Представлены результаты исследований реактивных свойств элементов на основе локально выращенных пленок поликристаллического кремния, описано их поведение под воздействием освещения. Показано, что вблизи порогового напряжения переключения характер реактивной проводимости пленок меняется с емкостного на индуктивный. При переключении пленок в низкоомное состояние в исследованном частотном диапазоне (0,465 - 10МГц) реактивная составляющая проводимости имела индуктивный характер.

Проведен математический расчет упругих механических напряжений в двухслойных структурах с отличающимися упругими постоянными пленки и подложки. Выведена формула, показывающая, что возникающие в пленке механические напряжения пропорциональны ее толщинеи температуре осаждения и обратно пропорциональны толщине подложки.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-01

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла.

Исследовано влияние локального анизотропного давления на кремниевую МОП-структуру. Показано, что повышение инверсной емкости связано не только с увеличением положительных носителей в окисле на границе раздела Si-SiO под влиянием локального давления, а вызвано также и уменьшением ширины запрещенной зоны полупроводника. Предложена негатронная схема, преобразующая давление в частоту.

The influence of local anisotrophic pressure on the silicon MOS-structure investigated. The negatron circuit of converting pressure in frequency for remote measurement is offered.

Показано, что одновременное выращивание локальных пленок поли- и монокристаллического кремния легло в основу развития микроэлектронной негатроники - нового направления функциональной электроники. Сочетание в едином кристалле чувствительных элементов и аналогов негатронов позволяет создавать микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин с передачей сигналов на расстояние. Изложен взгляд на перспективы использования микроэлектронной негатроники, в том числе бионегатроники.

The concept of construction of a national network for the first time is developed on the basis of radio aids of broadband wireless access. The concept is represented as set of a wireless telecommunication means of provision of information services, and also wireless transport and separate corporate networks and access networks. Structurally concept considers a wireless network as a set of the hierarchical interconnected levels with a different information saturation.

Індекс рубрикатора НБУВ: Д237.20 с0

Рубрики:

Структура, швидкість (сила), поривчастість і напрямок вітру

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ