Проведено дослідження тепловіддачі при пароутворенні хладону R22 усередині оребреної труби. Виконано порівняння одержаних експериментальних даних для спірально-оребреної та гладкої труб. Запропонована узагальнена залежність для розрахунку середньої тепловіддачі при пароутворенні хладону усередині спірально-оребреної труби.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.14

Рубрики:

Твердіння. Кристалізація. Ріст кристалів

Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описано механізм дії парової фази на елементарні комірки киплячої суспензії в умовах, коли температура пари нижча або вища за температуру розчину. В випадку, коли температура пари нижча чи вища за температуру розчину, відбувається перерозподіл розчиненої речовини між комірками в сторону комірки кристалу більшого розміру. Причому, в першому випадку масообмін відбувається лише за рахунок речовини у розчині, а в другому також і за рахунок розчиненої речовини кристалів.

За допомогою розрахунків концентраційних полів і послідовних профілів границі кристал - розплав вивчено розвиток комірчастої структури. Враховувалася анізотропія швидкості росту та поверхневого натягу. Розрахунки для початкових хвильових викривлень за періодичних граничних умов порівняно з результатами теоретичних робіт. Під час вивчення еволюції форми поверхні в початкових умовах вводився виступ або шум у значеннях поверхневих координат. Вивчався вплив орієнтації кристала на розвиток комірчастої структури.

З використанням аналізу результатів досліджень і літературних даних про особливості розвитку процесів рекристалізації за умов різних деформацій і швидкостей нагрівання запропоновано два її механізми. До основи роботи першого за умов малих швидкостей нагрівання закладено особливості змін структури меж усіх рівнів дезорієнтації, які виражено в моделі вузлів збігання через різницю в кількості останніх для відпаленого (рівноважного) та деформованих станів. За умов локальних нагрівань з високою швидкістю зародки рекристалізації утворюються безпосередньою перебудовою грат у місцях її викривлення - на окремих дислокаціях і групових її скупченнях. Розглянуто роль та особливості участі дислокацій у розвитку процесів рекристалізації за різних умов нагрівання.

Досліджено кінетику процесу зародкоутворення. Сформульовано диференціальну задачу для знаходження потоку у просторі розмірів, зароджуваних кластерів. Методом, аналогічним методу оберненої задачі проблеми моментів, знайдено загальні вирази для потоку та часу релаксації. Як ілюстрацію розглянуто фізичну задачу зародкоутворення нової фази у результаті дифузного розпаду пересиченого твердого розчину.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.144

Рубрики:

Ріст кристалів із пари. Випаровування (сублімація) твердих тіл, кристалів

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В367.1 + В375.143.1

Рубрики:

Фізика високих тисків

Ріст кристалів із розплавів. Плавлення твердих тіл, кристалів

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.144

Рубрики:

Ріст кристалів із пари. Випаровування (сублімація) твердих тіл, кристалів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: рост кристаллов, высокотемпературные сверхпроводники, морфология, рентгенофазовый анализ, двойники
Індекс рубрикатора НБУВ: В375.143.1

Рубрики:

Ріст кристалів із розплавів. Плавлення твердих тіл, кристалів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.33 + В375.143

Рубрики:

Тверді розчини

Кристалізація рідин. Ріст кристалів з рідин

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Методом компьютерного моделирования исследована равномерность распределения модуля температурного градиента G(r) вдоль радиуса кристалла алюмоиттриевого граната вблизи фронта кристаллизации в момент перехода от ускоренной к медленной стадии выращивания в зависимости от теплопроводности конусной части. Расчеты проведены при различных диаметрах кристалла и тигля. Установлено существование оптимального значения теплопроводности, при котором достигается наиболее равномерное распределение зависимости G(r) на фронте кристаллизации при малых значениях модуля G.

The uniformity of distribution of temperature gradient G(r) along radius of yttrium-aluminum garnet crystal near the crystallization front was studied in moment of transition from rapid to slow crystal growth stage depending on heat conductivity of cone part by means of computer simulation method. Calculations are performed at different diameters of crystal and crucible. The existence of optimal value of heat conductivity at which the dependence G(r) has a most uniform distribution and little value of modulus G was determined.

Применительно к методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава и с погруженным во флюс дополнительным нагревателем (ДН) изучены зависимости температурного градиента G вблизи фронта кристаллизации в кристалле GaAs от мощности ДН, его удаленности от кристалла, а также от условий теплового экранирования кристалла и флюса при различном соотношении между тепловыми потоками через дно и стенку тигля. Показаны условия, при которых достигаются лучшие результаты (с учетом значений G и равномерности их радиального распределения).

The task of realization of the high-speed nonrecursive digital filter on FPGA is considered. Ways of construction of high-speed elements of the filter are investigated: the multidigit shift register, the vector binary multiplier, the vector binary adder. In work examples of the description of these elements in language of description VHDL are resulted.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147 + В379.26 + Г522.1

Рубрики:

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Кристалічні структури неорганічних сполук

Шифр НБУВ: ВА636572 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147 + Г522.1

Рубрики:

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Кристалічні структури неорганічних сполук

Шифр НБУВ: ВА636571 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены вопросы получения кристаллов галогенидов щелочных металлов, в частности, сцинтилляторов на основе йодидов натрия и цезия. Описаны общие принципы управления процессами роста кристаллов из расплава, особенности диаграмм состояния смешанных систем и их поведения в инвариантных точках (эвтектической и пиретектической), принцип конечных изменений равновесных гетерогенных систем. Освещена роль физико-химических и препаративных факторов при росте кристаллов, классификация и особенности поведения неконсервативных систем при росте кристаллов. Проанализированы общие закономерности методов выращивания кристаллов из расплава, их интенсификации и применяемости к выращиванию крупногабаритных кристаллов. Раскрыта специфика выращивания кристаллов йодидов щелочных металлов, являющихся лучшими и наиболее распространенными сцинтилляторами.

Освещены вопросы поверхностных явлений в расплавах, адгезии, смачиваемости. Проанализированы особенности молекулярно-динамического моделирования процессов формирования локальных наноструктур с помощью сфокусированного атомного пучка. Изучены капиллярные свойства металлических и неметаллических расплавов, процессы растекания жидких фаз по твердым. Приведены результаты исследований контактного взаимодействия тугоплавких соединений и сверхтвердых материалов с расплавами, а также технологических разработок в области пайки и нанесения адгезирующих покрытий, адгезионных явлений в процессах получения материалов.

Ключ. слова: вольфрамат кадмия, сцинтилляционный детектор, рост кристаллов, метод Чохральского.
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.603.4 + В375.147

Рубрики:

Вирощування монокристалів кадмію та його сплавів

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены вопросы разработки технологии выращивания нелинейных и электрооптических водорастворимых монокристаллов KDP/DKDP, использующихся в качестве широкоаппаратурных умножителей частоты и ячеек Поккельса в мегаджоульных установках по осуществлению лазерного термоядерного синтеза. Приведены физико-технические характеристики монокристаллов дигидрофосфата калия и его дейтерированного аналога дидейтерийфосфата калия. Дано описание способов выращивания кристаллов большого размера из водных растворов, проанализированы факторы, влияющие на процессы роста и свойства кристаллов. Особое внимание уделено связи струкутурного совершенства, оптических и лазерных характеристик кристаллов типа KDP с технологией получения, химическим составом сырья, тонкой дефектной структурой выращенных кристаллов. Исследованы воздействия термообработки на микродефекты, образовавшиеся в процессе роста кристаллов или при их эксплуатации в реальных условиях лазерных элементов.

Вивчено морфологію монокристалів синтетичного алмазу. Визначено габітус кристалів алмазу. Детально досліджено поверхні граней різних простих форм. Отримано результати, які дають змогу вивчити механізми росту синтетичних монокристалів алмазу та оптимізувати умови росту кристалів.

The morphology of synthetic single diamond crystals is studied. The habitus of diamond crystals is specified. The surfaces of edges of various simple forms are in detail investigated. The outcomes, which allow to learn gears of growth of synthetic single diamond crystals and to optimize conditions of crystals growth, are obtained.