Комплексний інформаційно-бібліографічний сервіс Національної бібілотеки України імені В. І. Вернадського

Простий пошук

Розширений пошук

Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка

Тематичний інтернет-навігатор

Наукова електронна бібліотека

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

у знайденому

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання

Формат представлення знайдених документів:
повний	стислий

Знайдено в інших БД:

Автореферати дисертацій (2)

Книжкові видання та компакт-диски (7)

Пошуковий запит: (<.>U=В374.98$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 38
Представлено документи з 1 до 20

...

Категорія:

Глинчук К. Д.
Анализ экситонной люминесценции полуизолирующих специально нелегированных кристаллов арсенида галлия / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 176-189. - Библиогр.: 28 назв. - рус.

В специально нелегированных полуизолирующих кристаллах арсенида галлия с относительно низким содержанием остаточных примесей и дефектов детально изучены зависимости интенсивности и формы экситонных полос люминесценции от температуры и уровня возбуждения. Это позволило уточнить ряд характеристик полос люминесценции, обусловленных аннигиляцией свободных и связанных экситонов. Проведено сравнение полученных данных с известными в литературе.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98

Рубрики:

Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Глинчук К. Д.
Анализ формы полосы люминесценции, обусловленной переходами свободных электронов на атомы углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 95-109. - Библиогр.: 20 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98

Рубрики:
Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Марончук И. Е.
Влияние обработки поверхности пористого кремния на его фотолюминесценцию / И. Е. Марончук, М. Н. Найденков, М. В. Найденкова, А. В. Сариков, Т. Л. Волошина // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 157-159. - Библиогр.: 6 назв. - рус.

Категорія:

Сукач Г. А.
Влияние поверхностной оже-рекомбинации на квантовый выход люминесценции в GaAs / Г. А. Сукач, П. Ф. Олексенко, С. М. Белоусов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 25-37. - Библиогр.: 6 назв. - рус.

Категорія:

Савчин В.
Катодолюмінесцентні дослідження поверхні сколу шаруватого кристала моноселеніду індію в процесі термообробки на повітрі / В. Савчин // Фіз. зб. - Л., 1998. - Т. 3. - С. 113-123. - Бібліогр.: 31 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В374.98 + В368

Рубрики:
Тонкі шари напівпровідників
Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція
Фізика високих та низьких температур

Шифр НБУВ: Ж68777 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Неділько С. Г.
Особливості температурної поведінки виходу люмінесценції домішкових іонів Dysup3+/sup в кристалах вольфрамату кадмію / С. Г. Неділько, М. Діаб, О. В. Чукова // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 11. - С. 1344-1346. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98

Рубрики:
Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Бордун О. М.
Фотолюмінесцентні властивості тонких плівок PbWOsub4/sub / О. М. Бордун, О. Т. Стецьків // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 9. - С. 1049-1052. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98 + В372.6

Рубрики:
Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція
Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Болгов С. С.
Электролюминесценция гетероструктур Cdsubx/subHgsub1-x/subTe/CdTe при комбинированном возбуждении / С. С. Болгов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 167-169. - Библиогр.: 3 назв. - рус.

Категорія:

Авдеенко А.
Влияние механических напряжений и температуры на фотолюминесценцию фуллерита CV60D в низкотемпературной фазе / А. Авдеенко, Н. Горбенко, В. Горобченко, П. Зиновьев, В. Зорянский, А. Пугачев, Н. Силаева, Н. Чуракова // Физика низ. температур. - 2004. - 30, № 3. - С. 312-317. - Библиогр.: 29 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98 + В372.6

Рубрики:
Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція
Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

10.

Каганович Е. Б.
Ефективна та стабільна видима фотолюмінесценція плівок нанокристалічного кремнію, одержаних лазерною абляцією / Е. Б. Каганович, І. М. Кізяк, Е. Г. Манойлов, В. Є. Примаченко, С. В. Свєчніков // Укр. фіз. журн. - 2002. - 47, № 8. - С. 760-762. - Бібліогр.: 5 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98 + В371.236

Рубрики:
Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

11.

Корбутяк Д. В.
Особливості фотолюмінесценції компенсованих монокристалів CdTe:Cl (огляд) / Д. В. Корбутяк, С. Г. Крилюк, Ю. В. Крюченко, Н. Д. Вахняк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 23-40. - Бібліогр.: 51 назв. - укp.

Категорія:

12.

Каганович Э. Б.
Спектры фотолюминесценции пленок нанокристаллического кремния, легированных золотом / Э. Б. Каганович, Э. Г. Манойлов, С. В. Свечников, И. Р. Базылюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 41-46. - Библиогр.: 11 назв. - рус.

Измерены спектры фотолюминесценции с временным разрешением при комнатной температуре пленок нанокристаллического кремния, полученных лазерной абляцией в вакууме и легированных золотом. Показано влияние на трансформацию спектров с увеличением времени релаксации фотолюминесценции размеров кремниевых (Si) нанокристаллов, их дисперсии, а также излучательных переходов, связанных с рекомбинацией носителей заряда, экситонных переходов и степени подавления безызлучательного канала рекомбинации.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В374.98

Рубрики:

Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

13.

Бордун О. М.
Фотолюмінесценція тонких плівок BiV12DGeOV20D / О. М. Бордун, З. В. Стасюк, І. Й. Кухарський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - 5, № 3. - С. 436-439. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.

Ключ. слова: тонкі плівки, силленіт, фотолюмінесценція
Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98

Рубрики:
Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

14.

Кононец Я. Ф.
Электролюминесценция тонкопленочных структур на основе ZnS:Er в ближней инфракрасной области спектра / Я. Ф. Кононец, Л. И. Велигура, Н. А. Власенко, З. Л. Денисова, В. Ф. Зинченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 225-229. - Библиогр.: 11 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В374.98

Рубрики:
Тонкі шари твердих тіл
Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

15.

Filevskaya L. N.
Photoluminescence of tin dioxide thin films, obtained with the use of polymers / L. N. Filevskaya, V. A. Smyntyna, V. S. Grinevich // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб. - 2005. - Вып. 14. - С. 42-44. - Библиогр.: 8 назв. - англ.

Tin dioxide nanostructured thin films properties obtained by the photoluminescent methods are reported. As a result of the researches fulfilled the luminescence in the visible region of 577 nm and 642 nm was established which is not yet reported in the literature. The luminescent mechanism connected with the system of centers typical for nanostructured objects are analyzed. The radiation spectra types changes, caused by the thermal treatment of a nanoscale tin dioxide films were noticed, which may be connected with structural transformations. These transformations seems caused the luminescent mechanism change from the intercenters' type to the recombinational one.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В374.98

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

16.

Mahdjoub A.
Photoluminescence characterization of Al/AlV2DOV3D/InP MIS structures passivated by anodic oxidation = Фотолюмінесцентні характеристики МІН-структур Al/AlV2DOV3D/InP, пасивованих анодним окисненням / A. Mahdjoub, H. Bourdoucen, A. Djelloul // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 7. - С. 701-705. - Библиогр.: 17 назв. - англ.

Категорія:

17.

Зуєв В. О.
Вплив електронного опромінювання на фотолюмінесценцію і край поглинання в CdPVB2D / В. О. Зуєв, Л. М. Гориня, Н. Ю. Лавриненко, В. С. Манжара // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - 7, № 2. - С. 220-224. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98

Рубрики:
Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

18.

Власенко Н. А.
Влияние термополевой ионизации ионов $E bold roman Cr sup + на излучательные характеристики тонкопленочных электролюминесцентных $E bold roman ZnS:Cr sup 2+-структур / Н. А. Власенко, П. Ф. Олексенко, Л. И. Велигура, З. Л. Денисова, М. А. Мухльо // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2007. - Вып. 42. - С. 51-55. - Библиогр.: 12 назв. - рус.

Категорія:

19.

Романюк Б. М.
Фотолюмінесценція нанокластерів у шарах SiOVB2D, імплантованих іонами кремнію та вуглецю / Б. М. Романюк, В. Г. Попов, В. П. Мельник, Д. В. Гамов, В. О. Юхимчук, О. С. Оберемок, А. А. Григор'єв, І. М. Хацевич, Г. В. Калістий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2007. - Вып. 42. - С. 96-102. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.

Категорія:

20.

Тарасенко О. А.
Механізм формування швидкої радіолюмінесценції в органічних напівпровідниках та діелектриках : Автореф. дис.. канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О. А. Тарасенко; НАН України. Ін-т монокристалів. - Х., 1998. - 17 c. - укp. - рус.

Дисертацію присвячено вивченню швидкої радіолюмінесценції органічних конденсованих середовищ. Отримано загальний опис кінетики сенсибілізованої радіолюмінесценції для довільного типу збудження, надано фізичне обгрунтування гаусового характеру опису додаткової затримки моментів висвітлювання фотонів радіолюмінесценції для органічних конденсованих середовищ, розроблено уточнену модель механізму швидкої радіолюмінесценції органічних конденсованих середовищ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98,022 + В379.24,022

Рубрики:

Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА299658 Пошук видання у каталогах НБУВ

...