Розкрито сутність явищ електронного парамагнітного (ЕПР), ядерного магнітного (ЯМР) та ядерного квадрупольного (ЯКР) резонансу, наведено матеріали про атомний магнетизм та ЯМР-інтроскопію. Запропоновано методику теоретико-групового аналізу станів домішкового іону в кристалічних гратах. Висвітлено теорії кристалічного поля, ширини та форми контуру лінії ЕПР, розглянуто ЯМР і парамагнітний резонанс у твердому тілі. Запропоновано напівемпіричні методи аналізу спектрів ЕПР. Описано процеси спін-гратової релаксації у твердих тілах, проаналізовано основні взаємодії у спектрах ЯМР, подвійні резонанси та магнітоплазменні ефекти у напівпровідниках. Наведено методику дослідження кристалогідратів методом ЯМР.

Раскрыта сущность явлений электронного парамагнитного (ЭПР), ядерного магнитного (ЯМР) и ядерного квадрупольного (ЯКР) резонанса, изложены материалы об атомном магнетизме и ЯМР-интроскопии. Приведена методика теоретико-группового анализа состояний примесного иона в кристаллических решетках. Освещены теории кристаллического поля, ширины и формы контура линии ЭПР, рассмотрены ЯМР и парамагнитный резонанс в твердом теле. Рассмотрены полуэмпирические методы анализа спектров ЭПР. Описаны процессы спин-решетковой релаксации в твердых телах, проанализированы основные взаимодействия в спектрах ЯМР, двойные резонасы и магнитоплазменные эффекты в полупроводниках. Дана методика исследования кристаллогидратов методом ЯМР.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено фотолюмінесценцію та дифракційні спектри рентгенівського випромінювання мікрокристалів ZnS : Mn (розмір ~ 25 мкм). Механічна взаємодія на кристал (протягом 10 та 20 хв) супроводжувалася зміною фізичних властивостей. Розміри мікрокристалів зменшились до 10 мкм (стиснення протягом 10 хв) та 5 мкм (стиснення протягом 20 хв). Інтенсивність фотолюмінісценції зменшилась у 6,5 та 10 разів відповідно. Обгрунтовано фізичні причини цього результату.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + Ж619

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Одержання плівок

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розроблено то виготовлено пристрій для автоматичного вимірювання спектрів електронного парамагнітного резонансу за допомогою зовнішнього мікроконтролерного (МК) блоку, який вимірює величину індукції магнітного поля й інтенсивність сигналу ЕПР з можливістю подальшого зберігання та обробки даних на ПК.

Наведено опис експериментальної установки, призначеної для дослідження спектрів фотолюмінесценції за імпульсного збудження від лазерного джерела. Це надає змогу за часом загасання сигналу, що реєструється на різних довжинах хвиль в діапазоні від 400 до 700 нм, одержати інформацію про індивідуальні складові інтегрального спектру. Реєстрація здійснюється за допомогою АЦП, що запускається синхронно зі збуджуючим зазером. Наведено блок-схеми експериментальної установки та пристрою управління експериментом, описано його складові: підсилювач ФЕП, АЦП подвійного інтегрування з пристроєм вибірки-зберігання і дешифратором семисегментного коду в прямий двійковий код, АЦП послідовних наближень, комутатор виходів АЦП для LPT порту ЕОМ, контролер і формувач імпульсу запуску лазера. Дана робота буде цікавою для осіб, що займаються дослідженням оптичних характеристик різних напівпровідникових і діелектричних матеріалів в об'ємних, плівкових і квантоворозмірних структурах.

Здійснено математичне моделювання процесів термостимульованої люмінесценції, яка спостерігається в широкозонних напівпровідникових матеріалах. На підставі аналізу запропоновано методику встановлення глибин залягання енергетичних рівнів у заборонений зоні. Саме ці рівні зумовлюють оптичні й електричні властивості кристалофосфорів. Виходячи з цього робота має практичне значення.

Наведено результати розкладення досліджених спектрів фотолюмінесценції (ФЛ) ZnS:Cu за оброблення кристалу ультразвуком (УЗ). Дія ультразвуку на кристал ZnS:Cu призводить до зростання складових спектра ФЛ за рахунок перебудови точкових дефектів структури кристалу і зміни електричних полів від дислокацій, які відбуваються під впливом коливань додаткових механічних полів.