Індекс рубрикатора НБУВ: Л288.12-106

Рубрики:

Сполуки натрію

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Методами рентгенівської дифрактометрії та УФ-спектроскопії вивчено вплив різних змінних параметрів кристалізації (ступеня чистоти розчину, пересичення , гідродинаміки та кислотності розчинів) на структурну досконалість та спектри поглинання світла в монокристалах KDP, вирощених у напрямку заданого (theta = 59 °) кута синхронізму. Продемонстровано, що кожний з обраних параметрів кристалізації діє своєрідно, змінючи (за незмінності інших) реальну структуру та оптичні характеристики кристалів.

Наведено результати досліджень оптичних характеристик і тонкої дефектної структури великих кристалів сапфіру, вирощених в газовому середовищі CO низького тиску (0.1...0.3 торр). Встановлено оптимальні умови відпалу оптичних елементів з таких кристалів, які забезпечують їх високу прозорість в УФ- діапазоні та високу стійкість до УФ-випромінювання. Доведено перспективність використання газового середовища CO для вирощування великих кристалів сапфіру високої оптичної якості та структурної досконалості.

У пошуках більш загального підходу результати досліджень структурних перетворень у насичених воднем твердих розчинах, що розпадаються, ГЩУ-Mg - Ba і Al - Li проаналізовано й узагальнено в межах концепції воднево-стимульованої дифузії та моделі дифузійної кластеризації структури, що розвивається, з оцінкою швидкості релаксації та активаційних параметрів дифузії за допомогою структурно-чутливих методик в інтервалі температур 293 - 900 К. Виявлено, що спостережувана прискорена (близькострибкова) дифузія відбувається в твердих розчинах (включення та заміщення) з кластеризацією структури, яка відповідає за високу швидкість розпаду та короткочасне зародження гідридів за низьких (кімнатних) температур. Відповідно до цього змішану дифузію, обумовлену участю рухливих дифузійних кластерів "надлишкова, воднем індукована вакансія - розчинений атом", розглянуто як один з найбільш імовірних механізмів контролювання, що викликає аномальне відхилення дифузійної рухливості водню від класичної (арреніусівської) поведінки за низьких (кімнатних) температур.

З використанням прецизійних структурно-чутливих методик внутрішнього тертя і механічного гістерезису в інтервалі температур 293 - 800 К виміряно активаційні параметри дифузійної рухливості, непружності, мікроплинності та пластичної деформації насичених воднем твердих розчинів втілення і заміщення на базі металів з низьким (ГЦК-Al), середнім (ГЩУ-Mg) і високим (ОЦК-Mo) бар'єрами Пайерлса, їх малолегованих і насичених воднем сплавів з барієм, літієм і воднем. Обгрунтовано висновок, що близькодіюча дифузія, прискорена активацією кластерів "воднева вакансія - розчинений елемент", є одним із найбільш імовірних контролюючих механізмів розпаду насичених воднем ГЩУ-твердих розчинів заміщення і втілення з кластеризованою структурою, що формується. В ОЦК-Mo - C, H твердих розчинах атоми втілення певним чином впливають на зміну термічної компоненти наведеної критичної напруги зсуву, яка згладжує потенціальний рельєф ОЦК-грат за допомогою термічних осциляцій і полегшує, таким чином, термічно активоване подолання дислокаціями бар'єрів Пайерлса.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л428.7-1с

Рубрики:

Напівпровідникова і магнітна кераміка (магнетокераміка). Оксидна кераміка (кераміка чистих окислів)

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.1 + В374

Рубрики:

Структурний аналіз твердих тіл

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В375.147 + К203.4

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Вирощування монокристалів металів і сплавів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Експериментально та теоретично досліджено процес накопичення та утримання заряджених частинок (ЗЧ) під час інжекції трубчастого електронного пучка (ТЕП), що є розмитим за швидкостями. Пучок інжектовано у камеру дрейфу (КД), що перебувала у сильному зовнішньому поздовжньому магнітному полі. Експериментально доведено, що під час інжекції формується колективна самоузгоджена електронна пастка. Під час формування вона захоплює електрони пучка та утримує їх у просторі КД. Існування колективної самоузгодженої пастки (останню стадію експерименту) теоретично можна пояснити за допомогою моделі, що розглядає еволюцію безширової ротації ТЕП. Аналітично одержано дисперсійне рівняння для такого пучка та проведено оцінку утримання ЗЧ у пастці. Для цього у просторі параметрів експерименту побудовано поверхні, що відокремлюють нестійкі коливання від стійких. Результати теоретичних досліджень добре узгоджуються із експериментом.

За допомогою прецизійного методу трикристалічної рентгенівської дифрактометрії досліджено структуру дефектних частин великогабаритних кристалів сапфіру, вирощених горизонтально спрямованою кристалізацією у відновних газових середовищах. За результатами поляризаційно-оптичного аналізу у цих областях спостережено перекручування форми та колірної гами коноскопічної картини й оптичні неоднорідності у вигляді смугастої структури. Установлено, що у першому випадку відповідальними дефектами є малокутові дислокаційні границі крутіння мікроблоків із кутами розорієнтації від 0,2 до 5 кутових хвилин, у другому - макроблоки з кутами розворотів до декількох градусів. Представлено експериментальні результати, що дозволяють установити причину та вивчити природу і кінетику утворення малокутових і градусних розорієнтацій між мікро-, макроблоками у процесі росту-відпалу кристала.

За допомогою методів трикристальної рентгенівської дифрактометрії досліджено досконалість структури об'єму та приповерхневого шару монокристалів сапфіру базисної орієнтації, вирощених із використанням методу горизонтально-направленої кристалізації у відновлювальному середовищі та методу Чохральського, підданих різним видам механічної обробки та відпалу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147

Рубрики:

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В374

Рубрики:

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж620 + В375.147

Рубрики:

Нанотехнології

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147 + В372.14

Рубрики:

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Електронографія

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31

Рубрики:

Дефекти

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.313

Рубрики:

Магнітні властивості надпровідників

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж620 + Г562.35

Рубрики:

Нанотехнології

Розчини в органічних розчинниках

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147 + В372.134

Рубрики:

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Дифракція рентгенівських променів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + В372.134

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Дифракція рентгенівських променів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ