Наведено результати дослідження газової чутливості контактних структур надтонкий шар титану - кремній. Аналіз експериментальних результатів та квантово-хімічні розрахунки методом СУП МО ЛКАО в наближенні нехтування диференціальним двохатомним перекриванням (НДДП) дають можливість вважати, що газову чутливість контактних структур при адсорбції аміаку можна пояснити перерозподілом електронної густини в атомах кисню і кремнію, що входять до складу перехідного шару межі поділу метал - кремній. Цей процес приводить до зміни ефективної діелектричної проникності перехідного шару, що в свою чергу визначає зміну вольт-амперної характеристики (ВАХ) контактної структури.