Охарактеризованы процессы дефектообразования в бездислокациоонных монокристаллах кремния. Приведены данные о методах исследования ростовых микродефектов, описаны свойства ростовых микродефектов различного типа и особенности их трансформации во время роста кристалла и в ходе технологических воздействий. Рассмотрены вопросы моделирования дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния.

  Скачати повний текст

Дисертація присвячена дослідженню енергетичного спектра електронів, холловської провідності та високочастотних властивостей несиметричних двошарових двомірних електронних систем у квантуючому магнітному полі у режимі цілочисельного квантового ефекта Холла. Виявлено, що особливості енергетичного спектра електронів у таких системах приводять до ефекту зникнення холловських плато як з парними, так і з непарними цілочисельними значеннями фактора заповнення рівнів Ландау. Показано, що цей ефект обумовлює цілий ряд нових високочастотних ефектів: появу стрибка максимальної величини на формі лінії циклотронного резонансу, квантування коефіцієнтів сповільнення та загасання поверхневих поляритонів і квантування спектральної густини та енергії перехідного випромінювання поверхневих поляритонів зарядом, що перетинає електронну систему.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Вивчено вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури та розсіяння рентгенівських променів. Описано явище анізотропії полів напруг у монокристалах кремнію з упорядкованою дислокаційною структурою та процес низькотемпературної повзучості кристалів CdHgTe у разі локального навантаження. Розглянуто процеси динаміки руху дислокацій під дією механічного навантаження в кристалах кремнію як вихідних, так і з твердофазними металевими покриттями. Показано, що виникнення та ріст преципітатів під час термомеханічної обробки кристалів призводять до немонотонного характеру руху дислокацій. Дослідження методом трикристальної рентгенівської дифрактометрії (ТКД) показали анізотропію розсіяння рентгенівських променів упорядкованими дислокаційними структурами. Встановлено, що за кімнатної температури в кремнії відбувається релаксація механічних напруг у порушеному шарі. Обгрунтовано суттєве прискорення процесу розпаду твердого розчину кисню в кристалах Cz - Si за дії механічних напружень, створених введеними в кристал дислокаціями або рядом уколів мікроіндентора. Показано можливість використання у виробництві методів ТКД для діагностики якості матеріалів напівпровідникової промисловості.

  Скачати повний текст

Роботу присвячено теоретичному опису енергетичного спектра колективних збуджень типу фонон-плазмових мод, які спостерігались у штучних надгратках на основі GaAs. Визначено, що у надгратках уздовж шарів поширюються одна оптична й одна акустична моди, або дві акустичні фонон-плазмові хвилі, якщо хвильовий вектор не паралельний шарам. Виявлено, що у шаруватих провідниках, які містять дефектні шари, існують фонон-плазмові хвилі, локалізовані поблизу цих шарів. Відповідно до знака зсуву величин концентрації та маси носіїв заряду, які визначаються параметром відхилення DELTA, можливим є поширення двох локальних мод акустичного типу, або однієї оптичної та однієї оптичної локальної мод. Отриманий на підставі розрахунків спектр узгоджується з експериментальними даними у шаруватих ВТНП купратах за умови неоднорідного розподілу кисню у шарах. Одержано систему рівнянь, яка дозволяє описувати власні моди у шаруватих провідниках без додаткових обмежень, що пов'язані з періодичністю розташування шарів, а також однорідністю діелектричного середовища впоперек шарів. Чисельно та аналітично розраховано закони дисперсії геліконів, гелікон-плазмонів, квантових хвиль у шаруватих надгратках, а також з'ясовано спектр магнітодомішкових хвиль у шаруватих провідниках і надгратках, які містять домішкові стани.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22,022

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: РА347114 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

В роботі проведено дослідження фононних та електронних спектрів короткоперіодних напівпровідникових надграток CdTe/HgTe та GaAs/AlAs. Отримано енергії та дисперсії інтерфейсних коливних мод та їхню локалізацію на границях розділу для даних надграток. Досліджено енергію і симетрію локальних коливань у залежності від положення домішкового атома відносно гетерограниці. Знайдено параметри надгратки, при яких відбувається перехід прямозонна-квазіпрямозонна-непрямозонна структура для надграток (GaAs)n/(AlAs)n та перехід напівметал-напівпровідник для надграток (CdxHg1-xTe)m/(CdTe)n. На основі аналізу розрахованих фононних і електронних спектрів та експериментальних даних по фотолюмінесценції короткоперіодних надграток (GaAs)n/(AlAs)n зроблено висновок, який полягає в тому, що процеси фотолюмінесценції в даних структурах відбуваються при участі саме інтерфейсних фононів.

  Скачати повний текст

Досліджено загальні закономірності проявів стохастичних неоднорідностей структури аморфних плівок і стекол різних халькогенідних систем за всіма рівнями, а саме: ближнього, а також проміжного порядку, мезоскопічного, наноструктури та мікроструктури. З використанням методів електронної мікроскопії, електронографії та комп'ютерного моделювання експериментально та теоретично доведено домінуючу роль за умов утворення структури аморфних плівок халькогенідів складних молекулярних комплексів і багатоатомних частинок парового потоку, які сприяють перебігу процесів самоорганізації конденсатів у напрямку формування в них структурних фрагментів. На підставі ув'язування даних фрагментів між собою до єдиної атомної сітки зроблено висновок щодо її стохастичної неоднорідності у вигляді набору різноманітних структурних одиниць, молекулярно-фазової сепарації кластеризації та фрагментації. Установлено основні класи неоднорідностей нано- та мікроструктури, реалізовані в аморфних халькогенідах та у більшості випадків подібні до будови фрактальних і кластерних систем, що самоорганізуються на наномасштабному рівні. Експериментально досліджено нові закономірності впливу стохастичних структурних ноднорідностей різного масштабу на електричні й оптичні параметри аморфних халькогенідів. Установлено механізми структурних перетворень і релаксаційних процесів у стохастично неоднорідній атомній сітці аморфних плівок халькогенідів систем As - S(Se), які зумовлюють прояв різних спонтанних і стимулльованих змін їх оптичних властивостей.

З'ясовано процеси утворення ненадпровідних фаз на поверхні та межах розділу високотемпературних надпровідних (ВНП) купратних оксидів, визначено домінуючі механізми електропровідності в таких фазах. З використанням теоретичної моделі контакту метал - напівпровідник проаналізовано вплив надпровідності одного з електродів (металу або напівпровідника) на процеси переносу носіїв заряду. Одержано аналітичні вирази для надбар'єрної та тунельної компонент струму через контакт з урахуванням ролі проміжного діелектричного шару. Установлено основні закономірності між структурно-хімічними та електрофізичними властивостями контактних структур ВТНП - метал, ВТНП - напівпровідник. Досліджено процеси твердофазного синтезу та визначено електричні параметри діелектричних (силікатних) та металічних (силіцидних) буферних антидифузійних шарів на кремнії. Експериментально визначено механізми впливу адсорбції на електрофізичні характеристики контактів метал - кремній з проміжним шаром купратного оксиду. Показано, що визначальними для газової чутливості є зміни провідності та діелектричної сталої проміжного оксидного шару, висоти потенціального бар'єру, перерозподілу падіння напруги в структурі.

  Скачати повний текст

Дисертацію присвячено кількісному експериментальному дослідженню процесів розсіювання та дифракції когерентного та некогерентного випромінювання на об'єктах різноманітної вимірності з метою визначення їх просторового розподілу, геометричних характеристик та дефектності розсіюючих поверхонь. На базі отриманих результатів розроблено оптичні методи контролю геометричних параметрів волочильного інструменту, просторового положення квазіодновимірних об'єктів, якості фотошаблонів та рівня дефективності приповерхневого шару напівпровідникових матеріалів. Розроблено оригінальний багатоканальний фоточутливий датчик для лазерної дифрактометрії.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст