Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) |
Пошуковий запит: (<.>A=Камалов А$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 7 Представлено документи з 1 до 7 |
||||
| 1. | Камалов А. Б. Влияние СВЧ излучения на характеристики GaAs полевых транзисторов с затвором Шоттки / А. Б. Камалов, Р. В. Конакова, В. В. Миленин, А. Е. Ренгевич, Е. А. Соловьев // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 145-149. - Библиогр.: 10 назв. - рус. Представлены результаты экспериментального исследования влияния СВЧ излучения на деградационные процессы в арсенидгаллиевых полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ). Показано, что арсенидгаллиевые ПТШ изменяют свои параметры после кратковременного СВЧ облучения частотой 2,45 Гц в свободном пространстве при фиксированной выходной мощности. При этом основные изменения происходят в затворе транзистора. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Камалов А. Б. Влияние активных воздействий на свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки / А. Б. Камалов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2008. - 51, № 1/2, [ч. 2]. - С. 31-43. - Библиогр.: 44 назв. - рус. Проанализированы литературные данные по влиянию внешних воздействий на электрофизические свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки и их стабильность к внешним воздействиям. Обсуждены радиационные изменения свойств арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки, а также эффекты, связанные с малодозовой обработкой. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Камалов А. Б. Деградационные явления в диодах Шоттки Au - Pt - GaAs, стимулированные активными обработками / А. Б. Камалов, С. Е. Бекбергенов // Укр. фіз. журн. - 2008. - 53, № 7. - С. 661-663. - Библиогр.: 5 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Камалов А. Б. Модификация свойств контактов Au - Ti(W, Cr, TiBIBVxD) - GaAs внешними воздействиями / А. Б. Камалов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2009. - 52, № № 3/4, [ч. 1]. - С. 71-77. - Библиогр.: 11 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Камалов А. Б. Oсобенности изготовления и электрофизические свойства контактов n-GaAs(GaP, InP) / А. Б. Камалов; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. - К., 2008. - 122 c. - Библиогр.: 208 назв. - рус.
Шифр НБУВ: ВА725525 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Камалов А. Б. Изменение эффективной толщины переходного слоя, стимулированного СВЧ излучением, в контактах Mo - GaAs / А. Б. Камалов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2009. - 52, № № 9/10, [ч. 2]. - С. 46-51. - Библиогр.: 12 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Камалов А. А. Применение пероральной формы препарата Витапрост в лечении хронического абактериального простатита / А. А. Камалов, Е. А. Ефремов, С. Д. Дорофеев, С. М. Панюшкин // Здоровье мужчины. - 2013. - № 4. - С. 79-84. - Библиогр.: 7 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж24369 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського