Розглянуто принципи роботи та конструкції сучасних сенсорів вологості. Описано конструкції, схеми сенсорів вологості газів, принципи побудови, електричні схеми. Наведено результати дослідження основних параметрів мікроелектронних частотних сенсорів вологості на основі реактивних властивостей вологочутливих транзисторних структур.

Рассмотрены принципы работы и конструкции современных сенсоров влажности. Описаны конструкции, схемы сенсоров влажности газов, принципы построения, электрические схемы. Приведены результаты исследования основных параметров микроэлектронных частотных сенсоров влажности на основе реактивных свойств влажночувствительных транзисторных структур.

Викладено стислі теоретичні відомості про провідникові, напівпровідникові, діелектричні та магнітні матеріали, розглянуто їх властивості та закономірності поведінки за різних умов. Наведено основні розрахункові формули, розроблено комплекси контрольних питань і практичних задач. Визначено ширину забороненої зони та рухливість носіїв деяких напівпровідникових матеріалів.

Изложены краткие теоретические сведения о проводниковых, полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалах, рассмотрены их свойства и закономерности поведения при различных условиях. Приведены основные расчетные формулы, разработаны комплексы контрольных вопросов и практических задач. Установлены ширина запретной зоны и подвижность носителей некоторых полупроводниковых материалов.

Наведено результати дослідження вологочутливого елемента на базі МДН-структури. Розроблено фізичну модель вологочутливого елемента на основі МДН-структури, вологочутливим шаром якого є аморфний двоокис кремнію. Одержано аналітичний вираз для залежності ємності структури від вологості.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж108.9-5

Рубрики:

Вимірювання вологості

Шифр НБУВ: Ж23882 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Одержано аналітичний вираз вольтамперної характеристики частотного перетворювача вологості на базі системи рівнянь Кірхгофа, що описують поведінку комплементарної МДН-структури з активним індуктивним елементом, згідно з їх еквівалентними схемами за постійним струмом. Порівняння теоретичних та експериментальних результатів показало, що їх розбіжність становить 5 %.

Розроблено теоретичні підходи до створення мікроелектронних первинних перетворювачів вологості з частотним виходом у вигляді біполярних та польових транзисторних структур на базі розв'язку рівняння Пуассона, основних положень теорії комплексної змінної. Одержано залежність активної та реактивної складових повного опору, функції перетворення та рівняння чутливості від впливу відносної вологості навколишнього середовища та доведено, що ці залежності є суттєвими для створення нового класу мікроелектронних частотних перетворювачів вологості з поліпшеними метрологічними та економічними показниками. Розроблено їх математичні моделі, в яких на відміну від існуючих, враховано вплив відносної вологості навколишнього середовища на елементи нелінійних еквівалентних схем перетворювачів на основі біполярних і МДН-транзисторних структур з від'ємним опором, що дозволило одержати рівняння чутливості та функції перетворення відносної вологості у частоту. Запропоновано пакет прикладних програм для моделювання та розрахунків характеристик розроблених мікроелектронних частотних перетворювачів вологості.

Висвітлено особливості роботи в операційній системі Linux. Розглянуто текстовий і графічний інтерфейси користувача, зокрема, команди операційної системи, мову програмування оболонки bash, менеджери вікон і дисплея, робочі столи KDE і GNOME. Наведено інформацію про основні функції системного адміністратора, монтування файлових систем, активні, фонові та відкладені процеси (роботи).

Раскрыты особенности работы в операционной системе Linux. Рассмотрены текстовый и графический интерфейсы пользователя, в частности, команды операционной системы, язык программирования оболочки bash, менеджеры окон и дисплея, рабочие столы KDE и GNOME. Дана информация об основных функциях системного администратора, монтировании файловых систем, активных, фоновых и отложенных процессах (работах).

Розроблено математичну модель ємнісного сенсора вологості, яка описує залежність електричної ємності від зміни кількості вологості нафтопродукту. Розбіжність теоретичних та експериментальних результатів - 3 %.

Проаналізовано теоретичні й експериментальні дослідження в області розробок мікроелектронних перетворювачів систем контролю й керування. Показано, що створення частотних мікроелектронних перетворювачів вологості є перспективним науковим напрямком, так як він реалізує високі метрологічні показники пристроїв і можливість технологічної сумісності з мікроелектронними пристроями обробки інформації.

Індекс рубрикатора НБУВ: З965-044.3

Рубрики:

Автоматика

Шифр НБУВ: Ж68690 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З842.2

Рубрики:

Вимірювання окремих електричних величин в радіотехніці

Шифр НБУВ: Ж68690 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З264.6

Рубрики:

Конденсатори

Шифр НБУВ: Ж68690 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З264.56-04

Рубрики:

Перетворювачі частоти та числа фаз

Шифр НБУВ: Ж68690 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Одержано аналітичну залежність вольт-амперної характеристики частотного перетворювача вологості на базі системи рівнянь Кірхгофа, що описують поведінку комплементарної МДН-структури, згідно з її еквівалентною схемою за постійним струмом. Проведено експериментальні дослідження. На підставі порівняння теоретичних та експериментальних результатів показано, що похибка розрахунку становить 3 %.

Висвітлено актуальні питання аналізу надійності мікроелектронних приладів. Подано основні терміни та визначення, які відносяться до надійності в техніці. Викладено методи оцінювання показників надійності мікроелектронних приладів, розглянуто основні види та механізми їх відмов.

В проведених дослідженнях здійснено аналіз особливостей організації інформаційної технології побудови 3D-сцен. Реалізовано програмний засіб призначений для побудови 3D-сцен на основі як CPU, так і GPU-орієнтованої програмно-апаратної платформи. За рахунок застосування ядер GPU для оброблення елементів 3D-сцен досягнуто підвищення швидкодії процесу їх оброблення.

Висвітлено актуальні питання аналізу та класифікації засобів відображення інформації (ВІ). Наведено трактування основних термінів і визначень, що стосуються ВІ. Розглянуто основні конструктивні та фізичні особливості засобів ВІ, проаналізовано принципи їх роботи та параметри, якими вони характеризуються.

Поєднано класичну теорію чисельного інтегрування з практичним розв'язанням типових задач. Програми для розв’язування задач написано мовою програмування С/С++ і для покращення їх розуміння складено відповідні схеми алгоритмів.

Наведено теоретичний матеріал для закріплення знань з лінійного програмування, приклади побудови математичних моделей проблемних областей, а також методи розв'язання задач лінійного програмування, а саме симплекс-метод. Подано інформацію про класифікацію задач математичного програмування, математичні моделі деяких економічних задач, метод Жордана-Гаусса.

Індекс рубрикатора НБУВ: В192.162 я73 + З973-018.121 MathCAD я73-1

Рубрики:

Наближене розв'язання диференціальних рівнянь

Комп'ютери та програмування

Шифр НБУВ: ВА859674 Пошук видання у каталогах НБУВ