Розглянуто застосування спеціальних вістер для дослідження поверхні Si(111)7 times 7 і розширення можливостей скануючих тунельних мікроскопії (СТМ) та спектроскопії (СТС). Створено спеціальні вістря, які дають зображення залишкових атомів вищими та зображення адатомів на 0,4 - 1 ангстрем. Вперше спостерігалося зображення атомів на дні кутових ям на СТМ-зображеннях, отриманих за допомогою спеціального вістря.

Ключ. слова: гидроксоапатит кальция, электронная структура, изоморфное замещение, диагностика, направленный синтез
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.15

Рубрики:

Електронна мікроскопія

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.15 + В379.371.5

Рубрики:

Електронна мікроскопія

Діелектрична проникливість

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано алгоритми векторизації кластерів на типових растрових зображеннях електронної мікроскопії. Розраховано числові характеристики векторизованої кластерної системи.

Мікроскопічно досліджено природну оптичну активність (ПОА) молекулярних кристалів, у яких деформацією молекул і їх зсувом із рівноважних положень у регулярних кристалічних гратах можна знехтувати. Розрахунок виконано для екситонної області спектра в межах однорівневої молекулярної моделі. На підставі одержаних результатів проаналізовано ПОА систем із примітивними гратами. Показано, що для розглянутих систем маються дві частотні області, яким відповідають істотно різні залежності обертальної здатності від концентрації вакансій.

Предложена электронно-микроскопическая методика определения среднего состава промежуточных фаз, образующихся между слоями чистых компонентов в многослойных структурах. Экспериментально определены толщины расходованных в химической реакции чистых компонентов и сравнены с расчетными значениями. Установлено, что в процессе изготовления многослойных композиций Sc/Si методом магнетронного распыления на межфазных границах образуется аморфная промежуточная фаза с составом, близким к силициду ScSi. Толщина этой фазы составляет примерно 3,8 нм на обеих межфазных границах раздела Sc-на-Si и Si-на-Sc.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Розроблено основні положення загальної теорії ближньопольової НВЧ діагностики, необхідної для подальшого розвитку НВЧ пристроїв і систем для визначення параметрів матеріалів, середовищ та об'єктів природного та штучного походження. Запропоновано нові аналітико-числові методи та підходи щодо дослідження резонаторних вимірювальних перетворювачів (РВП), які є перспективними для діагностики напівпровідників і діелектриків. Вивчено фізичні особливості метрологічної взаємодії об'єктів з електромагнітним полем у ряді типів конструкцій РВП. Вперше розроблено аналітико-числові методи моделювання РВП з коаксіальною вимірювальною апертурою, що відрізняються ступенем коректності постановки та розв'язку електродинамічних задач. Розроблено та реалізовано аналітико-числовий алгоритм, який базується на поданні поля у різних частинах системи за допомогою функцій Гріна для рівнянь Максвелла та напівобертань інтегрального оператора, що формує характеристичне рівняння РВП. Розвинуто наближення заданого поля у розрізі апертури й алгоритм його використання. Розроблено теорію та фізичне обгрунтування методів підвищення просторової та параметричної роздільної здатності мікрохвильової сканувальної мікроскопії (МСМС) напівпровідників за допомогою коаксіальних мікрозондових РВП шляхом збільшення внеску нормальної електричної складової поля у порівнянні з тангенціальною. Вперше запропоновано ефективний метод підвищення просторової роздільної здатності за рахунок двохетапної комп'ютерної обробки сигналів сканування під час реконструкції неоднорідностей.

Вирішено актуальне наукове завдання, яке полягає в розробці та дослідженні нових ефективних методів і підходів до апаратурного забезпечення телевізійної сканувальної оптичної мікроскопії динамічних мікрооб'єктів на основі використання принципу сканування мікрооб'єктів світловим променем. Розроблено математичні моделі рядкового однотактного, рядкового двотактного та кадрового методів сканування, придатних для визначення параметрів руху динамічних мікрооб'єктів. Проаналізовано відносні похибки визначення швидкості руху мікрооб'єктів цими методами та встановлено їх максимально допустимі значення. Розроблено методи та побудовано алгоритми визначення параметрів динамічних мікрооб'єктів за застосування сканувальних растрів різних розмірів (повноформатний, зменшений, мінірастр і мікрорастр), що дозволяє розширити діапазон визначення параметрів руху мікрооб'єктів за збереження заданої точності вимірювання.

Досліджено структуру, електронні й електролюмінесцентні властивості надтонких органічних плівок методами сканувальної тунельної мікроскопії й атомно-силової мікроскопії. Розглянуто вплив термічного розпаду нанотрубок на їх фотонну й електронну емісію. Показано, що високовпорядковані хемосорбовані моношари насичених кислот можуть бути одержані на реконструйованій поверхні Au(111). Експериментально підтверджено ефект односпрямованої провідності молекул оксифенілнафталіміду й їх ланцюгів. Запропоновано новий спосіб одержання нанозазорів за допомогою зонда атомно-силового мікроскопа.

Экспериментально показано, что можно приготовить образец для ПЭМ толщиной 40 нм и менее путем ионного травления ускоренными ионами ксенона. При этом не наблюдается отжига радиационных повреждений в аморфном кремнии, что свидетельствует о низкой температуре образца во время его обработки. Получены толщины аморфизированного слоя кремния до 1,7 нм, которые измерены прямым методом при помощи ПЭМ.

Методом высокоразрешающей сканирующей туннельной микроскопии исследованы процессы образования гексагонально-пирамидальных структур золота на поверхностях монокристаллов кремния Si(111) и Si(110). Установлено, что в случае Si(111) золото образует самоупорядоченные гексагонально-пирамидальные наноструктуры фрактального характера, которые состоят из атомных плоскостей в один моноатомный слой, смещенных на расстояние 3 нм относительно начала роста предыдущей плоскости, тогда как для плоскости кремния (110) наблюдаются только монослойные гексагональные образования. Изучены процессы формирования гексагонально-пирамидальных структур золота, которые обусловлены возрастанием плотности электронных состояний на краю каждой моноатомной плоскости. Ввиду того, что крайние атомы плоскостей имеют более высокое энергетическое состояние, рост каждой следующей плоскости начинается не с края, а с расстояния ~ 3 нм от края, что обусловлено релаксацией неоднородности электронной плотности состояний на этом расстоянии и определяет пирамидальную форму образований.

The paper gives a brief review of the principal milestones of development of electron microscopy. Main attention is paid to the most advanced achievements in technique of transmission electron microscopy. Described are the state-of-the-art microscopes with 5th order aberration correction giving images with sub-angstrom spatial resolution.

Рассмотрены структурные особенности нанокристаллической HFCVD алмазной пленки и построена физико-математическая модель атомной структуры ее поверхности. Пленка исследована на воздухе на сканирующем туннельном микроскопе, оснащенном острием из полупроводникового монокристалла алмаза, легированного бором. Фрактальный анализ СТМ-изображений поверхности пленки показал наличие монокристаллов алмаза различной ориентации со средним размером 31 нм с фрактальной размерностью 2,36 и 2,73.

Викладено фізичні принципи роботи електронних та зондових мікроскопів. Розглянуто будову і режими роботи просвічувального та сканувального електронних мікроскопів, а також тунельного та атомносилового мікроскопа. Приділено увагу розгляду процесів, які лежать в основі аналітичної електронної мікроскопії. Показано можливості цих методів аналізу з погляду розділення. Розкрито основні поняття оптичної та електронної мікроскопії. Розглянуто взаємодію електронного пучка з речовиною, дифракцію електронів. Наведено особливості проведення аналізу за допомогою електронного мікроскопа.

Наведено результати дослідження за допомогою методів растрової електронної та атомно-силової (АСМ) мікроскопій закономірностей процесів деструкції, дефектоутворення та радіолізу поверхні плівок СsI у процесі опромінення електронами середніх енергій у широкому діапазоні потужностей і доз опромінення. Оцінено потужності та дози опромінення, за яких відбувається поява фазових наноутворень і нано- та мікропор на поверхні CsI, що одержано вперше за допомогою методу АСМ на нанорівні. Встановлено дози електронного опромінення, за яких має місце радіоліз поверхні плівок CsI з "виділенням" нано- та мікрофаз і формування наноутворень на них.

Розвинуто мікроскопічний підхід, що дозволяє отримати точний розв'язок самоузгодженого рівняння для типу Ліппмана-Швінгера. Головна ідея підходу полягає в точному підсумовуванні нескінченного ряду ітераційної процедури для самоузгодженого інтегрального рівняння за допомогою діаграмної техніки. Запропонований метод дозволяє обчислювати картину розподілу ближнього поля для скануючої мікроскопії ближнього поля. А саме, цей метод може бути корисним при обчислюванні ближнього поля системи, що складається з об'єкту та малого зонду. Тоді зонд можна вважати квазі нуль-вимірним об'єктом. Таке припущення дозволяє брати до уваги процеси багаторазового розсіювання тільки всередині об'єкту та при взаємодії між об'єктом та зондом. Точний розв'язок для самоузгодженої системи рівнянь отримано в термінах ефективної сприйнятливості системи. Обговорюється застосування методу для розгляду програми визначення орієнтації великих молекулярних комплексів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.15 + В379.273

Рубрики:

Електронна мікроскопія

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ