Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Автореферати дисертацій (1) | Книжкові видання та компакт-диски (2) | Журнали та продовжувані видання (1) |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.271.1$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 7 Представлено документи з 1 до 7 |
||||
| 1. | Данилюк С. В. Особливості переносу заряду в низьковимірних гетероструктурах на основі сполук $Ebold { roman A sub 3 roman B sub 5 } : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / С. В. Данилюк; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. - К., 2003. - 16 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22,022 + В379.271.1,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА326457 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Ільченко Л. Г. Вплив близько розташованого металу на формування області просторового заряду в напівпровіднику / Л. Г. Ільченко, В. В. Ільченко, В. В. Лобанов // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2010. - № 1. - С. 174-179. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Kobeliatskyi V. Correlation receiver with wave front reversal of magnetostaic waves / V. Kobeliatskyi, G. Melkov, V. Moiseienko, O. Prokopenko // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Радіофізика та електроніка. - 2010. - Вип. 13. - С. 49-51. - Библиогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж28079/рад.фіз.Ел. Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Boiko I. I. Electron-electron drag in crystals with multivalley band / I. I. Boiko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 3. - С. 212-217. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. Mobility of electrons in multivalley bands of Si and Ge is considered with due regard for intervalley drag. It is shown that drag sufficiently diminishes electron mobility at low temperatures. This effect is clearer pronounced in germanium than in silicon. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.1 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Myndrul V. B. Determination in mobility of non-equilibrium carriers considering motion velocity distribution / V. B. Myndrul, A. Yu. Bak, Yu. N. Karakis, M. I. Kutalova, N. P. Zatovskaya, S. V. Zubritskii // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2013. - Вып. 22. - С. 130-135. - Бібліогр.: 9 назв. - англ. The particularities of contact influence on processes of current rise in crystal at the expense of non-equilibrium charge were investigated. The procedure to determine carrier active mobility for the case of considerable asymmetry in their velocity distribution was developed. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.1 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Онищенко В. Ф. Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об'єму зразка / В. Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2015. - Вып. 50. - С. 125-131. - Бібліогр.: 12 назв. - укp. Досліджено розподіл концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду в структурах макропористого кремнію. Показано, що у разі збільшення глибини макропор до 10 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду різко зменшується як між порами, так і в монокристалічному шарі під порами. Шляхом розрахунку показано, що за глибини макропор від 100 до 200 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду між макропорами майже не змінюється. Проаналізовано розподіл безрозмірної концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду між макропорами та у монокристалічному шарі у разі зменшення товщини монокристалічного шару та за швидкостей поверхневої рекомбінації від 0,1 до 100 м/с. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.1 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Монастирський Л. С. Моделювання розподілу електростатичного потенціалу у поруватому кремнії / Л. С. Монастирський, І. Б. Оленич, Б. С. Соколовський // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : зб. наук. пр. - 2019. - 17, вип. 3. - С. 519-528. - Бібліогр.: 12 назв. - укp. Теоретично досліджено особливості ефекту поля у поруватому кремнії з циліндричною формою пор. Просторовий розподіл потенціалу одержано шляхом аналітичного розв'язання Пуассонового рівняння у лінійному наближенні. Координатні залежності електростатичного потенціалу проаналізовано для різних значень радіуса пор і віддалі між порами. На основі одержаних залежностей встановлено, що Дебайова екранівна довжина зменшується зі збільшенням кривини поверхні. Показано, що ефект поля у поруватому кремнії зумовлює зміну електропровідності поруватого шару. Найбільша за модулем відносна зміна провідності відповідає значній кривині поверхні та невеликій віддалі між порами. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.1 + Ж362 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського