сhanging an atomic charge state. The conditions are calculated under which these transitions will depend not only on temperature but also on the excitation degree of the electron subsystem of a crystal. In this case, one could exert control over the Anderson lattice in amorphous semiconductors by using external actions (heating, irradiation, etc.).

Розглянуто оптичні елементи пам'яті, створені за участю вільних електронів на базі фазового переходу першого роду аморфний напівпровідник - кристал та утворення додаткової гратки в напівпровіднику. Виявлено, що для такого фазового переходу істотним є термічне збудження електронної підсистеми матеріалу.