Побудовано нову модель для опису аморфізації кристалічних тіл під дією електронного опромінення. Результати, одержувані з використанням цієї моделі, погоджуються з експериментальними даними, які раніше не знаходили теоретичного пояснення. З використанням узагальненого методу випадкового середнього поля до ансамблю тунельних дворівневих систем в аморфних твердих тілах розраховано перенормовану взаємодією щільність станів ансамблю. У даному підході не використовується припущення про слабкість взаємодії. Побудовано модель парамагнітних тунельних систем, що є узагальненням стандартної тунельної моделі на випадок тунельних систем, що мають спін 1/2. Ця модель дає змогу адекватно пояснити вплив магнітного поля на тунельні системи.

  Скачати повний текст