Скачати повний текст

Досліджено природу та механізм спін-залежних процесів носій-домішкових взаємодій та виявлено новий фізичний ефект - індуковану процесами захоплення носіїв спінову орієнтацію локальних центрів у напівпровідниках. У кремнії з протяжними дефектами виявлено новий тип сигналів резонансного мікрохвильового поглинання в електричній компоненті НВЧ поля - електродипольний спіновий резонанс, пов'язаний з особливостями руху електронів у низьковимірних структурах. Вперше описано природу сигналів мікрохвильового відгуку систем під час переходу до стану надпровідності, зокрема, дислокаційно-індуковану (надгратки PbTe - PbS). Вивчено вплив взаємодії спін-систем вільних та локалізованих електронів за умов виродження електронного спектру на магнітні та магніто-механічні властивості 3d твердих розчинів.

  Скачати повний текст

Досліджено структури змінного складу за товщиною, одержані на основі склоподібного As₂S₃ та модифікаторів Al, Bi, Pb. Розглянуто фізико-технологічні умови одержання градієнтних структур з керованим і відтворюваним розподілом складових компонентів, проведено теоретичну оцінку параметрів осадження компонентів пари на підкладку, вибрано й оптимізовано умови напилення шарів. Досліджено вплив концентрації модифікаторів, що вводяться, на електрофізичні та оптичні властивості градієнтних структур. Показано, що енергія активації електропровідності та оптична ширина забороненої зони змінюються монотонно (майже лінійно) зі зміною введеного металу. Виявлено темнову та фотоелектрорушійну сили, досліджено вплив на її величину та полярність концентраційного профілю та типу металів, які містить градієнтна структура. Виникнення електрорушійної сили віднесено до інтегральних ефектів (хімічного й електропольового), вказано на можливість керування спектральними характеристиками структури шляхом зміни її товщини та складу.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Визначено, що властивості світлочутливої системи халькогенідний склоподібний напівпровідник (ХСН) - метал обумовлює потенціальний бар'єр на межі ХСН - метал, який має гальванічну та електронну складові. Встановлено, що зміна електронної складової бар'єра визначається фотоелектричними процесами у ХСН. Розв'язок рівняння дифузії дає вираз для залежності зміни товщини шару металу d від часу опромінення t, до якого входить ряд факторів (інтенсивність світла, довжина хвилі, температура, попереднє освітлення системи, товщини шарів системи, наявність парів води). Одержаний вигляд d = d(t) визначає залежність світлочутливої системи, її енергії активації, ефективної енергії активації дифузії металу у ХСН від наведених факторів. Вирази, отримані для даних залежностей, пояснюють комплекс експериментальних властивостей системи. Враховано залежність коефіцієнта дифузії металу в ХСН від його концентрації. Обгрунтовано, що процес індукційного періоду кінетики проникнення металу до ХСН обумовлений цією залежністю. Визначено, що експериментально отримані залежності світлочутливості системи від товщини шару металу, напрямку її освітлення та особливості кінетики проникнення металу до ХСН обумовлено скінченністю товщини шарів системи.

  Скачати повний текст

Виявлено, що домішкові атоми Te (1 - 3 ат. %) є електрично неактивними і не призводять до появи домішкової провідності. Встановлено, що зі збільшенням концентрації Te максимуми в спектрах збудження фотолюмінесценції зсуваються в низькоенергетичну область спектра, що свідчить про зв'язок процесу збудження фотолюмінесценції з оптичними переходами за участі локалізованих станів у хвості дозволених зон. Встановлено, що в електронно-дефектній підсистемі проявляються зміни фізичних властивостей об'ємних і тонкоплівкових структур, що є наслідком різних механізмів входження модифікатора в некристалічні матриці та основою керованої зміни параметрів функціональних елементів для мікро- та оптоелектроніки.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

На основі моделі м'яких атомних потенціалів проведено розрахунки щільності станів спектра елементарних коливних збуджень (дворівневих і релаксаційних систем, гармонічних осциляторів). Побудовано еквіпотенційні поверхні дворівневих систем для дослідження низькоенергетичних квазілокальних збуджень. Одержано щільність станів для гармонічних осциляторів методом когерантного потенціалу. Виявлено, що гармонічні осцилятори відповідають за форму піка в щільності коливних станів. Показано, що в рамках загальної картини щільності станів вдається провести інтерпретацію аномальних властивостей невпорядкованих систем (залежності теплоємності від температури і часу, особливостей релаксаційного поглинання, однорідного уширення безфононних ліній в спектрах поглинання домішків. Встановлено вплив прискореної дифузії домішок на електронні властивості невпорядкованих систем. Наведено нову інтерпретацію відомих метастабільних властивостей, їх відношення до механізмів деградації систем приладів.

  Скачати повний текст

Досліджено їх фазовий склад, мікроструктуру, електропровідність, вольт-амперні характеристики (ВАХ). Встановлено вплив термоциклювання на електрофізичні властивості даних матеріалів. Вперше виявлено гістерезис і розмірний ефект ВАХ у матеріалах з ФПМН. Одержано аналітичний вираз для ВАХ, який адекватно описує дані ефекти.

  Скачати повний текст

Вивчено метастабільні стани в щілині рухливості некристалічних селена та селенідів. Залучення різноманітних експериментальних методик, зокрема апробованих класичних, а також нетрадиційних дозволило провести ефективну спектроскопію станів, локалізованих практично на всьому енергетичному проміжку щілини рухливості. При введенні в аморфний селен сурми встановлено появу рівнів захоплення з глибиною залягання О,34 та 0,45 еВ, концентрація яких послідовно зростає зі збільшенням вмісту сурми. Виявлено унікальний ефект відсутності транспорту фотоінжектованих дірок, зареєстровано лише перенесення заряду електронами. Дрейфова рухливість цих носіїв підпорядковується активаційному закону з енергією, яка добре узгоджується з результатами термостимульованої провідності та деполяризації. Показано, що введення сурми в селен призводить до модифікації спектра локалізованих станів поблизу рівня Фермі.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст