Викладено основні розділи традиційного навчального курсу "Електротехніка та основи електроніки": електричні кола постійного та змінного струму; перехідні процеси у електричних колах; магнітні кола с постійною та змінною магнітодіючою силою; електричні машини (асинхронні, синхронні та постійного струму), трансформатори; електричні вимірювання та пристрої; основи електроніки. Подано основні електротехнічні поняття і визначення, обгрунтовано закони електричних кіл та сформульовано практичні завдання, які виникають в процесі розрахунку та дослідження реальних електричних кіл та електротехнічних пристроїв.

Викладено основи розробки та застосування методів автоматизованого наскрізного моделювання на всіх ланках сучасного електронного виробництва, від постановки задачі на моделювання до перевірки якості готового приладу. Висвітлено необхідність і можливість розробки усіх моделей з єдиних системних позицій з використанням досягнень нових інформаційних технологій.

Подано основні відомості з фізики напівпровідників; описано і проілюстровано на схемах основні фізичні процеси, які відбуваються у p - n-переходах напівпровідникових структур, що зумовлені зовнішніми факторами. Розглянуто пробій p - n-переходу, у т.ч. лавинний, тунельний, тепловий, поверхневий і вторинний, а також генерацію і рекомбінацію носіїв в області об'ємного заряду.

Викладено принципи побудови та характеристики сучасних пристроїв електроніки. Проаналізовано особливості розрахунку основних елементів аналогової та цифрової схемотехніки для систем енергетики та автоматизованих систем керування технологічними процесами. Охарактеризовано параметричні та компенсаційні стабілізатори напруги та струму.

Изложены принципы построения и характеристики современных устройств электроники. Проанализированы особенности расчета основных элементов аналоговой и цифровой схемотехники для систем энергетики и автоматизированных систем управления технологическими процессами. Охарактеризованы параметрические и компенсационные стабилизаторы напряжения и тока.

Описано метод еліпсометрії для дослідження та контролю технічних процесів напівпровідникового виробництва різних структур. Наведено результати еліпсометричних розрахунків для найбільш розповсюджених матеріалів і тонкоплівкових структур, які використовуються в електроніці.

Описан метод эллипсометрии для исследования и контроля технических процессов полупроводникового производства различных структур. Приведены результаты эллипсометрических расчетов для наиболее распространенных материалов и тонкопленочных структур, применяющихся в электронике.

Розглянуто методи розрахунку електричних кіл постійного, синусоїдного, одно- та трифазного струму, а також особливості розрахунку перехідних процесів класичним і операторним методами в електричних колах з одним нагромаджувачем енергії. Визначено основні параметри та охарактеризовано напівпровідникові прилади та аналогові напівпровідникові пристрої.

Рассмотрены методы расчета электрических окружностей постоянного, синосоидного, однофазного и трехфазного тока, а также особенности расчета переходных процессов классическим и операторным методами в электрических окружностях с одним накопителем энергии. Определены основные параметры и охарактеризованы полупроводниковые приборы и аналоговые полупроводниковые устройства.

Викладено зміст лабораторних робіт з навчальної дисципліни "Основи схемотехніки" і розроблено вказівки щодо їх виконання в лабораторії аналогових електронних пристроїв. До кожної теми наведено короткі теоретичні відомості, опис лабораторного макету та методичні вказівки щодо здійснення відповідних розрахунків. Розроблено програми проведення експериментальних досліджень підсилювальних каскадів на уніполярних та біполярних транзисторах, властивостей різних видів від'ємного зворотного зв'язку, диференціального каскаду з генератором стабільного струму, методів корекції частотних і перехідних характеристик, логарифмувальних та антилогарифмувальних підсилювачів і аналогових перемножувачів сигналів, активних частотних фільтрів і фазообретача на основі операційних підсилювачів, а також параметрів діапазонних резонансних підсилювачів. Встановлено загальні вимоги щодо оформлення та захисту звіту про виконану лабораторну роботу.

Приведено содержание лабораторных работ по учебной дисциплине "Основы схемотехники" и разработаны указания к их исполнению в лаборатории аналоговых электронных устройств. К каждой теме приведены краткие теоретические сведения, описание лабораторного макета и методические указания по осуществлению соответствующих расчетов. Разработаны программы проведения экспериментальных исследований усилительных каскадов на униполярных и биполярных транзисторах, свойств различных видов отрицательной обратной связи, дифференциального каскада с генератором стабильного тока, методов коррекции частотных и переходных характеристик, логарифмирующих и антилогарифмирующих усилителей и аналоговых умножителей сигналов, активных частотных фильтров и фазовращателя на основе операционных усилителей, а также параметров диапазонных резонансных усилителей. Установлены общие требования к оформлению и защите отчета о выполненной лабораторной работе.

Рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и базовых логических цифровых интегральных схемах, конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологию монолитных, гибридных интегральных схем и поверхностного монтажа. Освещены основные области применения активных приборов и интегральных схем.

Наведено основні рівняння для аналізу динамічних властивостей електронів у твердих тілах, зокрема, кінетичне рівняння Больцмана у наближенні часу релакції та релакційні рівняння збереження. На підставі аналізу основних механізмів розсіювання знайдено аналітичні вирази для часів релакції імпульсу, енергії та концентрації, зокрема, для багатодолинних напівпровідників. Розглянуто властивості електронів у сильному електричному полі.

Приведены основные уравнения для анализа динамических свойств электронов в твердых телах, в частности, кинетическое уравнение Больцмана при приближении времени релакции и релакционные уравнения сохранения. На основании анализа основных механизмов рассеивания найдены аналитические выражения для времен релакции импульса, энергии и концентрации, в частности, для многодолинных полупроводников. Рассмотрены свойства электронов в сильном электрическом поле.

Розглянуто електронні процеси, які описуються класичною теорією, а також принципи квантової та зонної теорії твердого тіла. Викладено основні явища та ефекти в матеріалах електронної техніки. Описано оптичні явища в твердих тілах для створення фоточутливих та генерувальних оптичних елементів, акустичні та магнітні ефекти в твердих тілах, елементи електроніки на базі розглянутих електрофізичних ефектів і явищ. Висвітлено елементи теорії квантової електроніки, електрооптичні ефекти в рідких кристалах та волоконних світловодах для побудови пристроїв оптоелектроніки.

Рассмотрены электронные процессы, которые описываются классической теорией, а также принципы квантовой и зонной теории твердого тела. Изложены основные явления и эффекты в материалах электронной техники. Описаны оптические явления в твердых телах для создания фоточувствительных и генерирующих оптических элементов, акустические и магнитные эффекты в твердых телах, элементы электроники на основе рассмотренных электрофизических эффектов и явлений. Освещены элементы теории квантовой электроники, электрооптические эффекты в жидких кристаллах и волокнистых световодах для построения приборов оптоэлектроники.

Викладено фізичні засади процесів керування електронними потоками та фокусування їх у вузькі електронні пучки (промені) за допомогою електричних і магнітних полів. Розкрито зміст основних понять та законів електронної оптики, наведено методи визначення показника заломлення. Здійснено порівняльний аналіз електронної та світлової оптики, наведено характеристику ізотропних та анізотропних електронно-оптичних середовищ. Розглянуто аксіально-симетричні електричні та магнітні поля та параксіальні області електронів. Охарактеризовано загальні властивості електронних лінз, розглянуто їх основні типи. Представлено формули для визначення оптичної сили електростатичних і магнітних лінз.

Изложены физические основы процессов управления электронными потоками и фокусирования их в узкие электронные пучки (лучи) с помощью электрических и магнитных полей. Раскрыто содержание основных понятий и законов электронной оптики, приведены методы определения показателя преломления. Осуществлен сравнительный анализ электронной и световой оптики, приведена характеристика изотропных и анизотропных электронно-оптических сред. Рассмотрены аксиально-симметрические электрические и магнитные поля и параксиальные области электронов. Охарактеризованы общие свойства электронных линз, рассмотрены их основные типы. Представлены формулы для определения оптической силы электростатических и магнитных линз.

Викладено основні відомості про сучасний стан виробництва електронних апаратів, конструктивні особливості вузлів і загальні питання автоматизації виробництва. Розглянуто деякі аспекти застосування ЕОМ у наукових та інженерних системах. Висвітлено основні проблеми виробництва друкованих плат на базі промислових методів їх виготовлення, технології електромонтажних робіт.

Изложены основные сведения о современном состоянии производства электронных аппаратов, конструктивных особенностях узлов и общих вопросах автоматизации производства. Рассмотрены некоторые аспекты применения ЭВМ в научных и инженерных системах. Освещены основные проблемы производства печатных плат на основе промышленных методов их изготовления, технологии электромонтажных работ.

Розглянуто питання напівпровідникової техніки. Наведено відомості про засоби і методи електричних вимірювань електричних величин у будівництві. Висвітлено теорію вимірювань та аналізу похибок. Розглянуто принципи дії та основні властивості вимірювальних пристроїв, а також схеми вимірювання електричних величин. Запропоновано класифікацію засобів вимірювання.

Рассмотрены вопросы полупроводниковой техники. Приведены сведения о средствах и методах электрических измерений электрических величин в строительстве. Освещена теория измерения и анализа погрешностей. Рассмотрены принципы действия и основные свойства измерительных устройств, а также схемы измерения электрических величин. Предложена классификация средств измерения.

Розкрито зміст понять постійного та змінного струмів. Розглянуто основні співвідношення послідовного та паралельного з'єднань реактивностей. Висвітлено питання електричних вимірювань та їх похибок, охарактеризовано нелінійні елементи. Описано методи розрахунку складних електричних ланцюгів постійного струму, зокрема, контурних струмів, вузлової напруги, а також метод Кірхгофа.

Раскрыто содержание понятий постоянного и переменного тока. Рассмотрены основные соотношения последовательного и параллельного соединений реактивностей. Освещены вопросы електрических измерений и их погрешностей, охарактеризованы нелинейные элементы. Описаны методы расчета сложных электрических звеньев постоянного тока, в частности, контурных токов, узлового напражения, а также метод Кирхгофа.

Наведено матеріали щодо проектування та використання оптоелектронних сенсорів у різноманітних галузях. Надано класифікацію та висвітлено основні принципи застосування оптоелектронних сенсорів. Розглянуто оптичні явища, що відбуваються у твердих тілах та принципи відбиття світла від поверхні.

Приведены материалы по проектированию и использованию оптоэлектронных сенсоров в разнообразных отраслях. Дано классификация и освещены основные принципы применения оптоэлектронных сенсоров. Рассмотрены оптические явления, которые происходят в твердых телах и принципы отображения света от поверхности.

Розглянуто питання вивчення конструкції, створення та розвитку елементної бази електроніки, що використовується в технологічному обладнанні машинобудівних галузей промисловості. Наведено основні параметри та характеристики схем електронних приладів на підставі напівпровідникових структур. Запропоновано класифікації генераторів гармонічних коливань та підсилювачів.

Рассмотрены вопросы изучения конструкции, создания и развития элементной базы электронники, использующейся в технологическом оборудовании машиностроительных отраслей промышленности. Приведены основные параметры и характеристики схем электронных приборов на основе полупроводниковых структур. Предложены классификации генераторов гармонических колебаний и усилителей.

Розглянуто електричні кола постійного струму, одно- та трифазного змінного струму, магнітні кола, а також закони електромеханіки. Описано основні типи електричних машин, зокрема, трансформатори, асинхронні та синхронні машини змінного струму та машини постійного струму. Наведено основні відомості з теорії електроприводу, а також вимоги та заходи для запобігання ураження людини електричним струмом. Висвітлено теоретичні основи електроніки, цифрової та мікропроцесорної техніки, а також особливості побудови та принцип дії основних елементів електронної апаратури.

Рассмотрены вопросы электрических кругов постоянного тока, однофазного и трехфазного переменного тока, магнитных кругов, а также законы электромеханики. Описаны основные типы электрических машин, в частности, трансформаторы, асинхронные и синхронные машины переменного тока и машины постоянного тока. Приведены основные сведения по теории электропривода, а также требования и меры для предупреждения поражения человека электрическим током. Раскрыты основы электроники, цифровой и микропроцессорной техники. Освещены особенности построения и принцип действия основных элементов электронной аппаратуры.

Викладено фізичні та схемотехнічні засади побудови сучасних мікроелектронних функціональних вузлів, а також фізичні засади, принцип дії та характеристики напівпровідникових дискретних приладів і інтегральних мікросхем. Розглянуто питання схемотехніки аналогових блоків і джерел їх живлення, описано види міжкаскадних і зворотних зв'язків. Розкрито засади цифрової електроніки. Проведено аналіз схем логічних елементів в інтегральному виконанні, наведено методи побудови цифрових функціональних вузлів на їх основі. Висвітлено особливості схемотехніки цифрових запам'ятовувальних і функціональних модулів.

Изложены физические и схемотехнические основы построения современных микроэлектронных функциональных узлов, а также физические основы, принцип действия и характеристики полупроводниковых дискретных приборов и интегральных микросхем. Рассмотрены вопросы схемотехники аналоговых блоков и источников их питания, описаны виды межкаскадных и обратных узлов на их основе. Раскрыты основы цифровой электроники. Проведен анализ схем логических элементов в интегральном исполнении, приведены методы построения цифровых функциональных узлов на их основе. Освещены особенности схемотехники цифровых запоминающих и функциональных модулей.

Розглянуто призначення, будову, функції, технічні характеристики, параметри, властивості, умовні зображення та класифікації твердотілих, вакуумних, газонаповнених дискретних елементів - комутаційних пристроїв, резисторів, конденсаторів, трансформаторів, вакуумних електронних ламп, фотоелектронних вакуумних приладів, напівпровідникових діодів та тиристорів, газорозрядних і негазорозрядних приладів. Показано особливості проектування, розроблено методи конструювання та розрахунку спеціалізованої елементної бази сучасних електронних апаратів, розглянуто приклади застосування запропонованих методик. Наведено опис напівпровідникових, гібридних та оптоелектронних інтегрованих мікросхем та конструкцій акустоелектронних, оптоелектронних, магнітоелектронних, термоелектричних, кріотронних, хемотронних, біоелектронних і молекулярних функційних пристроїв, а також функційних пристроїв із зарядовим зв'язком та на основі ефекту Ганна, визначено їх властивості, особливості будови, функціонування та застосування.

Рассмотрены назначение, строение, функции, технические характеристики, параметры, свойства, условные изображения и классификации твердотелых, вакуумных, газонаполненных дискретных элементов - коммутационных устройств, резисторов, конденсаторов, трансформаторов, вакуумных электронных ламп, фотоэлектронных вакуумных устройств, полупроводниковых диодов и тиристоров, газоразрядных и негазоразрядных устройств. Показаны особенности проектирования, разработаны методы конструирования и расчета специализированной элементной базы современных электронных аппаратов, рассмотрены примеры применения предложенных методик. Приведено описание полупроводниковых, гибридных и оптоэлектронных интегрированных микросхем и конструкций акустоэлектронных, оптоэлектронных, магнитоэлектронных, термоэлектрических, криотронных, хемотронных, биоэлектронных и молекулярных функциональных устройств, а также функциональных устройств с зарядовой связью и на основе эффекта Ганна, показаны их свойства, особенности строения, функционирования и применения.

Викладено фізичні засади оптоелектроніки. Розглянуто хвильову теорію випромінювання як апарат аналізу оптичного тракту оптоелектронної системи. Проаналізовано квантові явища в процесі генерації та прийому оптичного випромінювання. Розкрито метрологічні аспекти оптоелектроніки, охарактеризовано її елементну базу, зокрема, випромінювачі, інжекційний лазер, світлодіоди, фотоприймачі, оптоелектронні прилади (оптопари, датчики). Описано оптоелектронні засоби відображення інформації.

Изложены физические основы оптоэлектроники. Рассмотрена волновая теория излучения как аппарат анализа оптического тракта оптоэлектронной системы. Проанализированы квантовые явления при генерации и приеме оптического излучения. Раскрыты метрологические аспекты оптоэлектроники, охарактеризована ее элементная база, в частности, излучатели, инжекционный лазер, светодиоды, фотоприемники, оптоэлектронные приборы (оптопары, датчики). Описаны оптоэлектронные средства отображения информации.