Скачати повний текст

На підставі проведених комплексних експериментальних досліджень і теоретичних розрахунків виконано розділення внеску окремих механізмів розсіювання носіїв струму в кінетичні явища тонких плівок халькогенідів свинцю різної структурної досконалості. Установлено закономірності у спрямованих неоднорідностях профілів електричних параметрів у свіжовирощених та відданих відпалу у вакуумі й атмосфері кисню плівок халькогенідів свинцю. У межах двошарової моделі Петріца визначено кінетичні параметри приповерхневих шарів. На основі електротехнічної моделі провідності полікристалічних плівок установлено закономірності у змінах лінійних розмірів кристалітів від часу у плівках PbTe і механізми перенесення струму міжзеренними межами, зумовлені термоелектронною емісією. Визначено вплив дифузного та дзеркального механізмів розсіювання на міжфазних межах, а також розсіювання носіїв заряду на межах зерен і дислокаціях невідповідностей. Розраховано поверхневу густину та радіус дислокацій.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Висвітлено проблему дослідження магнітної та кристалічної мікроструктури приповерхневих шарів епітаксійних плівок з залізо-ітрієвого гранату. Розроблено методику числового аналізу експериментальних КЕМ спектрів гранатових структур з великою кількістю близьких нееквівалентних положень з використанням інформації про їх мікрокристалічну будову, яка забезпечила повноту та достовірність отриманих результатів. Методика базується на квазінеперервному описі експериментальної конверсійної електронної спектроскопії. Вивчено вплив особливостей процесу рідкофазної епітаксії на властивості поверхневого шару плівка-повітря. Досліджено спотворення концентраційних профілів розподілу елементів за вторинною іонною мас-спектрометрією пошарового аналізу, зумовлене виходом розпилених іонів матриці з різних глибин, селективним іонним перемішуванням компонент мішені та ефектом кратеру.

Розроблено модель магнітної кристалографічної анізотропії епітаксіальних феритових плівок і методи аналізу характеристик електромагнітно-спінових хвиль у шаруватих структурах з такими плівками. Проведено послідовний аналіз анізотропії епітаксіальних плівок, що включає розв'язання статичної задачі та отримання тензора динамічної магнітної проникності. З'ясовано межі справедливості відомої раніше моделі анізотропії. Запропоновано методи розв'язання спектральної задачі для магнітостатичних хвиль у неоднорідному феритовому шарі. Апорбовано метод зшивання імпедансів на випадок феритових шарів з градієнтною неоднорідністю, побудовано ефективний алгоритм для обчислення дисперсії та розподілу потоків енергії електромагнітно-спінових хвиль, які поширюються перпендикулярно підмагнічувальному полю в дотично намагнічених структурах з довільною кількістю шарів. Виявлено ряд особливостей дисперсії, згасання та розподілу потоків енергії поверхневих хвиль у неоднорідних феритових структурах. Теоретично обгрунтовано методику визначення магнітних параметрів феритових плівок за спектрами магнітостатичних хвиль. Наведено ефективні алгоритми обробки спектрів і рекомендації щодо зменшення впливу похибок на результати.

Розроблено фізичні засоби функціонування перетворювачів магнітного поля на основі епітаксійних плівок ферогранатів (ЕПФГ) з напрямком спонтанної намагніченості, близьким до площини плівки, та способи одержання таких плівок з наперед заданими властивостями, оптимізованими за характеристиками перетворення. Досліджено магнітну анізотропію, доменну структуру та процеси перемагнічування в ЕПФГ із змішаною кубічною та одновісною магнітною анізотропією. Побудовано математичні моделі первинних перетворювачів (системи магнітооптичної візуалізації, індукційного та магнітооптичного первинних перетворювачів магнітного поля). Наведено вимоги до їх активних середовищ. Висвітлено технологічні способи одержання необхідних ЕПФГ методом рідинно-фазної епітаксії. Здійснено комплексні дослідження магнітних, магнітоанізотропних і магнітооптичних властивостей одержаних ЕПФГ.

Одержано зонно-енергетичну діаграму бромиду індію та ефективні маси вільних носіїв заряду. Встановлено генезис валентних зон та нижніх зон провідності InBr. Розраховано розподіл густини станів, виміряно фотоелектронний спектр у широкому енергетичному діапазоні, проаналізовано структуру, досліджено генетичне та просторове походження основних смуг та вплив особливостей Ван Хова на формування функції густини станів. Проведено розрахунок повної енергії, визначено рівноважні параметри основного стану кристала та атомні характеристики InBr. Проаналізовано природу виміряних у широкій енергетичній області (до 30 еВ) поляризованих спектрів відбивання за температури рідкого гелію з використанням обчислених за співвідношенням Крамерса - Кроніга оптичних функцій монокристалів InBr. Розраховано міжзонні матричні елементи дипольного моменту та спектри уявної частини діелектричної проникності для різних поляризацій світла. Проведено ідентифікацію головних особливостей оптичних спектрів броміду індію.

Проведено експериментальне вивчення процесів взаємодії електронів середніх енергій (100 - 1 000 еВ) у поверхневій області плівкових мішеней Al, In та Ge методом спектроскопії характеристичних втрат енергії електронів (ХВЕЕ), що відбиваються від твердого тіла. Запропоновано новий підхід щодо кількісних досліджень спектрів ХВЕЕ, у межах якого розроблено дві методики визначення компонентів спектрів, що базуються на моделях взаємодії електронів у твердому тілі. На підставі вивчення форм компонетів спектрів ХВЕЕ плівок Al, In та Ge, виміряних за різних кутів падіння, виходу та розсіяння електронів у діапазоні енергій первинних електронів 300 - 800 еВ виявлено додатний характер дисперсії поверхневого плазмону для In та від'ємний для Al та Ge. Встановлено пік мультипольного поверхневого плазмону в компонентах спектрів ХВЕЕ Al та Ge. За різних значень енергії первинних електронів визначено кутові залежності інтенсивностей піків одно- та двократних втрат енергій, нормованих на інтенсивність піка пружно відбитих електронів. Встановлено, що для спектрів ХВЕЕ In та Ge нормовані інтенсивності піків, пов'язаних зі збудженням об'ємного плазмону, складним немонотонним чином суттєво залежать від кута розсіяння електронів. Зазначено імовірний вплив величини кута розсіяння електронів на зміну характеру залежностей нормованої інтенсивності піка об'ємного плазмону від енергії первинних електронів. Доведено, що нормована інтенсивність піка мультипольного поверхневого плазмону, оцінку якої вдалося виконати для спектрів ХВЕЕ Al майже не залежить від кутів падіння та виходу електронів і зменшується у випадку збільшення енергії первинних електронів.

Експериментально та теоретично встановлено, що в епітаксіальних плівках ферит-гранатів з перпендикулярною анізотропією та підвищеною коерцитивністю існує температурний гістерезис доменної структури. Показано, що у певному співвідношенні констант одноосьової та ромбічної анізотропій в епітаксіальних плівках ферит-гранатів з кристалографічною орієнтацією поверхні може існувати анізотропія типу "похила легка площина".

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В379.273,022

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА307847 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.226,022

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: РА333740 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Встановлено зв'язок наноморфології поверхні полікристалічних плівок, що є компонентами напівпровідникових приладних структур, з їх внутрішньою кристалічною структурою, рівнем механічних напруг у системах як цілому та процесами на межі поділу фаз, спричиненими високотемпературними відпалами. Встановлено зв'язок морфологічних і структурних характеристик полікристалічних плівок ZnS:Cu з умовами їх виготовлення та післяростових обробок. Досліджено залежність структурної досконалості контактних систем на GaAs з антидифузійним шаром дибориду титану від режиму магнетронного напилення та їх термічну стійкість. З використанням комплексу методів рентгеноструктурного аналізу й атомно-силової мікроскопії доведено пряму залежність морфологічних характеристик поверхні полікристалічних плівок від процесів структурної релаксації та перебудови всередині плівки, а також на межі розділу плівка - підкладка. Результати досліджень розвивають модельні уявлення про характер і походження структурних нерівноважностей багатошарових структур і процеси структурної релаксації в них, викликані зовнішніми впливами.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В379.24,022

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА320408 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В379.24,022

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА323665 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст