Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Автореферати дисертацій (1)Книжкові видання та компакт-диски (37)Журнали та продовжувані видання (2)
Пошуковий запит: (<.>U=В379.271.26$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 48
Представлено документи з 1 до 20
...

      
Категорія:    
1.

Малик О. П. 
Локальна взаємодія електронів з близькодіючим потенціалом дефектів в CdVIxDHgVI1-xDTe ($E bold {0~symbol Г~x~symbol Г~0,26}) / О. П. Малик // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2005. - № 540. - С. 101-110. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.


Ключ. слова: напівпровідники, явища переносу
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
2.

Грушка О. Г. 
Вплив домішок на електричні та оптичні властивості кристалів $Eroman bold {Hg sub 3 In sub 2 Te sub 6 } : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О. Г. Грушка; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2003. - 20 c. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.271.26,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА326807 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
3.

Федосов С. А. 
Вплив структурних дефектів радіаційного походження на фотоелектричні властивості антимоніду і сульфіду кадмію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / С. А. Федосов; Волин. держ. ун-т ім. Л.Українки. - Луцьк, 1999. - 19 c. - укp. - рус.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227,022 + В379.271.26,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА304891 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Оксюта В. А. 
Електрично і оптично активні центри дефектного походження в легованих Cu і In монокристалах CdS і твердих розчинах на їх основі : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Оксюта; Волин. держ. ун-т ім. Л.Українки. - Луцьк, 2003. - 16 c. - укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022 + В379.271.26,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА324129 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
5.

Дзумедзей Р. О. 
Високотемпературне розсіювання у легованих кристалах плюмбум телуриду PbTe:Sb(Bi,In) / Р. О. Дзумедзей // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 2. - С. 311-316. - Бібліогр.: 30 назв. - укp.

Визначено температурні та концентраційні межі домінування механізмів розсіювання носіїв заряду на вакансіях, коливаннях кристалічної гратки та домішці для PbTe:Sb у високотемпературному інтервалі 300 - 800 K. Встановлено характер поведінки рухливості носіїв заряду залежно від вмісту домішки (1, 1,5 і 2 ат. % Sb). Проведено порівняльний аналіз впливу різних легувальних домішок (Sb, Bi, In) фіксованого вмісту (2 ат. %) на кінетичні явища кристалічного плюмбум телуриду.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25 + В379.271.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
6.

Нищенко М. М. 
Влияние циклической деформации на электропроводность массива углеродных нанотрубок / М. М. Нищенко, Г. Ю. Михайлова, Д. Э. Азнакаева, Ю. А. Лисунова // Металлофизика и новейшие технологии. - 2011. - 33, № 10. - С. 1307-1314. - Библиогр.: 4 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.271.26 + Ж364.206.33

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
7.

Вакуленко О. В. 
Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InVIBxDGaVIB1-xDAs/GaAs з квантовими точками / О. В. Вакуленко, С. Л. Головинський, С. В. Кондратенко, Ю. І. Мазур, Ж. М. Ванг, Г. Д. Саламо // Укр. фіз. журн. - 2011. - 56, № 9. - С. 944-952. - Бібліогр.: 26 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
8.

Зарін П. П. 
Вплив іонів індію на магнітні властивості ферогранату самарію / П. П. Зарін // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 1. - С. 73-75. - Бібліогр.: 3 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26 + Г123.555-23

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
9.

Горічок І. В. 
Енергії утворення вакансій у кристалах $E bold roman {A sup 2 B sup 6} / І. В. Горічок // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 2. - С. 322-324. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
10.

Дмитрів А. М. 
Інверсія типу провідності в твердих розчинах CdVBxDHgVB1-xDTe / А. М. Дмитрів, О. Л. Сав'як // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2010. - № 3/7. - С. 32-36. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.271.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
11.

Фреїк Д. М. 
Механізми розсіювання та ефективна маса носіїв заряду у легованому талієм плюмбум телуриді PbTe:Tl / Д. М. Фреїк, Л. І. Никируй, Р. О. Дзумедзей, О. Зуб // Фізика і хімія твердого тіла. - 2010. - 11, № 1. - С. 62-67. - Бібліогр.: 29 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.271.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
12.

Федосов А. В. 
Підвищення рухливості носіїв струму в одновісно деформованих кристалах n-Si та n-Si з ізовалентною домішкою германію / А. В. Федосов, С. В. Луньов, С. А. Федосов, С. Я. Місюк, А. М. Коровицький // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2010. - № 3. - С. 65-68. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26 + З852.3

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
13.

Kras'ko M. M. 
Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated IBnD-Si / M. M. Kras'ko // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 3. - С. 243-248. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
14.

Olikh Y. M. 
Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hgsub1 - X/subCdsubX/sub Te alloys / Y. M. Olikh, R. K. Savkina, O. I. Vlasenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 304-307. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
15.

Прохоров А. А. 
Основное состояние иона $Ebold roman Gd sup 3+ в монокристалле TmAlVB3D(BOVB3D)VB4D / А. А. Прохоров // Физика и техника высоких давлений. - 2013. - 23, № 1. - С. 30-36. - Библиогр.: 17 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312 в733 + В379.271.26 в733

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
16.

Сльотов М. М. 
Вплив ізовалентної домішки Ca на властивості ZnSeAl / М. М. Сльотов, І. І. Герман, О. М. Сльотов, В. В. Косоловський // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2013. - № 6/12. - С. 26-29. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
17.

Плющай І. В. 
Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію / І. В. Плющай, В. А. Макара, О. І. Плющай // Доп. НАН України. - 2011. - № 9. - С. 82-89. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.

Розраховано електронні спектри надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить точковий дефект (ТД) - власний дефект (вакансію та міжвузловий атом), кисень і вуглець у міжвузловому положенні та стані заміщення. Розрахунок проведено за допомогою методу linear muffin-tin orbital. Розглянуто зміни густини електронних станів монокристалів кремнію, а також можливість формування магнітних моментів на дефектах. Показано, що частково заповнена домішкова підзона, яка спостерігається для вакансії, атомів кисню та вуглецю в міжвузловому положенні може призводити до формування магнітного моменту. Проаналізовано зарядовий стан ТД у монокристалах кремнію.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.271.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
18.

Белецкий Н. Н. 
Резонансное взаимодействие электромагнитных волн в дефектной диэлектрической слоисто-периодической структуре, находящейся в плоскопараллельном волноводе / Н. Н. Белецкий, С. А. Борисенко, Н. И. Гвоздев // Радиофизика и электроника. - 2014. - 5, № 2. - С. 61-67. - Библиогр.: 14 назв. - рус.

В последнее время вызывают большой интерес исследования дефектных слоисто-периодических структур (СПС), граничащих с плазмоподобными средами. Это связано с наличием в таких структурах поверхностных и объемных электромагнитных волн, которые могут резонансным образом взаимодействовать между собой. Эффект резонансного взаимодействия в дефектных СПС исследован еще недостаточно хорошо. Резонансное взаимодействие поверхностных и объемных TM-электромагнитных волн в одномерной дефектной диэлектрической СПС, помещенной в плоскопараллельный волновод, исследуется на основе численного решения дисперсионного уравнения. Изучены дисперсионные и энергетические свойства плазменных и объемных мод в зависимости от положения дефектного слоя внутри периодической структуры. Показано, что особенности резонансного взаимодействия плазменных и объемных волн значительно зависят от геометрической конфигурации дефектной СПС. Результаты исследований существенно расширяют представления о характере резонансного взаимодействия электромагнитных волн в дефектных СПС. Они могут быть использованы при создании новых типов радиофизических устройств для обработки сигналов в микроэлектронике и фотонике.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.271.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
19.

Бернік І. Б. 
Вплив домішок та зовнішніх полів на спектральні властивості напівпровідникових сферичних наноструктур : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.02 / І. Б. Бернік; Чернівец. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. - Чернівці, 2014. - 20 c. - укp.

Теоретично досліджено вплив мілких заряджених домішок та зовнішніх полів на енергетичні спектри та розподіл густини ймовірності локалізації квазічастинок в простих та багатошарових сферичних квантових точках (КТ). Дослідження виконано в моделях ефективної маси та прямокутних потенціалів розмірного квантування для квазічастинок як на основі точних розв'язків рівняння Шредінгера за центрального розміщення домішки, так і різними наближеними методами при порушенні сферичної симетрії задачі внаслідок впливу нецентральних домішок та зовнішніх полів. Варіаційним методом та методом розкладу хвильової функції (ХФ) одержано залежність енергетичного спектра, сил осциляторів квантових переходів та еволюцію розподілу густини ймовірності знаходження електрона в основному та збуджених станах від положення донорної домішки у сферичних простих і багатошарових КТ. Показано, що нецентральна заряджена домішка зменшує ймовірність міжзонних квантових переходів у сферичних КТ різного типу. Досліджено особливості впливу електричного та магнітного полів на спектральні властивості складних КТ. Знайдено геометричні параметри двоямних КТ, за яких електрон під впливом зовнішнього магнітного поля тунелює з однієї потенціальної ями в іншу.


Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236,022 + В379.271.26,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА408907 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
20.

Vysochanskii Yu. M. 
The influence of defects and conductivity on the domain structure properties and the memory effect in the ferroelectrics-semiconductors Snsub2/subPsub2/subSesub6/sub / Yu. M. Vysochanskii, A. A. Molnar, M. M. Khoma, S. F. Motrja // Condensed Matter Physics. - 1999. - 2, № 3. - С. 421-434. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 


...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського