В специально нелегированных полуизолирующих кристаллах арсенида галлия с относительно низким содержанием остаточных примесей и дефектов детально изучены зависимости интенсивности и формы экситонных полос люминесценции от температуры и уровня возбуждения. Это позволило уточнить ряд характеристик полос люминесценции, обусловленных аннигиляцией свободных и связанных экситонов. Проведено сравнение полученных данных с известными в литературе.

Изучены при 77 К зависимости положения максимума и полуширины краевой полосы люминесценции в полуизолирующих специально нелегированных кристаллах GaAs от содержания в них фоновых легкоионизируемых примесей C и Si. Установлено, что повышение их концентрации приводит к сдвигу в низкоэнергетическую область положения ее максимума и увеличению ее полуширины. Наблюдаемый эффект в основном связан с уширением экситонной составляющей краевой полосы люминесценции вследствие повышения эффективности излучательной аннигиляции свободных экситонов при их взаимодействии с легкоионизируемыми примесями C и Si.

Приведен очерк жизни и деятельности крупного физика-теоретика, основателя Киевской школы радиоспектроскопии, члена-корреспондента АН Украины Михаила Федоровича Дейгена; обзор его научной деятельности; полный перечень его научных трудов. Опубликованы воспоминания его родных, друзей, коллег и учеников; отзывы ученых о его научной деятельности; текст постановления Президиума НАН Украины об увековечении памяти М.Ф.Дейгена. Излагается краткое содержание работ учеников, выполненных после его смерти. Освещены материалы международного семинара "Радиоспектроскопия конденсированных сред", посвященного памяти М.Ф.Дейгена.

Показано, что увеличение содержания углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия приводит к существенному возрастанию в них концентрации дивакансий галлия. Отмеченное наиболее вероятно связано с заполнением атомами углерода вакансий мышьяка, входящих в состав комплекса дивакансия мышьяка - дивакансия галлия.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98

Рубрики:

Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Изучены изменения спектров краевой фотолюминесценции (ФЛ) полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs, вызванные их термообработкой при 900 °C в течение 20 - 90 мин. Показано, что указанное термическое воздействие существенно видоизменяет (преобразует) краевой спектр ФЛ исходных кристаллов. Отмеченные явления связаны со стимулированными термообработкой изменениями в примесном составе излучаемых кристаллов.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: плівка, підкладинка, сегнетоелектрика, фазовий перехід, діелектрична сприйнятливість
Індекс рубрикатора НБУВ: К230.26

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) кольорових металів

Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.249

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проанализированы наблюдаемые при низких температурах и низких интенсивностях возбуждения в прямозонных полупроводниках CdTe и GaAs зависимости интенсивностей краевых полос люминесценции от интенсивности возбуждения. Показано, что они могут быть последовательно объяснены, если предположить, что в формировании краевой люминесценции в теллуриде кадмия и арсениде галлия принимают участие как изолированные, так и связанные акцепторы и доноры.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Відзначено, що Іваном Микитовичем Францевичем передбачено та обгрунтовано найбільш важливі напрямки сучасного матеріалознавства як єдності науки та технології. Успішний розвиток цих напрямків учнями І. М. Францевича сьогодні, без сумніву, свідчить про геніальність передбачень великого вченого, його глибоку різнобічну ерудицію й енциклопедичність знань. Стисло наведено історію відділу, створеного Іваном Микитовичем і керованого ним, попри неминучі трансформації. Саме цей відділ був колискою школи Францевича, у ньому зросла плеяда яскравих талановитих учнів, які успішно розвивають його ідеї та створюють на їх базі за сучасних умов нові наукові напрямки та свої власні школи.

Ключ. слова: тонкие сегнетоэлектрические пленки, металлические электроды
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.412 + В379.326 + В379.7

Рубрики:

Сегнетоелектрики

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж25208 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: наноразмерные частицы, отжиг, объем, поверхность, сигнал ЭПР, парамагнитные центры, термогенерация
Індекс рубрикатора НБУВ: К391.91-18

Рубрики:

Виробництво композитних металокерамічних матеріалів і виробів

Шифр НБУВ: Ж25208 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Л428.7-106

Рубрики:

Напівпровідникова і магнітна кераміка (магнетокераміка). Оксидна кераміка (кераміка чистих окислів)

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено підхід до побудови алгоритму та сам алгоритм, який поєднує стиснення і кодування. Алгоритм базується на системі числення Штерна - Брокко (дерево). Наведено результати застосування даного алгоритму в порівнянні з іншими алгоритмами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.7

Рубрики:

Спектроскопія твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К390.1-1

Рубрики:

Виробництво металевих порошків

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.1

Рубрики:

Структурний аналіз твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено та проаналізовано результати сучасних теоретичних та експериментальних досліджень сегнетоелектричних наноматеріалів. Продемонстровано істотний вплив розмірних і поверхневих ефектів на полярні та діелектричні властивості просторово-обмежених сегнетоелектричних систем різноманітної природи, зокрема, сегнетоелектриків типу зміщення та порядок - непорядок, релаксорних і віртуальних сегнетоелектриків та антисегнетоелектриків. Показано, що у разі зменшення розмірів сегнетоелектричних об'єктів, наприклад, виготовлених у вигляді нанопорошків, нанокомпозитів або тонких плівок, є можливим як пригнічення, так і підсилення їх сегнетоелектричних властивостей, а також поява сегнетоелектричних властивостей у віртуальних сегнетоелектриках та антисегнетоелектриках. Продемонстровано, що флексоелектричний зв'язок між градієнтами поляризації та деформації призводить до виникнення якісно нових ефектів у сегнетоелектричних наносистемах.