Розглянуто фізичні принципи роботи сенсорів - чутливих елементів, які перетворюють різноманітні види неелектричних впливів (температура та магнітне поле) на електричний сигнал. Значну увагу приділено напівпровідниковим сенсорам. Наведено теоретичні співвідношення, параметри, що їх визначають, а також основні характеристики сенсорів, які випускаються промисловістю.

Представлен метод определения диаметра луча света по формуле, связывающей измеряемое сопротивление фотоприемника с диаметром освещаемой площадки.

The formula, which bind up the photo-resistor resistivity with the diameter of the light ray is calculated. The diameter of the ray is more less than the area of the photosurface of the photodetector. The value of the diameter of the ray is calculatedby this formula.

Разработаны конструкции магниточувствительных мостовых сенсоров, состоящих либо из четырех одноколлекторных магнитотранзисторов, либо из пары двухколлекторных магнитотранзисторов с противоположным типом проводимости. Чувствительность сенсоров на порядок выше известных за счет того, что все элементы моста реагируют на действие магнитного поля.

The constructions of the bridge magnetosensitivity, which are consisted both from four one-collection magnetotransistors or from pair of two two-collection magnetotransistors with opposite type of conductivity, were constructed. The sensitivity of such sensor on the one time of value is lager of certain cases because all elements of the bridge are reacted on the magnetic field influence.

Описаны физические основы работы полупроводниковых гальваномагнитных приборов: датчиков Холла, магниторезисторов, магнитодиодов, биполярных и полевых магнитотранзисторов, магнитотиристоров, комбинаций этих приборов. Рассмотрены основные теоретические соотношения, определеяющие их параметры, а также конструктивные особенности. Отмечены направления их использования. Приведены результаты исследований влияния радиационного облучения на каждый тип магнитоприборов.

Экспериментально исследованы возможности увеличения чувствительности сенсоров магнитного поля за счет комбинации в одной схеме сенсора чувствительных элементов разных типов. Предложены 4 новых конструкции сенсоров: на основе мостовой схемы, на основе магнитотранзистора в комбинации с магнитодиодом или со вторым магнитотранзистором, и с частотным выходом. Экспериментально подтверждено, что при использовании в мостовой схеме четырех полярных магнитодиодов, вместо двух неполярных, получается более термостабильный и радиационно более стойкий сенсор с чувствительностью в 10 раз большей, чем у обычного двухдиодного мостового сенсора. Описаны конструкции сенсоров из двухколлекторного магнитотранзистора в комбинации с двумя полярными магнитодиодами или одним дополнительным магнитотранзистором. Экспериментально установлено, что чувствительность таких приборов в 6 и 4 раза выше, по сравнению с однотранзисторным сенсором, при этом, повышается их температурная стабильность и радиационная стойкость. Схема релаксационного генератора на одном однопереходном транзисторе предложена в качестве сенсора магнитного поля с частотным выходом. Экспериментально подтверждено, что включение в схему генератора дополнительного магнитодиода увеличивает чувствительность в 2,3 раза по сравнению с однотранзисторным сенсором, и повышает устойчивость к внешним воздействиям. Описанные приборы могут быть использованы в качестве эффективных сенсоров магнитного поля в беспроводных коммуникационных сетях.

Экспериментально исследовано влияние температуры и ионизирующего излучения на характеристики стабилизаторов тока на основе полевых транзисторов (ПТ) с p-n-переходом в качестве затвора и МОП ПТ в режиме насыщения при двухполюсном включении, когда затвор замкнут с истоком. Показано, что у первого типа транзисторов температурный коэффициент изменения тока отрицательный, а у второго типа - положительный. Включение в цепь истока ПТ стабилизирующего резистора соответствующей величины позволяет свести температурные изменения выходного тока стабилизатора на одном ПТ к минимуму и для ПТ с p-n-переходом, и для МОП ПТ. Однако при таком способе температурной стабилизации выходного тока значительно снижается выходная мощность стабилизатора. Впервые предложенная конструкция генератора опорного тока использует принцип компенсации внешнего воздействия на прибор, собранный из двух различных типов ПТ с противоположной реакцией на это воздействие. Экспериментально установлено, что при параллельном соединении пар таких транзисторов получаем генератор стабильного тока в широком диапазоне температур. Более того, эксперименты показали, что если для изготовления генератора опорного тока выбрать МОП ПТ с малыми значениями тока насыщения стока, то воздействие ионизирующего излучения на весь прибор будет компенсироваться, поскольку после облучения ток через такой МОП ПТ будет увеличиваться, а ток через ПТ с p-n-переходом будет уменьшаться.