Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>TJ=Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 19
Представлено документи з 1 до 19
|
| | | | |
1. |
Lysenko V. S. High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs = Високотемпературні характеристики рекристалізованого зонним витопленням кремній-на-ізоляторі MOSFETs / V. S. Lysenko, T. E. Rudenko, A. N. Nazarov, V. I. Kilchitskaya, A.N. Rudenko, A. B. Limanov, J. -P. Colinge // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 101-107. - Библиогр.: 11 назв. - англ. Ключ. слова: Silicon-on-insulator, high-temperature, MOS-devices Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Salkov E. A. Microscopic parameters of a stochastic system and variance of physical quantity (ideal gas, electric current, thermal radiation of a black body) = Мікроскопічні параметри стохастичної системи і дисперсія фізичної величини (ідеальний газ, електричний струм, теплове випромінення чорного тіла) / E. A. Salkov // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 116-120. - Библиогр.: 11 назв. - англ. Ключ. слова: random physical quantity, macro parameter, micro parameter, variance, electric current, radiation, thermal noise, shot noise, generation-recombination noise Індекс рубрикатора НБУВ: В317.14
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Oleksenko P. Ph. Electrophysical characteristics of LEDs based on GaN epitaxial films = Дослідження електрофізичних характеристик СВД на основі GaN епітаксійних плівок / P. Ph. Oleksenko, G. A. Sukach, P. S. Smertenko, S. I. Vlaskina, A. B. Bogoslovskaya, I. O. Spichak, D. H. Shin // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 112-115. - Библиогр.: 12 назв. - англ. Ключ. слова: gallium nitride, light emission, current-voltage characteristic, double injection Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Gorbach T. Ya. Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments = Спектроскопія електровідбиття та скануюча електронна мікроскопія кремнієвих мікрорельєфних пластин з різними попередніми обробками поверхні / T. Ya. Gorbach, R. Yu. Holiney, I. M. Matiyuk, L. A. Matveeva, S. V. Svechnikov, E. F. Venger // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 66-70. - Библиогр.: 9 назв. - англ. Ключ. слова: silicon, cutting pretreatment, critical point energy, broading parameter Індекс рубрикатора НБУВ: К68
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Blonskiy I. V. Multimodal size distribution of Si nanoclusters in SiOsub2/sub as manifestation of interaction in the space of sizes = Багатомодальний розподіл розміру кремнієвих нанокластерів в SiOsub2/sub як прояв взаємодії в просторі розмірів / I. V. Blonskiy, B. I. Lev, M. Ya. Valakh // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 57-60. - Библиогр.: 12 назв. - англ. Ключ. слова: nanoclusters, size distribution function, interaction in the space of sizes, silicon-based light-emitting devices Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Gribnikov Z. S. Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime = Хвилі переключення в асиметричних тиристоро подібних структурах в режимі виключення розімкнутого затвору / Z. S. Gribnikov, I. M. Gordion, V. V. Mitin // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 90-100. - Библиогр.: 17 назв. - англ. Ключ. слова: switching waves, thyristor-like structure, transient processes, controlling gate current, injection level Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Kochelap V. A. Switching-on and -off dynamics of MQW structures with bistable electro-optical absorption = Динаміка включення та виключення БКЯ структур з бістабільним електрооптичним поглинанням / V. A. Kochelap, L. L. Bonilla, C. A. Velasco // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 50-56. - Библиогр.: 18 назв. - англ. Ключ. слова: optical bistability, multiple quantum well heterostructures Індекс рубрикатора НБУВ: В371.35 + З973.5-044
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Boutry-Forveille A. SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures = SIMS дослідження розподілу дейтерія і температурної стабільності в ZMR SOI структурах / A. Boutry-Forveille, D. Ballutaud, A. N. Nazarov // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 108-111. - Библиогр.: 12 назв. - англ.У роботі вивчались методами вторинної іонної мас-спектрометрії (ВІМС) і термостимульованої десорбції дейтерію розподілення дейтерію і його термічна стабільність у системі кремній-на-ізоляторі (КНІ), виготовленій за допомогою технології зонної лазерної рекристалізації полікремнію. Показано існування прямого зв'язку між розупорядкуванням структури на межах розподілу кремній-внутрішній діелектрик і розподіленням дейтерію у системі КНІ. Визначено коефіцієнт дифузії дейтерію у кремнієвій рекристалізованій плівці при 250 °С. Вперше продемонстровано високотемпературну стабільність дейтерію (до 600 °С включно) у внутрішньому діелектрику системи КНІ, за відсутності дифузії дейтерію до кремнієвих шарів. Ключ. слова: silicon-on-insulator, deuterium, SIMS, thermal effusion Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Mazur Yu.I. Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hgsub1-ix/i; /subMnsub; ix/i; /subTe = Сильний вплив магнітного поля на ширину лінії граничної люмінесценції в розбавлених магнітних вузькозонних напівпровідниках Hgsub1-ix/i; /subMnsub; ix/i; /subTe / Yu.I. Mazur // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 33-40. - Библиогр.: 24 назв. - англ. Ключ. слова: Infrared luminescence, Hg_1-X Mn_X Te, exciton magnetic polaron Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Vlasenko O. I. Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn,Zn)Te - Cd(Mn,Zn)HgTe and their photoelectrical properties = Розподіл компонент в епітаксійних варізонних гетероструктурах Cd(Mn,Zn)Te - Cd(Mn,Zn)HgTe і їх фотоелектричні властивості / O. I. Vlasenko, V. M. Babentsov, Z. K. Vlasenko, A. V. Ponedilok, I. V. Kurilo, I. O. Rudyj, V. V. Kremenitskiy // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 75-81. - Библиогр.: 24 назв. - англ. Ключ. слова: graded band-gap films, photoconductivity, CdHgTe, CdMnHgTe, vapor phase epitaxy, diffusion Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Martin P. M. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots = Ємнісна спектроскопія InAs самоорганізованих квантових точок / P. M. Martin, A. E. Belyaev, L. Eaves, P. C. Main, F. W. Sheard, T. Ihn, M. Henini // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 7-12. - Библиогр.: 16 назв. - англ.Ємнісна спектроскопія використується для дослідження електронних властивостей само-організованих InAs квантових точок. Вимірювання вольт-фарадних характеристик, C(V), одночасно з даними по магнето-емності, C(B), дозволяють досліджувати електростатичний профіль однобар'єрних p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктур, які містять в AlAs бар'єрі шар само-організованих InAs квантових точок. Ми визначили, що негативний заряд, пов'язаний з заповненням квантових точок електронами, майже повністю компенсується позитивним зарядом в AlAs бар'єрі, що, на нашу думку, пов'язано з іонізованими дефектами чи домішками, які обумовлені квантовими точками. Показано, що міра компенсації суттєво залежить від ростових умов. Ключ. слова: MBE growth, InAs quantum dots, capacitance spectroscopy Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Daweritz L. Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices = Характеристики коругованості інтерфейсу в короткоперіодних надгратках GaAs/AlAs / L. Daweritz, H. Grahn, R. Hey, B. Jenichen, K. Ploog, D. Korbutyak, S. Krylyuk, Yu. Kryuchenko, V. Litovchenko // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 45-49. - Библиогр.: 12 назв. - англ.Методом поляризованої фотолюмінесценції досліджені надгратки GaAs/AlAs з коругованими гетеромережами. Співставляючи експериментальні результати з теоретичними розрахунками на основі моделі, яка пов'язує ступінь лінійної поляризації екситонної фотолюмінесценції з параметрами коругованостей, визначені висота та латеральна протяжність коругованостей. Ключ. слова: Superlattice, Corrugation, Polarization, Photoluminescence Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314 + В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Piskovoi V. N. (M, N)-exponential model in the theory of excitons = (M, N)-експоненціальна модель в теорії екситонів / V. N. Piskovoi, Ya. M. Strelniker // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 18-32. - Библиогр.: 51 назв. - англ.Побудовано узагальнену експоненціальну модель, що враховує можливість одночасного існування декількох паралельних каналів розповсюдження світлової енергії екситонами. Детальне фізичне обгрунтування моделі здійснено на базі екситонів Френкеля. Нова модель зберігає всі переваги широко вживаної одно-експоненціальної моделі екситону, як однієї з небагатьох задач в теорії розповсюдження електро-магнітніх хвиль в обмежених просторово-диспергуючих середовищах, що мають точний розв'язок. В той же час вона суттєво розширює можливості досліджень нелокальних оптичних явищ в кристалах. В роботі запропонована модель використовується, зокрема, для одержання додаткових краєвих умов та рівняння балансу для потоку та густоти поляритонної енергії, а також для вирішення ряду інших проблем кристалооптики з просторовою дисперсією в спектральній області екситонних резонансів. Ключ. слова: crystal optics, spatial dispersion, excitons, exponential model, additional light waves, additional boundary conditions, energy flux density Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Snopok B. A. A biosensor approach to probe the structure and function of the adsorbed proteins: fibrinogen at the gold surface = Біосенсорний підхід до вивчення структури та функціонування адсорбованих білків: фібриноген на золотій поверхні / B. A. Snopok, K. V. Kostyukevych, O. V. Rengevych, Y. M. Shirshov, E. F. Venger, I. N. Kolesnikova, E. V. Lugovskoi // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 121-133. - Библиогр.: 50 назв. - англ.Просторовий розподіл та переважна орієнтація молекул білків у моношарі досліджена з застосуванням кінетики поверхневого плазмонного резонансу (ППР) та мікроскопії атомних сил (МАС) підчас адсорбції фібриногену людини на поверхню золота. У роботі проведена серія специфічних імунних реакцій щоб проаналізувати адсорбційно-конформаційний стан плівок фібриногену. Отримані результати демонструють прямий зв'язок кінетичних параметрів реакції антиген-антитіло з конформацією фібриногену на межі розподілу. Застосування МАС і ППР аналізів дало можливість визначити одно-, двох- та трьох молекулярні структурні сполуки фібриногену на межі розподілу. Адсорбція фібриногену на поверхню полікристалічного золота - це складний процес, що містить: розгортання, стимульоване поверхнею, само-збирання та адсорбцію, які відбуваються конкурентно у часі. Цей результат підтверджує перспективу запропонованого підходу у біосенсорній техніці для визначення просторового розподілу та біофункціональних властивостей специфічних білків, які адсорбуються з біологічних рідин. Ключ. слова: surface plasmon resonance, adsorbed proteins, fibrinogen, DD-fragment, E-fragment, monoclonal antibodies, AFM, film , chemistry control, polycrystalline gold films Індекс рубрикатора НБУВ: Е70*732.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Torchinskaya T. V. Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon = Вплив процесу десорбції на спектри збудження фотолюмінесценції пористого кремнію / T. V. Torchinskaya, N. E. Korsunskaya, L. Yu. Khomenkova, B. R. Dzhumaev, A. Many, Y. Goldstein, E. Savir // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 61-65. - Библиогр.: 4 назв. - англ.Досліджено механізм збудження фотолюмінесценції пористого кремнію методами фотолюмінесценції та інфрачервоного поглинання. Показано, що існує два типи спектрів збудження, які містять або дві смуги (видиму та ультрафіолетову), або тільки одну (ультрафіолетову) смугу. Вивчено залежності інтенсивностей кожної смуги від режимів електрохімічного травлення, а також їх поведінка у процесі старіння та термічного оброблення пористих шарів. Показано, що існують два канали збудження фотолюмінесценції. Видима смуга у спектрі збудження при 300 К пов'язується з поглинанням світла у речовинах, які адсорбовані на поверхні кремнієвих ниток. Ключ. слова: Photoluminescence, excitation, porous silicon, desorbtion Індекс рубрикатора НБУВ: В379.249
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Kashirina N. I. Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit = Теоретичний підхід до електродифузії мілких донорів в напівпровідниках: I. Стаціонарний випадок / N. I. Kashirina, V. V. Kislyuk, M. K. Sheinkman // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 41-44. - Библиогр.: 12 назв. - англ.Дається аналіз можливості розподілу рухомих точкових дефектів в напівпровіднику після дії на нього електричного поля до встановлення стаціонарних умов. Розглядаються два способи прикладання напруги: а) безпосередньо до зразка, б) до обкладинок конденсатора, між якими поміщається зразок. Модель також можна застосовувати для електричних полів будь-якої природи - як зовнішніх так і внутрішніх, що виникають, наприклад, на контакті метал-напівпровідник. Ключ. слова: Electrodiffusion, CdS, mobile donors Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Garsia-Garsia E. Crystallization kinetics of Gesub22/subSbsub22/subTesub56/sub doped with Se and Ni = Кінетика кристалізації Gesub22/subSbsub22/subTesub56/sub, легованого Se і Ni / E. Garsia-Garsia, M. Yanez-Limon, Y. Vorobiev, F. Espinoza-Beltran, J. Gonzalez-Hernandez // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 71-74. - Библиогр.: 8 назв. - англ.Вивчено вплив Ni і Se на кінетику кристалізації Ge:Sb:Te сплавів. Виявлено, що обидва елементи підвищують стабільність аморфної структури. Кінетика кристалізації при ізотермічній обробці показує, що Ni зменшує як бар'єр термічної кристалізації, так і швидкість кристалізації. Кристалізація зразків, які містять Se, також уповільнена, можливо завдяки більш сильній енергії зв'язку цього елементу в порівнянні з Te. Ключ. слова: crystallization kinetics, RF-sputtering technique, electrical conductivity Індекс рубрикатора НБУВ: В378.24 + К203
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Alexeyev A. N. Optical vortices and the flow of their angular momentum in a multimode fiber = Оптичні вихорі та потік їхнього кутового момента в багатомодових волокнах / A. N. Alexeyev, T. A. Fadeyeva, A. V. Volyar, M. S. Soskin // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 82-89. - Библиогр.: 30 назв. - англ.Розглядається проблема розповсюдження оптичних вихорів в багатомодових волокнах. Показано яких структурних змін дізнають хвильова і променева поверхні при переході із вільного простору в середовище волокна. Записане рівняння неперервності для потоку кутового момента вихора в неоднорідному середовищі. Ключ. слова: optical vortex, multimode fiber, angular momentum, continuity equation Індекс рубрикатора НБУВ: З886
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Svechnikov S. V. Photosensitive porous silicon based structures = Фоточутливі структури на базі пористого кремнію / S. V. Svechnikov, E. B. Kaganovich, E. G. Manoilov // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 13-17. - Библиогр.: 32 назв. - англ.Представлені результати електричних та фотоелектричних вимірювань двох типів Al/пористий кремній (ПК)/монокристалічний кремній (c-Si)/Al сендвич структур с тонкими та товстими шарами ПК, що одержані хімічним забарвлюючим травленням. Вольт-амперні характеристики та спектри фотовідгуків свідчать про те, що фоточутливість структур з тонкими шарами ПК переважно визначається гетеропереходом (ГП) ПК/c-Si, а з товстими - ПК шарами. Властивості ГП з'ясовані в рамках зонної діаграми ізотипного ГП з протилежними напрямками вигину зон по обидва боки переходу завдяки високій концентрації дефектів на межі розподілу. ПК шари - фоточутливі, з максимумом чутливості біля 400-500 нм. Результати порівнюються з такими для структур на основі шарів ПК, що одержані eлектрохімічним травленням. Ключ. слова: porous silicon, photodiode, photoconduction, heterojunction Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|