Наведено результати обчислень потенціальної енергії взаємодії заряду з межами поділу в полі сил зображень для багатошарових сферичних структур. Доведено, що діелектрична проникність під час переходу через границі стрибкоподібно змінюється від одного значення до іншого. Показано, що врахування даного потенціалу суттєво змінює спектр зв'язаних станів "частинка - поверхня". Запропоновано модель перехідного шару, в якому діелектрична проникність є плавною функцією координати. У рамках даної моделі обчислено потенціальну енергію взаємодії зарядженої частинки з межами поділу для багатошарових сферичних, циліндричних і плоских структур. Для конкретних гетеросистем обчислено енергетичні спектри електрона та екситону за умов врахування перехідних шарів та без них.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено механізми перенесення заряду під час переходу метал-неметал в іонно-електронних розплавах з домішками перехідних металів. У даних розчинах механізм розсіювання електронів змінюється від слабкого до сильного. В широкому інтервалі температур і тисків проведено експериментальні дослідження електропровідності і термоелектрорушійної сили. Запропоновано фізичні моделі, які дозволяють пояснити електронну структуру, електрофізичні та структурно-чутливі властивості під час переходу метал - неметал в іонно-електронних розплавах, а також механізми розсіювання електронів в системах з різним типом взаємодії. Вивчено та рекомендовано до використання як припоїв сплави на основі олова, які, на відміну від сплавів на основі свинцю, є екологічно безпечними.

Теоретичний аналіз впливу валентної зони нанорозмірного діелектричного шару на тунельний струм в контактах напівметал ізолятор - метал показав, що їх вольт-амперні характеристики можуть мати ділянки негативного диференціального опору в залежності від положення рівня Фермі. Даний результат дозволяє вперше пояснити аномальну поведінку тунельних кривих, яка неодноразово спостерігалася експериментально, але досі ще не знайшла свого остаточного теоретичного обгрунтування. Вперше теоретично досліджено вплив верхнього краю валентної зони ізолятора на ефект спінової фільтрації в тунельних структурах із двома нанорозмірними шарами магнітною діелектрика. Розрахунки залежності магнітоопору таких систем від поданої напруги зсуву показали, що за невеликої напруги його величина стає нескінченно малою тоді, коли хімічний потенціал знаходиться поблизу середини забороненої зони ізолятора. Дана обставина, яка не була врахована раніше, пояснює гігантську розбіжність між теоретичними оцінками магнітоопору подвійних тунельних спінових фільтрів і відповідними експериментальними даними. В межах теоретичного підходу, який базується на теорії розсіювання носіїв струму в багатошарових структурах, виконано комп'ютерні симуляції зарядового транспорту в дуже асиметричних джозефеонівських контактах з двома потенціальними бар'єрами та вільним від дефектів нормальним прошарком між ними. Встановлено, що в даному випадку ділянки негативного диференціального опору на вольт-амперних характеристиках контактів з перехідними металами та сплавами виникають внаслідок утворення зв'язаного квантово-механічного стану в нормальній області. Відповідні експериментальні криві, одержані для переходів Джозефсона з нітридом ніобію, підтверджують теоретичні висновки.

Досліджено деградацію контактно-металізаційної системи на початкових стадіях формування бар'єра Шотткі. Обгрунтовано можливості надійного прогнозування зміни електронних параметрів потенціального бар'єра для межі сформованого поділу. Із використанням резерфордівського зворотного розсіювання, електронної мікроскопії та ренгтеноструктурного аналізу вперше визначено ряд важливих закономірностей досліджуваних систем на поверхні арсеніду галію. Описано схеми устаткування та режими експлуатації установки спектроскопії зоворотнього резерфордівського розсіяння. Досліджено окремі системи металізації, які відрізняються типом антидифузійних шарів - чистих металів, силіцидів і боридів зі збереженням ідентичних технологічних умов формування контакту в цілому. Проаналізовано експериментальні дані у межах моделей деградації, використаних у науковому дослідженні. Обгрунтовано шляхи оптимізації застосування полікристалічних шарів як стабілізувальних факторів контактно-металізаційної системи.

Встановлено зростання контактної різниці потенціалів у процесі механічного стискання гетероконтактів GaSe/InSe, що знайшло пояснення під час врахування діелектричного прошарку на межі поділу. Побудовано модель дії одновмісного тиску на границю розділу. Виявлено відмінності форм фотовідгуків гетероконтактів під час дії різних значень одновісного тиску й енергії квантів світла. Вперше виявлено випрямляний ефект гетероструктури n-InSe-мумійо, одержаним шляхом нанесення спиртового розчину молекулярно-дисперсійної речовини мумійо на чисту поверхню пластин напівпровідника InSe.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022 + В379.271.4,022

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: РА367050 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022 + Л428.7-106

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Напівпровідникова і магнітна кераміка (магнетокераміка). Оксидна кераміка (кераміка чистих окислів)

Шифр НБУВ: РА386501 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено механізми струмопереносу в омічних контактах Au - Ti - Pd{\dn\fs8 2}Si - \i n\i0-Si з великою густиною структурних дефектів на межі контактоутворення. Вивчено зростаючу температурну залежність питомого контактного опору з підвищенням температури вимірювання, а також омічних контактів Au - Ti - Pd{\dn\fs8 2}Si - {\i n\i0\up\fs8 +} -\i n\i0-Si. Така залежність пояснюється механізмом протікання струму через металеві шунти, суміщені з дислокаціями, який починає працювати за густини дислокацій > 10{\up\fs8 7} см{\up\fs8 -2}, або механізмом формування омічного контакту до кремнію, зумовленим наявністю на межі поділу \i {n\up\fs8 +} -n\i0-Si збагачуючого вигину зон. В процесі дослідження використано різні способи створення й обробки омічних контактів до \i n\i0-Si. Визначено технологічні фактори, які зумовлюють формування високої густини дислокацій у приконтактній області \i n\i0-Si, що приводить до виникнення металевої провідності в омічному контакті.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: РА425929 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: ДС53543 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022 + З843.312

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: ДС50434 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: ДС53543 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022 + В371.212,022

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Напівпровідникові наноструктури

Шифр НБУВ: РА441095 Пошук видання у каталогах НБУВ