Ємнісна спектроскопія використується для дослідження електронних властивостей само-організованих InAs квантових точок. Вимірювання вольт-фарадних характеристик, C(V), одночасно з даними по магнето-емності, C(B), дозволяють досліджувати електростатичний профіль однобар'єрних p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктур, які містять в AlAs бар'єрі шар само-організованих InAs квантових точок. Ми визначили, що негативний заряд, пов'язаний з заповненням квантових точок електронами, майже повністю компенсується позитивним зарядом в AlAs бар'єрі, що, на нашу думку, пов'язано з іонізованими дефектами чи домішками, які обумовлені квантовими точками. Показано, що міра компенсації суттєво залежить від ростових умов.

Числовим рішенням системи рівнянь Такагі досліджено вплив модельних спотворень вихідної та вхідної поверхонь на формування зображень мікродефектів на секційних топограмах у кристалах Si. У випадку слабкого експоненціального згину вхідної поверхні кристала відбувається підсилення прямої складової зображення, розмиття проміжної і підсилення або заглушення динамічної складової зображення - в залежності від місця знаходження мікродефекту. У разі експоненціального згину відбиваючих площин спостережено заглушення прямої складової зображення і перекидання інтенсивності в центр проміжної області зображення.

За допомогою проекційної рентгенівської топографії та оптичної мікроскопії на проходження і відбиття досліджено структурні дефекти в об'ємних кристалах (булях) карбіду кремнію, вирощених сублімаційним методом Лелі. Було виявлено лінійні дислокації, дислокаційні петлі, проникнення сторонніх фаз, трубчасті пори (мікротрубки) та блоки. Проаналізовано причини виникнення більшості дефектів у SiC-булях. Дослідження показали, що модифікований метод Лелі дає можливість одержувати достатньо досконалі об'ємні кристали карбіду кремнію з низькою щільністю дислокацій та мікротрубок.

Розглянуто простий високоінформативний метод, який дозволяє однозначно ідентифікувати механізм зарядопереносу в досліджуваних структурах та одержувати коректну інформацію про параметри локалізованих станів у забороненій зоні матеріалу безпосередньо з вольт-амперних характеристик (ВАХ) струмів, обмежених просторовим зарядом. Результати моделювання свідчать про добрий збіг параметрів розподілів пасток, розрахованих за допомогою цього методу, з вхідними параметрами глибоких центрів. Експериментальну апробацію кількох модифікацій диференціального методу проведено на високоомних плівках CdTe. Виявлено чотири групи моноенергетичних пасток. Одержані результати свідчать про перспективність методу інжекційної спектроскопії для дослідження глибоких станів у напівпровідникових і напівізолюючих матеріалах.

Викладено експериментальні методики та теоретичні розрахунки щодо визначення параметрів центрів захоплення у напівпровідниках за кривими термостимульованої релаксації. Основну увагу приділено негативній термостимульованій провідності та термостимульованому розряду конденсатора, зумовленого станом поверхневих центрів захоплення.

Ключ. слова: кремній, вирощений методом Чохральського та плаваючої зони, преципітати SiO_x, радіаційні пошкодження, іони кисню та неону, брег-дифракція рентгенівських променів, коефіцієнт відбивання, статичний фактор Дебая-Валлєра
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: кремний, имплантация, рентгеновские методы, структурные изменения, приповерхностные слои
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: дифракция, рентгеновские лучи, квазизапрещенные отражения, маятниковые осцилляции интенсивности
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 + В379.271.51

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методу високороздільної рентгенівської дифрактометрії досліджено розсіяння рентгенівських променів у короткоперіодних надгратках (НГ) GaAs/AlAs. З використанням підгонки теоретичних кривих дифракційного відбиття до експериментальних одержано як параметри дифракції, так і структурні параметри НГ (товщини субшарів, рівень деформації в шарах). Установлено, що, незважаючи на значні величини деформацій у шарах НГ, їх когерентність і структурна досконалість є досить високою.

Індекс рубрикатора НБУВ: В367 + В379.221 + Ж68

Рубрики:

Фізика високих та низьких тисків

Структурний аналіз напівпровідників

Обробка окремих матеріалів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: РА304119 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022 + В379.227,022

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: РА306296 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Розраховано електронні енергетичні спектри кристала кремнію у наближеннях LDA і LDA GW. Порівняння з експериментом показує, що наближення LDA GW завдяки адекватному врахуванню екранування, одержаному за допомогою формалізму функції Гріна, краще описує збуджені стани напівпровідника, ніж одночастинкові теорії.

Досліджено вплив міжфазних меж на розсіювання носіїв струму у плівках телуриду свинцю та олова, осадженого на підкладках із поліамідної стрічки від їх товщини. Встановлено, що домінуючу роль відіграють розсіювання на поверхні та міжзеренних межах.