Предложен метод тестирования фосфид-галлиевых светоизлучающих диодов на продолжительность срока службы, значительно сокращающий время отбраковки ненадежных светоизлучающих диодов в производстве. Индивидуальный срок службы каждого светоизлучающего диода из данной партии определен по двум измеренным значениям яркости с помощью эталонного графика, построенного по результатам испытаний относительно небольшого количества изделий.

The method of testing of phosphide-gallium light-emitting diodes on duration of life expectancy, considerably cutting time of a rejection of accident-sensitive light-emitting diodes in production is proposed. The individual life expectancy of each light-emitting diode from a sectional batch is defined on two measured values of luminosity with the help of the reference diagram, which is created by results of trials concerning small amount of hardware products.

Обсуждена связь оптимальных геометрических характеристик и спектров электролюминесценции р-n-структур для их применения в качестве светоизлучающих диодов или фотоприемников. Рассмотрена возможность использования электролюминесценции р-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников. Показано применение обнаруженных зависимостей на примере арсенидгаллиевых р-n-структур.

The relations of the optimum geometrical characteristics of the p-n-structures for their usage as a light-emitting diodes or a photodetectors is considered. The possibility of using of an electroluminescence of p-n-structures for operational development them at manufacture of photodetectors is surveyed. The application of detected dependences for an example gallium arsenide p-n-structures is shown.

Індекс рубрикатора НБУВ: З86-01

Рубрики:

Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка)

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены проблемы извлечения из оборотных вод газоочисток металлургического производства растворенных соединений цинка с использованием дешевых и недефицитных реагентов-осадителей, в частности силиката натрия и его технических разновидностей. Разработана аппаратурно-технологическая схема новой технологии для условий Мариупольского металлургического комбината им. Ильича. Определены расходные коэффициенты разработанной технологии.

Рассмотрены основные физико-химические процессы, происходящие в МДП- и МП-структурах при взаимодействии с водородом. Установлен физический механизм адсорбционной чувствительности таких структур.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены процессы, происходящие в туннельных МДП-диодах и диодах Шоттки, при их взаимодействии с водородом и его влияние на электрические характеристики таких структур.

Рассмотрены процессы, происходящие в полупроводниках при взаимодействии с газовой средой. Определены их физические механизмы, позволяющие найти информативные параметры процесса.

Рассмотрена возможность использования металлов различной толщины и диэлектриков в МДП-структурах, чувствительных к водороду.

Определены возможности расширения диапазона анализируемых веществ, увеличение стабильности и чувствительности в газовом детекторе на основе МДП-транзистора.

Рассмотрены возможности расширения диапазона анализируемых веществ, увеличения чувствительности и стабильности в газовых датчиках, работающих на основе акусто- и оптоэлектронных эффектов. Показано, что образование кластеров различных конфигураций на поверхности полупроводника в процессе ее обработки различными методами приводит к существенным изменениям как электронных так и адсорбционных свойств полупроводникового материала. Получено изменение характеристик пьезоэлектрических сенсоров, использующих объемные и поверхностные акустические волны в пьезокристалле (резонансная частота колебаний, скорость распространения волн) при изменении массы адсорбируемого вещества на поверхности. Такие приборы работают в диапазоне нанограмм, а их чувствительность обратно пропорциональна площади электродов. При создании волоконно-оптических датчиков основными элементами являются оптическое волокно, светоизлучающие и светоприемные устройства и оптический чувствительный элемент. Кроме того, необходимы специальные линии для связи между этими элементами или для формирования измерительной системы с датчиком.

Рассмотрены возможности и физические принципы увеличения чувствительности фоторезисторов. Даны основные теоретические соотношения, определяющие их параметры. Показано, что основным путем увеличения чувствительности фоторезисторов является увеличение подвижности и эффективного времени жизни генерированных светом носителей заряда. Помещение фоторезистора в магнитное поле, направленное перпендикулярно электрическому току и световому потоку, увеличивает фоточувствительность в несколько раз.

Рассмотрены возможности и физические принципы для определения методов отбраковки ненадежных варикапов по их электрошумовым характеристикам. Приведены основные теоретические соотношения, определяющие их параметры. Показано, что физической основой метода прогнозирования отказов варикапов по их низкочастотным шумам является зависимость уровня шума от наличия дефектов структуры и качества контактов изделия. Повышенный уровень собственных шумов приборов несет информацию о наличии тех или иных дефектов.

Разработан германиевый ИК модулятор с глубиной модуляции до 80 % в диапазоне длин волн 1,8 - 20 мкм для многокомпонентных газоанализаторов промышленных выбросов. Приведены его характеристики: зависимость эффективности модуляции от величины тока инжекции и длительности импульсов. Показана перспективность применения данного модулятора в газоанализаторах, а также способы повышения его эффективности и однородности модуляции.

Показана возможность и перспективность создания волоконно-оптических сенсоров на основе современных достижений в оптоэлектронике, волновой оптике и электроскопии для определения концентрации различных газов в окружающей среде. Рассмотрена классификация таких датчиков, анализируется состояние данного вопроса в современной литературе. Показана перспективность применения волоконно-оптических датчиков при создании газоанализаторов нового поколения, имеющих существенные преимущества перед традиционными.

Проведено исследование деградации излучающих многослойных гетероструктур под действием g-излучения Co60. Изучены изменения вольтамперных характеристик таких структур, спектров излучения, ваттамперных и вольтваттных характеристик коротковолновой и длинноволновой полос электролюминесценции в процессе радиационной деградации. Показано, что использование повторного излучения для повышения квантовой эффективности многослойных гетероструктур уменьшает радиационную стойкость светодиодов.

Проведено исследование радиационной деградации светоизлучающих диодов с переизлучением фотонов на основе GaAlAs под действием g-излучения Co60. Особенности механизма генерации фотонов в исследованных светодиодах приводят к особеностям радиационной деградации данных структур. Облучение относительно небольшими дозами g-излучения Co60 позволяет контролируемо вводить безызлучательные центры рекомбинации в активную область светодиодов и в другие слои, участвующие в процессах генерации и вывода фотонов. Исследование характеристик в таких светодиодах при радиационной деградации необходимо для прогнозирования изменений их параметров при неконтролируемых вариациях концентрации указанных центров в процессе изготовления данных структур. Изучены зависимости интенсивности коротковолновой и длинноволновой полос оптических спектров излучения от интегрального потока g-квантов. Обнаружено, что интенсивность коротковолновой полосы оптических спектров таких диодов от потока g-квантов соответствует уменьшению безызлучательного времени жизни электронов. Показано, что скорость уменьшения длиноволновой полосы под действием g-облучения существенно выше, чем коротковолновой. Получено, что изменением оптических потерь под действием радиации в светодиодах с переизлучением фотонов можно пренебречь. Использование таких диодов позволяет разделить деградационные процессы.

Величина квантового выхода электролюминесценции полупроводниковых излучателей оптического диапазона определяется параметрами нескольких этапов процесса преобразования электрической энергии в энергию оптического излучения. Для повышения эффективности и стабильности излучающих диодов исследовались потери на отдельных этапах указанного процесса. При получении сведений о распределении примесей в p - n-переходах светоизлучающих диодов измерялись вольтфарадные характеристики. В исследованных излучателях получено линейное распределение примеси в p - n-переходе. Изучены электрические и электролюминесцентные характеристики излучающих диодов на основе GaInAsP. Проведено выяснение механизма деградации диодов при токовой их тренировке в течение 3000 час., при различных плотностях тока и температурах на интенсивность излучения, измеряемую при низком и высоком уровнях инжекции, на величину фототока p - n-переходов и на их электрические характеристики. Показано, что деградация исследованных излучателей обусловлена изменением соотношения между излучательной и безызлучательной компонентами тока в p-n-переходах, а также изменением времени жизни электронов в активной области гетероструктур. Кинетика деградации диодов объясняется дрейфом заряженных дефектов в электрическом поле. Получено, что уменьшение квантовой эффективности диодов на основе GaInAsP при снижении уровня инжекции связано с наличием локальных сужений p - n-переходов. Показано, что для уменьшения деградации излучающих диодов и для повышения их квантовой эффективности при низких уровнях инжекции необходимо уменьшить концентрацию остаточных примесей и дефектов кристаллической решетки в используемых полупроводниковых гетероструктурах.

Величина квантового выхода электролюминесценции полупроводниковых излучателей оптического диапазона определяется параметрами нескольких этапов процесса преобразования электрической энергии в энергию оптического излучения. Для повышения эффективности и стабильности излучающих диодов исследовались потери на отдельных этапах указанного процесса. При получении сведений о распределении примесей в p - n-переходах светоизлучающих диодов измерялись вольтфарадные характеристики. В исследованных излучателях получено линейное распределение примеси в p - n-переходе. Изучены электрические и электролюминесцентные характеристики излучающих диодов на основе GaInAsP. Проведено выяснение механизма деградации диодов при токовой их тренировке в течение 3000 час., при различных плотностях тока и температурах на интенсивность излучения, измеряемую при низком и высоком уровнях инжекции, на величину фототока p - n-переходов и на их электрические характеристики. Показано, что деградация исследованных излучателей обусловлена изменением соотношения между излучательной и безызлучательной компонентами тока в p-n-переходах, а также изменением времени жизни электронов в активной области гетероструктур. Кинетика деградации диодов объясняется дрейфом заряженных дефектов в электрическом поле. Получено, что уменьшение квантовой эффективности диодов на основе GaInAsP при снижении уровня инжекции связано с наличием локальных сужений p - n-переходов. Показано, что для уменьшения деградации излучающих диодов и для повышения их квантовой эффективности при низких уровнях инжекции необходимо уменьшить концентрацию остаточных примесей и дефектов кристаллической решетки в используемых полупроводниковых гетероструктурах.