Розглянуто результати рентгеноструктурного дослідження ІМС - сполук металів між собою і близьких до них сполук металів з напівметалічними елементами - і кристалохімічних закономірностей, висвітлених у працях науковців кафедри неорганічної хімії Львівського державного університету за 50 років та їх внесок у світову науку.

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.71

Рубрики:

Електричні властивості металів

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273,0 + В379.222,0 + К222.043

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Дефекти напівпровідників

Структурні і фазові перетворення в залізі та його сплавах. Теорія термічної обробки

Шифр НБУВ: Р112958 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: силициды железа, спектральная элипсометрия, магнитооптическая спектроскопия, многослойные пленки, антиферромагнитное взаимодействие
Індекс рубрикатора НБУВ: К222.026 + В372.6 + В377.35

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Антиферомагнетизм твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто проникнення водню крізь плівки простих металів, напівметалів, напівпровідників та діелектриків. Проаналізовано взаємозв'язок параметрів, що описують адсорбцію і транспорт водню в цих матеріалах, з їх електронною структурою. Встановлено, що густина електронних станів на рівні Фермі є основним фактором, що визначає енергію активації та теплоту хемосорбції водню на твердих металах. Найефективнішим захисним покривом є плівки з нітриду титану.

Індекс рубрикатора НБУВ: К391.1 + З392.5

Рубрики:

Виробництво металокерамічних електротехнічних і радіотехнічних матеріалів і виробів

Термоелектричні холодильні установки

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Зазначено, що ідеальний штучний поперечний термоелемент являє собою композит із двох матеріалів, які утворюють традиційну термопару, мають високу добротність і водночас різну величину відношення теплопровідності до електричного опору. Ці два критерії є можливими за низьких температур, якщо використати надпровідник як один із компонентів, знайти ж відповідну пару матеріалів за звичайних температур складно. Раніше під час вибору композита метал-напівпровідник або напівметал-напівпровідник допускалося зменшення традиційної добротності. Однак нещодавно доведено, що зменшення густини одного з компонентів дозволяє задовольнити обидва критерії. Наведено аналіз цих розробок і розглянуто питання з'єднання компонентів. Шарувата структура - не єдина форма, що може приймати штучний анізотропний елемент. Наприклад, тонкоплівкова технологія робить можливим одержати поперечний термоелемент на базі єдиного процесу. Крім того, анізотропний матеріал можна виготовити, застосовуючи вбудовані дроти одного компонента в матриці іншого. Такий підхід може призвести до одержання наноструктурного штучного поперечного термоелемента.

  Скачати повний текст

Наведено результати експериментального дослідження незвичайного квантового "високотемпературного" осциляційного кінетичного ефекту на монокристалах вісмуту і напівметалевих сплавах вісмуту з сурмою, телуром і оловом. Встановлено, що "високотемпературні" осциляції кінетичних коефіцієнтів (магнітоопору і термоелектрорушійної сили) пов'язані з міжзонним електрон-дірковим розсіюванням носіїв заряду та є наслідком інтерференції осциляцій щільності станів у електронній і дірковій частинах енергетичного спектра. Досліджено характеристики монокристалічних зразків вісмуту в режимі акустоелектричної нестійкості, пов'язаної з генерацією пружних хвиль носіями заряду, дрейфова швидкість яких у схрещених електричному та магнітному полях перевищує швидкість звуку. Запропоновано і реалізовано методику генерації акустоелектричних коливань за довільного сполучення величин струму, магнітного поля та температури.

В роботі проведено дослідження фононних та електронних спектрів короткоперіодних напівпровідникових надграток CdTe/HgTe та GaAs/AlAs. Отримано енергії та дисперсії інтерфейсних коливних мод та їхню локалізацію на границях розділу для даних надграток. Досліджено енергію і симетрію локальних коливань у залежності від положення домішкового атома відносно гетерограниці. Знайдено параметри надгратки, при яких відбувається перехід прямозонна-квазіпрямозонна-непрямозонна структура для надграток (GaAs)n/(AlAs)n та перехід напівметал-напівпровідник для надграток (CdxHg1-xTe)m/(CdTe)n. На основі аналізу розрахованих фононних і електронних спектрів та експериментальних даних по фотолюмінесценції короткоперіодних надграток (GaAs)n/(AlAs)n зроблено висновок, який полягає в тому, що процеси фотолюмінесценції в даних структурах відбуваються при участі саме інтерфейсних фононів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Розглянуто вплив магнітодомішкових станів електронів у нормальних металах, напівметалах і вироджених напівпровідниках на властивості спіральних і магнітоплазмових хвиль. Магнітодомішкові стани обумовлені сумісною дією на електрони притягуючих домішкових атомів і магнітного поля. Вони обумовлюють значну перебудову спектра спіральних і магнітоплазмових хвиль, приводять до існування нових гілок в спектрі цих хвиль. Розраховані характеристики нових типів хвиль: поляризація, спектр, швидкість, згасання. Розроблені методи діагностики нових гілок в спектрі хвиль у дослідах з вимірюванням поверхневого імпедансу, електронного комбінаційного розсіяння світла в провідниках з магнітодомішковими станами. Передбачені нові фізичні ефекти, зокрема, нові гілки в спектрі спіральних і магнітоплазмових хвиль, нові резонанси імпедансу, нові максимуми у спектрі розсіяного випромінювання.

Теоретичний аналіз впливу валентної зони нанорозмірного діелектричного шару на тунельний струм в контактах напівметал ізолятор - метал показав, що їх вольт-амперні характеристики можуть мати ділянки негативного диференціального опору в залежності від положення рівня Фермі. Даний результат дозволяє вперше пояснити аномальну поведінку тунельних кривих, яка неодноразово спостерігалася експериментально, але досі ще не знайшла свого остаточного теоретичного обгрунтування. Вперше теоретично досліджено вплив верхнього краю валентної зони ізолятора на ефект спінової фільтрації в тунельних структурах із двома нанорозмірними шарами магнітною діелектрика. Розрахунки залежності магнітоопору таких систем від поданої напруги зсуву показали, що за невеликої напруги його величина стає нескінченно малою тоді, коли хімічний потенціал знаходиться поблизу середини забороненої зони ізолятора. Дана обставина, яка не була врахована раніше, пояснює гігантську розбіжність між теоретичними оцінками магнітоопору подвійних тунельних спінових фільтрів і відповідними експериментальними даними. В межах теоретичного підходу, який базується на теорії розсіювання носіїв струму в багатошарових структурах, виконано комп'ютерні симуляції зарядового транспорту в дуже асиметричних джозефеонівських контактах з двома потенціальними бар'єрами та вільним від дефектів нормальним прошарком між ними. Встановлено, що в даному випадку ділянки негативного диференціального опору на вольт-амперних характеристиках контактів з перехідними металами та сплавами виникають внаслідок утворення зв'язаного квантово-механічного стану в нормальній області. Відповідні експериментальні криві, одержані для переходів Джозефсона з нітридом ніобію, підтверджують теоретичні висновки.

Зроблено огляд робіт, присвячених квантовим розмірним ефектам у матеріалах пониженої розмірності, зокрема: металах, напівметалах і напівпровідниках.

Зроблено огляд робіт, присвячених квантовим розмірним ефектам у матеріалах пониженої розмірності, зокрема металах, напівметалах та напівпровідниках. Особливу увагу приділено здатності матеріалу досягати одночасного збільшення коефіцієнта потужності і зменшення теплопровідності в одному напрямку. Досліджено перспективні напівпровідникові сполуки для побудови надграток квантових точок, дротів, ям та наноструктурних композитів.

Проведено огляд робіт щодо квантових розмірних ефектів у матеріалах пониженої розмірності, зокрема: металах, напівметалах та напівпровідниках.

Проведено огляд робіт щодо квантових розмірних ефектів у матеріалах пониженої розмірності, зокрема: металах, напівметалах і напівпровідниках. Розглянуто здатність матеріалу досягати одночасного збільшення коефіцієнта потужності та зменшення теплопровідності в одному напрямку. Досліджено перспективні напівпровідникові сполуки для побудови надграток квантових точок, дротів, ям і наноструктурних композитів.

Проведено теоретичний аналіз квантової ємності в одновимірних нанооб'єктах різної електричної природи - металі, власному напівпровіднику, напівметалі. Одержано нетривіальні залежності ємності від прикладеного потенціалу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + З861-03

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Оптоелектроніка

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ