Описано чотирипідграткову модель для сегнетової солі з урахуванням п'єзоелектричних взаємодій зі зсувними деформаціями. Визначено спонтанну поляризацію, компоненти тензора статичної діелектричної проникності механічно затиснутого та вільного кристалів, їх п'єзоелектричні характеристики та пружні сталі в наближенні молекулярного поля. Проаналізовано вплив поперечних полів на температури фазових переходів, діелектричні та пружні властивості сегнетової солі.

Описана четырехподрешетчатая модель для сегнетовой соли с учётом пьезоэлектрических взаимодействий со сдвижными деформациями. Определены спонтанная поляризация, компоненты тензора статической диэлектрической проницаемости механически зажатого и свободного кристаллов, их пьезоэлектрические характеристики и упругие стали в приближении молекулярного поля. Проанализировано влияние поперечных полей на температуру фазовых переходов, диэлектрические и упругие свойства сегнетовой соли.

Розглянуто питання формування та електричної релаксації поляризованого стану в активних органічних діелектриках полівінілденфториду, його сополімерах з три- та тетрафторетиленом, а також у сополімері вінілденціаніду з вінілацетатом за термостимульованих та ізотермічних умов і роль у цих процесах об'ємного заряду. Встановлено, що поляризація у середніх полях неоднорідна вздовж товщини зразка внаслідок інжекції зарядів та розділення власних носіїв заряду. У сильних полях кристалізація однорідна вздовж товщини плівки. Визначено, що поляризація та об'ємний заряд, який виникає внаслідок інжекції або розділення зарядів, утворюють самоузгоджену систему. Захоплений на границях поляризованих областей заряд компенсує деполяризуюче поле і стабілізує залишкову поляризацію. Запропоновано модель формування поляризації у сегнетоелектричних полімерах з урахуванням глибокого захоплення зарядів.

Висвітлено розвиток мікроскопічної самоузгодженої теорії електрон-деформаційних ефектів у кристалах зі структурними неоднорідностями (точкові, лінійні, плоскі дефекти, стінка дислокацій) та в напружених гетеросистемах. На основі даної теорії розкрито механізм виникнення електрон-деформаційного диполя на напруженій гетеромережі, вздовж осі дислокації та дислокацій, що утворюють дислокаційну сітку. Наведено теоретичний опис з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розсіяння Х-променів у напружених надгратках, зміни деформаційного стану гетеросистем з неузгодженими параметрами граток, дефектного кристала й енергетичного положення локалізованих станів електрона, зумовлених дислокацією під впливом зовнішніх полів (електричного або магнітного) та зміни ступеня заповнення електронної зони. Доведено, що електрон-деформаційна взаємодія призводить до звуження області локалізації імплантованої домішки та пониження розмірності електронної підсистеми у структурах з неоднорідно напруженим шаром. Досліджено вплив поверхнево-деформаційних ефектів напівпровідника на властивості контакту поверхнево-бар'єрних структур виду Шотткі.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Запропоновано теоретичну модель фототермоакустичного ефекту у шаруватій структурі: тверде тіло - п'єзоелектрик для найбільш загального випадку - без обмежень на оптичні та теплові властивості твердого тіла. Проаналізовано фототермоакустичний (ФТА) ефект для випадків твердих тіл з суттєво різними тепловими й оптичними властивостями. З метою уникнення впливу фотоопромінювання напівпровідника у разі фототермоакустичних досліджень на термопружні параметри зразка запропоновано у відповідній шаруватій структурі збуджувати фототермоакустичні коливання опроміненням п'єзоелектрика. Показано, що у вільній п'єзоелектричній пластині ФТА ефект визначається тільки первинним піроелектричним ефектом. На базі запропонованої моделі ФТА ефекту у шаруватій структурі тверде тіло - п'єзоелектрик створено методи визначення деяких пружних, теплових і електричних параметрів твердих тіл.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371,022 + В381.105.1,022

Рубрики:

Електричні властивості діелектриків

Електронні і позитронні пучки < Пучки частинок від прискорювачів >

Шифр НБУВ: РА386505 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Дисертація присвячена експериментальному дослідженню електронних процесів переносу заряду в наноструктурованому діелектрику, що містить нановключення кремнію. Розроблено та виготовлено унікальну установку для вимірів вольт-фарадних характеристик та використано ряд оригінальних методів вимірів та обробки результатів. Вперше продемонстровано можливість уніполярного програмування приладів нанокристалічної пам’яті, яке пов’язане виключно з малими розмірами нанокристалітів і локальним підсиленням електричного поля у нанокристаліті. Запропоновано 3-стадійну модель стікання заряду, яка базується на існуванні в діелектрику зарядів обох знаків і присутності взаємозалежних процесів. Встановлено, що двошаровий нанокристалічний плаваючий затвор ефективно забезпечує блокування накопиченого заряду від стікання. Визначено енергетичні характеристики структур нанокристалічної пам’яті з одним і двома шарами нанокристалів та побудовано енергетичні зонні діаграми. Встановлено механізми електронного транспорту залежно від напруженості електричного поля та температури в структурах, що містять нанокристали кремнію і нанокристали кремнію та заліза при постійному та змінному струмах. Визначено енергетичне залягання пасток та їх концентрацію. Вперше показано, що імпеданс структур з плівкою SiOx(Si,Fe) має індуктивний характер до частоти  1 МГц.