Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Автореферати дисертацій (2) | Книжкові видання та компакт-диски (7) |
Пошуковий запит: (<.>U=В374.98$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 38 Представлено документи з 1 до 20 |
|||||
| |||||
| 1. | Марончук И. Е. Влияние обработки поверхности пористого кремния на его фотолюминесценцию / И. Е. Марончук, М. Н. Найденков, М. В. Найденкова, А. В. Сариков, Т. Л. Волошина // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 157-159. - Библиогр.: 6 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Савчин В. Катодолюмінесцентні дослідження поверхні сколу шаруватого кристала моноселеніду індію в процесі термообробки на повітрі / В. Савчин // Фіз. зб. - Л., 1998. - Т. 3. - С. 113-123. - Бібліогр.: 31 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж68777 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Болгов С. С. Электролюминесценция гетероструктур Cdsubx/subHgsub1-x/subTe/CdTe при комбинированном возбуждении / С. С. Болгов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 167-169. - Библиогр.: 3 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Тарасенко О. А. Механізм формування швидкої радіолюмінесценції в органічних напівпровідниках та діелектриках : Автореф. дис.. канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О. А. Тарасенко; НАН України. Ін-т монокристалів. - Х., 1998. - 17 c. - укp. - рус. Дисертацію присвячено вивченню швидкої радіолюмінесценції органічних конденсованих середовищ. Отримано загальний опис кінетики сенсибілізованої радіолюмінесценції для довільного типу збудження, надано фізичне обгрунтування гаусового характеру опису додаткової затримки моментів висвітлювання фотонів радіолюмінесценції для органічних конденсованих середовищ, розроблено уточнену модель механізму швидкої радіолюмінесценції органічних конденсованих середовищ. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98,022 + В379.24,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА299658 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Неділько С. Г. Особливості температурної поведінки виходу люмінесценції домішкових іонів Dysup3+/sup в кристалах вольфрамату кадмію / С. Г. Неділько, М. Діаб, О. В. Чукова // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 11. - С. 1344-1346. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Dubovik M. F. Luminescence and radiation-induced defects in Lisub2/subBsub4/sub Osub7/sub : Eu single crystals / M. F. Dubovik, A. V. Tolmachev, B. V. Grinyov, L. A. Grin, E. F. Dolzhenkova, M. V. Dobrotvorskaya // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 420-422. - Бібліогр.: 3 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Kovalenko V. F. Low-temperature luminescence of semi-insulating undoped gallium arsenide at high excitation levels / V. F. Kovalenko, S. V. Shutov // Functional Materials. - 2000. - 7, № 4. - С. 601-605. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Глинчук К. Д. Анализ формы полосы люминесценции, обусловленной переходами свободных электронов на атомы углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 95-109. - Библиогр.: 20 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Глинчук К. Д. Анализ экситонной люминесценции полуизолирующих специально нелегированных кристаллов арсенида галлия / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 176-189. - Библиогр.: 28 назв. - рус. В специально нелегированных полуизолирующих кристаллах арсенида галлия с относительно низким содержанием остаточных примесей и дефектов детально изучены зависимости интенсивности и формы экситонных полос люминесценции от температуры и уровня возбуждения. Это позволило уточнить ряд характеристик полос люминесценции, обусловленных аннигиляцией свободных и связанных экситонов. Проведено сравнение полученных данных с известными в литературе. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 10. | Сукач Г. А. Влияние поверхностной оже-рекомбинации на квантовый выход люминесценции в GaAs / Г. А. Сукач, П. Ф. Олексенко, С. М. Белоусов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 25-37. - Библиогр.: 6 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Бордун О. М. Фотолюмінесцентні властивості тонких плівок PbWOsub4/sub / О. М. Бордун, О. Т. Стецьків // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 9. - С. 1049-1052. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 12. | Litovchenko N. M. About influences of different actions on spectra of impurity photoluminescence in GaAs / N. M. Litovchenko, A. V. Prokhorovich, O. N. Strilchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3. - С. 168-170. - Бібліогр.: 12 назв. - англ. Критично розглянуто можливість визначення у разі зовнішніх впливів змін співвідношення між концентраціями різних центрів люмінесценції в арсеніді галію завдяки аналізу їх спектрів фотолюмінесценції. Встановлено, що гарантовані дані про ці зміни можна отримати лише у разі детального вивчення люкс-яскравісних характеристик домішкових і міждомішкових смуг. Зміна співвідношення інтенсивностей люмінесценції цих смуг свідчить про варіацію концентрації центрів, якщо їх залежності від рівня збудження у вихідних і підданих зовнішньому впливу зразках збігаються. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98 + К232.606.3 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 13. | Рожин О. Г. Фотолюмінесцентні властивості структур на основі пористого кремнію модифікованого поверхневими обробками : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / О. Г. Рожин; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2001. - 16 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА313766 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 14. | Whang J. H. Photoluminescence of lithium borate glasses doped by lanthanides / J. H. Whang, S. Yu. Sumarokov, S. W. Shin, J. M. Lee, S. H. Choi // Functional Materials. - 2002. - 9, № 4. - С. 657-660. - Бібліогр.: 11 назв. - англ. Досліджено спектри люмінесценції зразків літій-боратного скла, що містять 1 мас. % усіх лантаноїдів (окрім прометію) в разі збудження HeCd-лазером з довжиною хвилі 325 нм. Домішкову фотолюмінесценцію виявлено в зразках, що містять активні домішки самарію (III), диспрозію (III), європію (III) та тербію (III, IV). Індекс рубрикатора НБУВ: В372.4 + В374.98 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 15. | Каганович Е. Б. Ефективна та стабільна видима фотолюмінесценція плівок нанокристалічного кремнію, одержаних лазерною абляцією / Е. Б. Каганович, І. М. Кізяк, Е. Г. Манойлов, В. Є. Примаченко, С. В. Свєчніков // Укр. фіз. журн. - 2002. - 47, № 8. - С. 760-762. - Бібліогр.: 5 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 16. | Корбутяк Д. В. Особливості фотолюмінесценції компенсованих монокристалів CdTe:Cl (огляд) / Д. В. Корбутяк, С. Г. Крилюк, Ю. В. Крюченко, Н. Д. Вахняк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 23-40. - Бібліогр.: 51 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 17. | Strelchuk V. V. High-efficient up-conversion of photoluminescence in CdSe quantum dots grown in ZnSe matrix / V. V. Strelchuk, M. Ya. Valakh, M. V. Vuychik, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, T. V. Shubina // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 4. - С. 343-346. - Бібліогр.: 13 назв. - aнгл. Відзначено, що інтенсивну антистоксову фотолюмінесценцію спостережено за низьких температур у структурах CdSe/ZnSe з одиночною вставкою CdSe номінальної товщини 1,5 моношару. Залежність інтенсивності антистоксової фотолюмінесценції квантових точок CdSe від густини збуджуючого випромінювання була близькою до квадратичної. Механізм антистоксової фотолюмінесценції пояснено на основі нелінійного двоступінчатого двофотонного процесу через глибокі дефектні стани, які містять катіонні вакансії та локалізовані в околі квантових точок. Поява антистоксової фотолюмінесценції свідчить про вплив оточення на властивості квантових точок. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98 + В371.3 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 18. | Каганович Э. Б. Спектры фотолюминесценции пленок нанокристаллического кремния, легированных золотом / Э. Б. Каганович, Э. Г. Манойлов, С. В. Свечников, И. Р. Базылюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 41-46. - Библиогр.: 11 назв. - рус. Измерены спектры фотолюминесценции с временным разрешением при комнатной температуре пленок нанокристаллического кремния, полученных лазерной абляцией в вакууме и легированных золотом. Показано влияние на трансформацию спектров с увеличением времени релаксации фотолюминесценции размеров кремниевых (Si) нанокристаллов, их дисперсии, а также излучательных переходов, связанных с рекомбинацией носителей заряда, экситонных переходов и степени подавления безызлучательного канала рекомбинации. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В374.98 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 19. | Прокоф'єв Т. А. Механізми збудження фотолюмінесценції іонів $Eroman Mn sup 2+ в реальних кристалах ZnS : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Т. А. Прокоф'єв; Дніпропетр. нац. ун-т. - Д., 2003. - 20 c. - укp. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА325596 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 20. | Кононец Я. Ф. Электролюминесценция тонкопленочных структур на основе ZnS:Er в ближней инфракрасной области спектра / Я. Ф. Кононец, Л. И. Велигура, Н. А. Власенко, З. Л. Денисова, В. Ф. Зинченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 225-229. - Библиогр.: 11 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| |||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського