Описаны физико-математическая модель и методика численных исследований токопереноса фотоносителей в тонких пленках аморфного гидрогенизированного кремния. Приведены результаты расчетов зависимости фототока от толщины пленки.

Приведен способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. На основании упрощенного представления построения дефектной решетки материала, введена функциональная зависимость энергетического спектра, дающая распределения локальных уровней в хвостах запрещенной зоны. Показана возможность объяснения структурных построений аморфной матрицы исходя из технологических режимов получения полупроводникового слоя. Предложены параметры, определяющие степень разупорядоченности материала.