Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

На підставі результатів експериментальних досліждень вивчено фотоелектричні явища у монокристалічному кремнії та низькорозмірних структурах на його основі, зумовлених процесами виникнення, перебудови та зникнення точкових дефектів під дією ультразвуку. Показано, що ефект ультразвукового відпалу E-центрів можна використати для відновлення робочих характеристик детекторів ядерних частинок, спотворених дією радіації. Продемонстровано, що результатом обробки ультразвуком монокристалічного кремнію може бути очищення об'єму кристалу від небажаних домішок Na і K та зменшення неоднорідності у розподілі електрично-активних радіаційних дефектів.

  Скачати повний текст

Експериментально вивчено динамічний вплив ультразвуку на електрофізичні та фотоелектричні параметри кремнію та структур на його основі, використання ультразвукових методик для вимірювання параметрів епітаксійних напівпровідникових структур. Виявлено ефект збільшення довжини дифузії неосновних носіїв заряду в бездислокаційному монокристалічному кремнії під дією ультразвуку. Знайдено ефективний об'єм акусто-дефектної взаємодії. Запропоновано модель бістабільного акустоактивного рекомбінаційного центру. Визначено ряд параметрів електронних рівнів, пов'язаних з комплексами точкових дефектів у епітаксійних структурах арсеніду галію. Встановлено, що за допомогою ультразвуку можна збільшити струм короткого замикання сонячного елемента та впливати на інші його характеристики. Показано, що ультразвук може бути ефективним інструментом впливу на процеси фотоелектричного перетворення.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Наведено результати розрахунків екситонного спектра в нуль-, одно- та двомірних квантово-розмірних структурах типу напівпровідник-діелектрик. У наближенні ефективних мас і квадратичних законів дисперсії розраховано енергії зв'язку екситонів й основного випромінювального екситонного переходу та характеристичні часи псевдопрямої випромінювальної екситонної рекомбінації в таких структурах. Розрахунки проведено з урахуванням скінченності висоти оточуючого потенціального бар'єру для носіїв заряду та проникнення силових ліній електричного поля кулонівської взаємодії між зарядами в діелектричне середовище. Показано, що поляризація гетеромережі та прилеглої області може призвести до значного збільшення внеску кулонівської енергії взаємодії у повну енергію екситонного переходу у квантово-розмірних структурах. Проведено порівняння теорії з експериментом. Показано, що основним фактором уширення спектральних смуг фотолюмінесценції в кремнієвих наноструктурах розмірами менше 4 нм є ефект квантово-мезоскопічних флуктуацій, якщо наявність навіть одного обірваного зв'язку на інтерфейсі, одного дефекту в нанокристалі або в його близькому оточенні сильно впливає на енергію екситонного переходу.

  Скачати повний текст

Одержано зонно-енергетичну діаграму бромиду індію та ефективні маси вільних носіїв заряду. Встановлено генезис валентних зон та нижніх зон провідності InBr. Розраховано розподіл густини станів, виміряно фотоелектронний спектр у широкому енергетичному діапазоні, проаналізовано структуру, досліджено генетичне та просторове походження основних смуг та вплив особливостей Ван Хова на формування функції густини станів. Проведено розрахунок повної енергії, визначено рівноважні параметри основного стану кристала та атомні характеристики InBr. Проаналізовано природу виміряних у широкій енергетичній області (до 30 еВ) поляризованих спектрів відбивання за температури рідкого гелію з використанням обчислених за співвідношенням Крамерса - Кроніга оптичних функцій монокристалів InBr. Розраховано міжзонні матричні елементи дипольного моменту та спектри уявної частини діелектричної проникності для різних поляризацій світла. Проведено ідентифікацію головних особливостей оптичних спектрів броміду індію.

  Скачати повний текст

Встановлено природу високоанізотропних магнітних властивостей гексаферитів М типу. Визначено низькотемпературні підграткові внески у константи енергії анізотропії. Досліджено механізми впливу магнітних полів, температури, діамагнітних заміщень, одновісних пружних напружень на анізотропні магнітні властивості. Розроблено методики ЯМР досліджень, за допомогою яких вперше спостережено ефекти зменшення локальної намагніченості в середині доменної межі відносно її краю за рахунок теплових внутрішньомежових магнонів, зміну модулів магнітних моментів іонів Fe³⁺ за умов збурення енергії анізотропії, перехід у магнітному полі доменної межі Блоха у доменну межу Неєля.

  Скачати повний текст

Встановлено механізми перезарядки іонів марганцю в кристалі ІАП, відповідальні за фотохромні властивості даного кристалу. З'ясовано роль домішкових іонів рідкісноземельних та перехідних елементів в радіаційно- та термоіндукованих процесах у кристалах ІАП та НЛ.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Наведено результати експериментальних досліджень спектральних розподілів фотопровідності та фото-ЕРС багатошарових гетероструктур з SiGe наноострівцями. Запропоновано теоретичну модель розрахунку зонної структури гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, яка дозволяє визначити можливі типи оптичних переходів й оцінити їх енергію. Для врахування компонентного складу, деформацій і геометричних розмірів острівців використано аналіз спектральних розподілів комбінаційного розсіяння світла та топограм поверхонь, одержаних за допомогою атомно-силової мікроскопії досліджуваних структур. У спектрах фотопровідності досліджуваних структур з наноострівцями зафіксовано непрямі в просторі переходи електронів з локалізованих станів валентної зони острівців в локалізовані стани зони провідності кремнієвого оточення та переходи між локалізованими станами валентної зони наноострівців і міжпідзонні переходи дірок з локалізованих станів валентної зони острівців у стани валентної зони змочувального шару та кремнієвого оточення. Проаналізовано вплив прикладеного електричного поля та термічного відпалу досліджуваних структур на форму спектрів фотопровідності. Запропоновано використання шарів SiGe острівців, вбудованих у базу p-i-n структури, що дозволяє значно підвищити фоточутливість в області непрямих у просторі міжсезонних переходів.

  Скачати повний текст

Встановлено зростання контактної різниці потенціалів у процесі механічного стискання гетероконтактів GaSe/InSe, що знайшло пояснення під час врахування діелектричного прошарку на межі поділу. Побудовано модель дії одновмісного тиску на границю розділу. Виявлено відмінності форм фотовідгуків гетероконтактів під час дії різних значень одновісного тиску й енергії квантів світла. Вперше виявлено випрямляний ефект гетероструктури n-InSe-мумійо, одержаним шляхом нанесення спиртового розчину молекулярно-дисперсійної речовини мумійо на чисту поверхню пластин напівпровідника InSe.

  Скачати повний текст

Розроблено новий фізичний підхід до оптимізації фотоелектричних процесів плівкових гетероструктур, з використанням якого шляхом моделювання впливу світлових діодних параметрів на вихідні параметри сонячних елементів (СЕ) ідентифікуються один чи два світлові діодні параметри, що визначають коефіцієнт корисної дії (к. к. д.) конкретного СЕ, а також експериментально досліджено вплив кристалічної та енергетичної структур на ці діодні параметри.існування в "superstrate" СЕ двох діодів, один з яких має більший шунтучий електроопір і меншу густину світлового діодного струму насичення.

  Скачати повний текст

Досліджено вплив параметрів тильних рефлекторів на основі шарів паруватого кремнію (ПК) на ефективність об'ємного фотоперетворювача на базі мультикристалічної кремнієвої текстурованої підкладинки, встановлення механізмів струмопроходження в дисперсних фотоперетворювачах, знаходження оптимальних параметрів цих структур. Числово встановлено вплив квантових ям на параметри фотоперетворення в кремнієвих сонячних елементах з ПК. Розроблено метод керування спектральною характеристикою коефіцієнта відбиття у сонячних елементах з поруватим Брегівським дзеркалом.

  Скачати повний текст

Створено комп'ютеризований сумісний фототермоакустичний (ФТА) та фотоелектричний (ФЕ) мікроскоп, принцип дії якого базується на використанні одночасно збуджених теплових хвиль і хвиль нерівноважних електронно-діркових пар як носіїв інформації про властивості напівпровідників. Вивчено напівпровідникові структури кремнію: епітаксійні з різним типом провідності, імплантовані іонами бору та фосфору, а також пружно напружену область поблизу вершини тріщини в пластині кремнію. Одержано ФТА та ФЕ топограми. Досліджено пластини кремнію, імплантовані іонами за методами ФТА мікроскопії та виміру зміни коефіцієнта відбиття напівпровідників під дією модульованого лазерного опромінювання. Проведено порівняльний аналіз ФТА та ФЕ зображень вказаних структур на підставі результатів якого встановлено, що візуалізація тепловими хвилями областей епітаксійного нарощування та іонної імплантації в структурах на основі кремнію зумовлена залишковими пружними напругами, які виникають за умов технологічного циклу їх виготовлення.

  Скачати повний текст