Досліджуються різні типи надграток GaAs/AlAs: прямозонні, квазіпрямозонні, непрямозонні. Зокрема, запропонована умова збереження прямозонності надграток з надтонкими шарами. Виявлено новий механізм поляризації люмінесценції, зумовлений коругованістю гетеромеж GaAs/AlAs та розроблена теоретична модель, яка описує це явище. Встановлено, що зменшення періоду квазіпрямозонних надграток приводить до зростання електрон-фононної взаємодії. Досліджені особливості затухання фотолюмінесценції в надгратках різного типу. Простежена динаміка локалізації вільних екситонів на гетеромежах в надгратках типу І в залежності від товщин квантових ям.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13,022

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: РА307308 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Дисертація присвячена розробці квантово-механічної теорії спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках за участю локалізованих електронних пар. Запропонована теорія побудована на основі рівняння руху для оператора густини електронної пари і застосована для опису спін-залежної рекомбінації за механізмом Каплана-Соломона-Мотта та через збуджені триплетні стани точкових дефектів. Для обох механізмів досліджені положення та форма резонансних піків нерівноважної провідності. В рамках цього підходу в теорію спін-залежної рекомбінації включено надтонку взаємодію спінів локалізованих електронів та ядер, які оточують електрон. Це дозволяєвикористати її для аналізу реальних спектрів магнітного резонансу, які зареєстровані шляхом вимірювання провідності зразка (електрично-детектований магнітний резонанс, ЕДМР). В дисертації сформульовані характерні риси існуючих механізмів спін-залежної рекомбінації через локалізовані електронні пари, які дозволяють по експериментальним даним віддати перевагу одному механізму.

Методом приєднаних плоских хвиль розраховано спектри електронів і дірок у надгратці циліндричних квантових дротів beta-HgS у матриці beta-CdS. Складова енергії, що обумовлена рухом квазічастинок у напрямку перпендикулярному аксіальній вісі дроту, являє собою чергування зон з додатньою та від'ємною ефективною масою. Врахування потенціалу надгратки квантових дротів приводить до зняття виродження за магнітним квантовим числом при відході від точки GAMMA зони Брілюена. Досліджено залежності енергій основних зон плоского руху квазічастинок від радіуса квантових дротів і відстані між дротами.

Дисертація присвячена дослідженню енергетичного спектра електронів, холловської провідності та високочастотних властивостей несиметричних двошарових двомірних електронних систем у квантуючому магнітному полі у режимі цілочисельного квантового ефекта Холла. Виявлено, що особливості енергетичного спектра електронів у таких системах приводять до ефекту зникнення холловських плато як з парними, так і з непарними цілочисельними значеннями фактора заповнення рівнів Ландау. Показано, що цей ефект обумовлює цілий ряд нових високочастотних ефектів: появу стрибка максимальної величини на формі лінії циклотронного резонансу, квантування коефіцієнтів сповільнення та загасання поверхневих поляритонів і квантування спектральної густини та енергії перехідного випромінювання поверхневих поляритонів зарядом, що перетинає електронну систему.

В роботі проведено дослідження оптичних властивостей напівпровідникових циліндричних квантових дротів та надграток. Зокрема знайдено спектр та хвильові функції електрона в складній циліндричній напівпровідниковій гетеросистемі, що складається з довільної кількості N шарів, розміщених у зовнішньому N середовищі. В моделі діелектричного континууму отримано спектр та потенціал поля поляризації обмежених та інтерфейсних фононів в такій системі. Знайдено спектр енергій електрона в надгратці вздовж квантового циліндричного напівпровідникового дроту і показано, що він є чергуванням дозволених та заборонених зон. Отримано енергетичний спектр електрона, дірки та екситона в надгратці циліндричних напівпровідникових квантових дротів beta-HbS/beta-CdS та досліджено залежність положення енергетичних зон, їхньої ширини, ефективної маси квазічастинок від геометричних розмірів такої системи.

Проведено розрахунки відношення інтенсивностей основної і додаткової ліній, енергетичної відстані між ними для квантових ям (КЯ) з асиметричним потенціальним профілем. Обгрунтовано, що додаткова лінія в екситонному спектрі КЯ може бути пояснена переходами між утримуваними в КЯ станами валентних електронів і електронів провідності з різною парністю, які перестають бути забороненими у присутності асиметрії потенціального профілю, спричиненої технологією вирощування КЯ. Показано, що додаткова екситонна лінія типу e1-hh2 є більш інтенсивною в більшій частині актуальних випадків. Зокрема, показано, що додаткова екситонна лінія в структурах вирощених методом лазерної абляції, може бути пояснена як e1-hh2 перехід. Розрахунки показують суттєву чутливість не лише до параметра розширення інтерфейсу, але й до функції його профілю. Зроблено висновок, що метод лазерної абляції призводить до більшої асиметрії КЯ, ніж метод молекулярно-пучкової епітаксії.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2 + В379.13

Рубрики:

Електропровідність

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На основі формалізму двочасових функцій Гріна розвинуто теорію побудови оператора поляризованості, що входить у загальний вираз для ефективного поперечного перерізу раманівського розсіяння. Представлена мікроскопічна схема використовується для дослідження сегнетоелектриків з водневими зв'язками.

Дисертацію присвячено дослідженню енергетичних властивостей напівпровідникових сферичних квантових ям. Зокрема, знайдено дискретний і неперервний спектри та хвильові функції електрона в складній напівпровідниковій гетеросистемі, що складається з довільної кількості (N) сферичних оболонок, розміщених у зовнішньому (N+1) середовищі. У моделі діелектричного континууму отримано спектр та потенціал поля поляризації обмежених та інтерфейсних фононів у таких системах, а також у сферичній наногетеросистемі з періодичною структурою. Вивчено екситонний спектр сферичних наногетеросистем. Досліджено електрон- та екситон-фононну взаємодію в складних квантових точках сферичної форми. Для наногетеросистеми beta-HgS/CdS вивчено взаємодію електрона з фононами з врахуванням конфігураційної міжрівневої взаємодії з неперервним і дискретним спектрами.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.249 + В379.13

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.271

Рубрики:

Квантова теорія

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати експериментальних досліджень непружного розсіяння двовимірних носіїв, просторово локалізованих у самоузгодженому потенціалі мілких донорних домішок, розташованих у межах атомного шару кристалічної гратки GaAs. За допомогою методу часопролітної спектроскопії довгохвильових акустичних фононів отримано інформацію про енергетичні втрати гарячих електронів, зумовлені непружним розсіянням носіїв з випромінюванням фононів. Встановлено, що ефективність емісії акустичних фононів двовимірним електронним газом зменшується із зростанням електричного поля розігріву носіїв. Генерація оптичних фононів експоненціально швидко зростає з досягненням критичного значення поля розігріву носіїв. Розроблено новий метод вимірювання температури двовимірного електронного газу в разі його розігріву зовнішнім електричним полем шляхом вивчення ефекту фононостимульованої провідності. Вивчено явище слабкої локалізації в таких структурах. Вперше показано, що явище фононостимульованого струму пов'язано з руйнуванням квантової інтерференції носіїв, яка зумовлює явище слабкої локалізації.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.222

Рубрики:

Квантова теорія

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.34 + В379.13

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано зміни параметрів зонної структури внаслідок деформації. Розраховано величини цих змін для структури багатократних квантових ям GaAs/AlGaAs. Підкреслено роль магнітофононного резонансу як методу контролю теплових напружень у багатократних квантових ямах у разі паралельного перенесення носіїв заряду.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13,022

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: РА308695 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Варіаційним методом вивчено вплив однорідного магнітного поля на екситон у квантових ямах GaAs/AlAs I та II типів. Використано анізотропну модель надгратки. Визначено залежності середніх значень відстаней між електроном і діркою від товщин шарів і магнітного поля. Результати обчислень вказують на збільшення енергії утворення екситонів зі зростанням магнітного поля та її зменшення у разі збільшення геометричних параметрів структури, що добре узгоджується з відповідними експериментальними даними.

  Скачати повний текст