Проанализированы проявления экспоненциальной кинетики деградации в топологически разупорядоченных материалах. Деградационные превращения определяются одним преобладающим значением энергии активации вне зависимости от структурной дисперсности системы. Неэкспоненциальная кинетика деградации соответствует расширенной или сжатой релаксационной функции. Расширенная кинетика деградации характерна для собственных деградационных превращений в системах, однотипных по своей природе. Деградационные превращения,включающие два и более элементарных, описываются сжатой кинетикой.

The peculiarities of exponentional kinetics of degradation in topological-disordered solids are analyzed in this article. It was shown that degradation transformations, described by ideal exponential function, are determined by one value of activationenergy independently to the structural dispersivity of the system. The non-exponential kinetics of degradation corresponds to stretched or suppressed relaxation function. The stretched kinetics of degradation is proper to own degradation transformations in one-type systems. The degradation transformations, which include two or more elementary processes different on their origin, are described by suppressed kinetics.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Разработана установка электрохимического профилирования полупроводниковых структур, в которой концентрация свободных носителей заряда определяется на основе вольт-фарадных характеристик барьера "электролит-полупроводник", а сканирование по толщине эпитаксиальных слоев осуществляется путем фотоэлектрохимического травления полупроводника. На примере эпитаксиальных структур GaAs показана высокая точность измерения концентрации носителей заряда на глубину не менее 10 мкм.

The arrangement for electrochemical profiling of GaAs based epitaxial structures, in which the free carriers concentration is obtained from the capacitance-voltage dependence of electrolyte/semiconductor barrier, depth scanning one accomplished by photo-electrochemical etching of semiconductor was elaborated and realized. The efficiency and high accuracy of arrangement free carriers definition on depth about 10 um was shown by profiling of test structure. The results of test structures investigation are brought out.

Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs-n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной "висмутовой" жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, имеющие низкие температурные коэффициенты холловского (0,08%/К) и остаточного (0,1мкВ/К) напряжения, а также высокую нормированную чувствительность (~150 В/А·Т). Сравнение однородности эпитаксиальных структур, изготовленных методами ГФЭ, МОС-гидридной эпитаксией и ЖФЭ показало, что наиболее однородными по толщине и концентрации являются структуры, выращенные низкотемпературной "висмутовой" ЖФЭ.

Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами - микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора - являются перспективными источниками когерентного одномодового излучения в тех областях, где необходимы короткие импульсы с энергией в несколько микроджоулей при пиковой мощности в десятки киловатт. Авторы представляют собственные результаты по выращиванию и тестированию эпитаксиальных структур на основе АИГ-Nd/АИГ-Cr и ГГГ-Nd/ГГГ-Cr в качестве активной среды для микрочиповых лазеров с пассивной модуляцией добротности.

Рассмотрены математические модели кинетики деградации в твердых телах, обладающих нано- и микроразмерным топологическим разупорядочением, в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, а также в объемных керамических и толстопленочных композитах на основе смешанных манганитов переходных металлов.

The mathematical models of degradation in solids with nano- and microscale topological disordering - chalcogenide vitreous semiconductors as well as bulk and thick-film ceramic composites based on mixed transition-metal manganites are considered.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395

Рубрики:

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Обсуждены экспериментальные результаты низкотемпературной деградации терморезисторов с отрицательным ТКС на основе манганитов переходных металлов (Cu, Ni, Co, Mn). Впервые установлено, что, независимо от химического состава и технологических особенностей приготовления исследуемых керамических образцов, процессы их термостарения описываются расширенной экспоненциальной релаксационной функцией Де Баста - Джиларда или Уильямса - Уоттса.

Рассмотрены особенности бимолекулярной кинетики затухания радиационно-оптических свойств халькогенидных стекол тернарных систем As2S3-GeS2, Sb2S3-GeS2 и As2S3-Ge2S3 в зависимости от их химического состава. Показано, что в стеклах стехиометрических систем As2S3-GeS2 и Sb2S3-GeS2 наблюдаемые концентрационные зависимости носят монотонный характер, тогда как в образцах нестехиометрической системы As2S3-Ge2S3 наблюдается экстремальный характер кинетических параметров в точке предполагаемого фазового перехода 2D-3D.

The peculiarities of bimolecular decay kinetics for radiation-optical properties of chalcogenide glasses of ternary As2S3-GeS2, Sb2S3-GeS2 and As2S3-Ge2S3 systems are considered in dependence on their chemical composition. It is shown, that the observed concentration dependencies have a monotonic character in the glasses of stoichiometric As2S3-GeS and Sb2S3-GeS2 cut-sections, while the extremum character of kinetic parameters is observed in the point of expected 2D-3D phase transition in the samplesof non-stoichiometric As2S3-Ge2S3 cut-section.

Ключ. слова: шпинель MgAl2O4, влагочувствительность, сенсор влажности, аннигиляция, позитронные дефекты, время жизни позитронов
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.247

Рубрики:

Спектроскопія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: микрочиповый лазер, пассивная модуляция добротности, насыщаемый поглотитель, эпитаксиальная структура Nd:АИГ/ Cr+4:АИГ.
Індекс рубрикатора НБУВ: З85-53

Рубрики:

Електроніка

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проанализированы технологические особенности приготовления и электрические характеристики толстопленочных композиций на основе полупроводниковой керамики и бессвинцового стекла для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. Полученные экологически безопасные толстопленочные материалы обеспечивают необходимые для микроэлектронных сенсоров температуры характеристики термочувствительности и стабильности.

Technology and electrical properties of thick film materials based on semiconducting ceramics and lead-free glass for negative temperature coefficient thermistors are discussed. The screen printable thick film materials displaying suitable for temperature sensing applications characteristics of thermal sensitivity and stability are designed.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л43-101

Рубрики:

Скло і скловироби

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27

Рубрики:

Світлові діоди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p{\up\fs8 +}-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p{\up\fs8 +}-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышении температуры в указанном интервале со скоростью 8-10°С/мин позволяет получить резкую границу раздела между слоями р- и n-типа проводимости. Такой способ формирования резких гетерограниц в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si может мыть использован для изготовления широкой номенклатуры эпитаксиальных структур.

Розроблено спосіб формування якісних гетеромеж в системі p{\up\fs8 +}-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD за умов безперервного вирощування при зростанні температури кристалізації від 600 до 760°С. Встановлено, що режим формування шару твердого розчину p{\up\fs8 +}-AlGaAs:Zn наповерхні шару n-GaAs:Si за умови підвищення температури в зазначеному інтервалі зі швидкістю 8-10°С/хв дозволяє отримати різку межу розділу між шарами р- та n-типу провідності. Такий спосіб формування різких гетеромеж в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si може бути використаний для виготовлення широкої номенклатури епітаксійних структур.

The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p+AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80-120°N optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of continuous growth at changing crystallization temperature from 600-700°C has been developed. It has been determined that the crystallization of p+-AlGaAs:Zn solid solution layer on the surface of n-GaAs:Si layer, with increasing the crystallization temperature in the temperature range of 600-760°C at a rate 8-10 °C/min allows to crystallize sharp impurity boundary between the layers of p- and n-type conductivity. The method of forming sharp hetero boundaries in p-GaAs:Zn/n-GaAs:Si systems can be used for manufacturing wide range of epitaxial structures.

Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p-i-n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. Электрофизические параметры полученных структур позволяют изготавливать на их основе высоковольтные диоды.

Розроблено технологію вирощування двосторонніх високовольтних кремнієвих p-i-n-структур мето¬дом рідиннофазної епітаксії в єдиному технологічному процесі. Електрофізичні параметри одержаних структур дозволяють виготовляти на їх основі високовольтні діоди.

Silicon p-i-n-structures are usually obtained using conventional diffusion method or liquid phase epitaxy (LPE). In both cases, the formation of p- and n-layers occurs in two stages. This technological approach is quite complex. Moreover, when formingbilateral high-voltage epitaxial layers, their parameters significantly deteriorate as a result of prolonged heat treatment of active high-resistivity layer. Besides, when using diffusion method, it is impossible to provide good reproducibility of the process. In this paper a technique of growing bilateral high-voltage silicon p-i-n-structures by LPE in a single process is proposed. The authors have obtained the optimum compounds of silicon-undersaturated molten solutions for highly doped (5•10{\up\fs8 18} cm{\up\fs8 –3}) contact layers: 0.4 - 0.8 at. % aluminum in gallium melt for growing p-Si-layers and 0.03 - 0.15 at. % ytterbium in tin melt for n-Si-layers. Parameters of such structures provide for manufacturing of high-voltage diodes on their basis. Such diodes can be used in navigational equipment, communication systems for household and special purposes, on-board power supply systems, radar systems, medical equipment, etc.

Исследована структура и направление распространения объемных акустических волн, возбужденных встречно-штыревым преобразователем (ВШП) в кристалле ниобата лития, с помощью их визуализации. Показано, что для расчета периода ВШП при конструировании акустооптических дефлекторов СВЧ-диапазона недостаточно использовать лишь подстройку под угол Брэгга. Для определения области распространения таких пучков волн нужно также учитывать параметр Френеля.

Досліджено структуру та напрямки розповсюдження об’ємних акустичних хвиль, збуджених зустрічно-штирьовим перетворювачем (ЗШП) в кристалі ніобата літію, за допомогою їх візуалізації. Показано, що для розрахунку періоду ЗШП у процесі конструювання акустооптичних дефлекторів НВЧ-діапазону недостатньо використання лише підстройки під кут Брэгга. Для визначення області розповсюдження таких акустичних хвиль потрібно також враховувати параметр Френеля.

Excitation of bulk and surface acoustic waves with the interdigital transducer (IDT), which is deposited on the surface of piezoelectric crystal, is widely used in the development of devices in acoustoelectronics and in the design of the microwave acousto-optic deflectors. Excitation of bulk acoustic waves by IDT in the devices on surface acoustic waves leads to the appearance of spurious signals. At the same time excitation of bulk acoustic waves with IDT from the surface of lithium niobate crystalsallows creating high frequency acousto-optic deflectors, which makes possible to significantly simplify the technology of their production. Therefore, significant attention is paid to the task of excitation and distribution of bulk acoustic waves with IDT including recent times by the method of simulation of their excitation and distribution. The obtained theoretical results require experimental verification. This paper documents the visualization of acoustic beams excited with IDT from the XY-surface of lithium niobate crystals. The Bragg cells with LiNbO3 crystals coated with IDT with a different period of electrodes were manufactured for the experimental research of excitation and distribution of bulk acoustic waves. Visualization results have shownthat the acoustic waves excited with IDT distribute in both the Fresnel zone and the Fraunhofer zone. The length of these zones is caused by individual elementary emitters of which consists the IDT (by their size). At the same time the far zone for IDT is located at distances much greater than the actual size of the LiNbO3 crystals. This peculiarity is not always taken into account when calculating diffraction. The achieved results can be used to design high-frequency acousto-optic devices, as well as in the development of devices based on surface acoustic waves.