Скачати повний текст

Уперше показано, що додаткова симетрія шарувато-періодичного середовища зумовлює зменшення фазової швидкості поверхневих хвиль. Одержано інкременти (декременти) наростання (згасання) хвиль за умов взаємодії кінетичних хвиль з власними хвилями структури, утвореної напівобмеженим шарувато-періодичним середовищем та плазмоподібним напівпростором. Доведено можливість ефективної взаємодії надповільних поверхневих хвиль з носіями заряду, що рухаються. Досліджено нелінійну взаємодію та вперше одержано матричні елементи нелінійної трихвильової взаємодії хвиль у напівпровідниковій структурі, а також визначено існування стаціонарного стану та необхідну умову його існування. З'ясовано умову стійкості цього стану за нелінійної трихвильової взаємодії у дослідженій структурі. Установлено, що стаціонарний стан стійкий, якщо зростає амплітуда лише однієї з хвиль і це зростання менше за сумарні втрати двох інших хвиль.

  Скачати повний текст

Наведено результати комплексного дослідження впливу умов одержання та модифікації вуглецевих матеріалів на їх структурну досконалість, оптичні та механічні властивості. Вивчено полікристалічні алмазні й аморфні алмазоподібні вуглецеві плівки та нанопористі вуглецеві компоненти з використанням методів комбінаційного розсіювання світла та дослідження анізотропії електричного опору. Установлено, що попереднє нанесення алмазних нанопрекурсорів на поверхню підкладки сприяє підвищенню структурної досконалості та твердості осаджуваної алмазної плівки.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Визначено основні типи дефектів та енергії активації пов'язаних з ними енергетичних рівнів. Виявлено немонотонний характер зміни властивостей у межах гомогенності, пов'язаний із процесами колективної взаємодії та можливим упорядкуванням домішкових дефектів.

  Скачати повний текст

Теоретично досліджено перебудову локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних і циліндричних квантових точках InAs/GaAs різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації матеріалу квантової точки й оточуючої матриці та зовнішнього тиску. Удосконалено метод розрахунку баричного коефіцієнта в квантово-розмірних нульвимірних напіпровідникових структурах. Досліджено вплив пружної взаємодії між квантовими точками, лапласівського тиску на межі квантова точка - матриця, температури росту та домішки в квантовій точці InAs на енергію основного оптичного переходу. Вперше теоретично встановлено залежності ефективних мас електрона та дірки від латерального розміру напруженої циліндричної квантової точки у площині росту та напрямі перпендикулярному до неї.

  Скачати повний текст

Вивчено процеси перебудови дефектної структури приповерхневого шару базисних граней кристалів CdS. Установлено явище емісії електронів з базисних граней кристалів CdS без попереднього збудження поверхні за умов їх охолодження від кімнатної температури до температури залежності поверхневої провідності. Інтенсивність потоку електронної емісії з Cd-грані сульфіду кадмію залежить від провідності монокристалів та дії зовнішніх факторів: попереднього вакуумного термічного відпалу, електричного поля, рентгенівського опромінення. Запропоновано механізм перебудови структурних дефектів приповерхневого шару грані (0001) CdS під час охолодження, суть якого полягає у термостильованій (охолодженням) зміні конфігурації принаймні двох структурних дефектів з метастабільних у стабільні положення з вивільнення певної кількості додаткових вільних електронів, які під дією пірополя емітують у вакуум. Установлено межові дози опромінення, які дозволяють покращити та стабілізувати параметри приладів на базі бар'єрів Шотткі метал - CdS, зокрема, 0,2 Кл/кг для низько- та 0,4 Кл/кг для високоомних кристалів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено вплив попереднього нейтронного опромінення, кінцевої ультразвукової обробки та легування ізовалентними домішками Pb та Sn на дефектну структуру кристалів кремнію. Дослідження проведено за методом трикристальної дифрактометрії. Здійснено порівняльний аналіз різних методів обчислення. Обробку дифрактометричних даних й обчислення параметрів дефектів проведено за допомогою спеціальної програми, створеної згідно з розробленою методикою. Для всіх зразків обчислено радіуси та концентрації кластерів і дислокаційних петель. Побудовано залежності показника статичного Дебая - Валлера від температури термообробки. З метою вивчення природи дефектів здійснено вимірювання магнітної сприйнятливості кисневмісних кристалів кремнію.

  Скачати повний текст

Установлено, що зміни магнітної сприйнятливості взаємопов'язані з генерацією кластерів та дислокаційних петель. Показано, що попереднє опромінення швидкими нейтронами прискорює генерацію парамагнітних центрів за наступних термічних обробок. Кінетика зміни магнітної сприйнятливості з тривалістю відпалу корелює з кінетикою процесів преципітації кисню у досліджених кристалах. Виявлено, що за вищої концентрації атомарного вуглецю у зразках більше вводиться парамагнітних центрів за процесу термообробки. Наявність у цих зразках ізовалентної домішки свинцю дещо сповільнює ведення парамагнітних центрів. Зроблено припущення, що взаємопов'язано з тим, що свинець утворює з частиною вуглецю нейтральні комплекси PbC, виключаючи останній з процесів термічного дефектоутворення. Установлено, що магнітні властивості ниткоподібних кристалів кремнію суттєво відрізняються від магнітних властивостей об'ємного матеріалу і пояснюються особливостями їх кристалічної структури.

  Скачати повний текст

Досліджено характер змін температурної залежності положення рівня Фермі у монокристалах германію n- та p-типу провідності за наявності у забороненій зоні глибоких енергетичних рівнів.

  Скачати повний текст

Наведено результати дослідження електрофізичних властивостей анодних шарів поруватого кремнію на поверхні Si та в контакті метал - Si. Експериментально визначено вплив режимів формування, додаткового ультрафіолетового освітлення й адсорбції молекул на параметри локалізованих станів і рекомбінаційні характеристики поруватого кремнію. Запропоновано модель контакту метал - тонкий поруватий кремній - Si та визначено параметри поверхневих станів. На базі теоретичної моделі проаналізовано чутливість структур "каталітичний метал - поруватий кремній (5 - 100 нм) - Si" у процесі адсорбції водню. Доведено їх переваги над звичайними кремнієвими МОН структурами. Висвітлено нові версії оптоелектронних приладів на основі гетероструктур з шарами поруватого кремнію (лавинний фотодіод, оптично керований холодний катод, сонячний елемент з селективними дифузорами), визначено їх характеристики. Підтверджено практичне значення отриманих результатів на прикладі підвищення ефективності сонячних елементів за рахунок створення включень поруватого кремнію. Досліджено процеси структурно-хімічної перебудови у тонких оксидних шарах та її вплив на електрофізичні характеристики поверхнево-бар'єрних структур.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Наведено результати експериментальних досліджень впливу дрейфу електронів і атомів, який виникає у полі лазерного випромінювання (ЛІД), на оптичні, магнітні та електричні характеристики напівровідникових кристалів та нановимірних багатошарових плівок. Показано, що причиною ЛІД атомів є кулонівська взаємодія іонізованих атомів з полем просторового заряду ЛІД електронів. Установлено, що ЛІД електронів призводить до значної зміни показника заломлення напівпровідників і намагнічування немагнітних плівок. З використанням результатів досліджень створено методи сканування та скорочення наносекундних і пікосекундних лазерних імпульсів, очистки оптичних матеріалів, компенсації деполяризаційного фону у магнітооптичних системах запису інформації. Розроблено технологію формування субмікронних фазових структур та створено дослідні зразки оптичних дисків, описано нові схеми безкінематичних оптичних і магнітоакустичних систем запису інформації.

  Скачати повний текст

У порівнянні з даними для масивних кристалів з'ясовано: вплив ефектів розмірного квантування руху електронів та дірок, кулонівської взаємодії, поляризаційних та поляронних ефектів, анізотропії ефективних мас дірок, динамічної та статичної невпорядкованостей кристалічної гратки; особливості електрон-фононної взаємодії, природу акцепторних станів, причини та механізм деградації домішково-дефектної фотолюмінесценції, роль гідрогенізації поверхні квантових точок у збільшенні квантового виходу екситонної фотолюмінесценції. Досліджено ефекти поляризаційного самовпливу оптичних хвиль за умови насичення поглинання у масивних кристалах та квантових точках. На основі встановлених закономірностей запропоновано та обгрунтовано оптичні методи визначення фізичних параметрів квантових точок.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено закономірності змін та особливості нерівноважних процесів, механізмів рекомбінації та фото- і електрофізичних властивостей вузькощілинних (ВН) та безщілинних (БН) напівпровідників, що відбуваються внаслідок перебудови енергетичної структури під впливом пружної одноосьової деформації (ОД), магнітного поля Н або пасивації поверхні анодним окислом.

  Скачати повний текст

Наведено результати експериментальних досліджень зв'язку морфології з механічними (межі міцності, граничної деформації) та електрофізичними (електроопору, термо-ерс) властивостями композиційних матеріалів (КМ), зокрема терморозширених графітів (ТРГ) - полімерів, де як полімер використано полівінілхлоридний пластизоль і фторопласт-3. Виявлено, що провідність КМ у рамках теорії перколяції відповідає моделі тривимірної електропровідної сітки з блокованими вузлами. Для одного й того ж КМ пороги перколяції для електроопору є меншими за відповідні значення для термо-ерс. Доведено, що у концентраційній області між порогами перколяції для електроопору і термо-ерс електропровідність обумовлена тунелюванням носіїв заряду через прошарок полімеру між окремими частинками ТРГ. Відмінність значень порогів перколяції пояснено недостатнім рівнем енергії носіїв заряду у випадку їх руху під дією градієнта температури для подолання потенціального бар'єра, який створює діелектричний прошарок. Описано процеси, що відбуваються у КМ за дії на них температури та механічних навантажень. Розроблено рекомендації щодо використання КМ як резисторів, стійких до впливу опромінення електронами та рентгенівськими квантами, а також тензодатчиків. Запропоновано використання методу термо-ерс для контролю процесів спікання електропровідних сумішей порошків у процесі їх компактування, а також для контролю пористості зразків монолітних КМ.

  Скачати повний текст

У моделі прямокутних потенціальних бар'єрів та наближенні ефективних мас квазічастинок побудовано теорію енергетичних спектрів електрона та дірки в складних еліптичних квантових дротах з радіальною гетероструктурою. Доведено, що дані спектри складаються з енергетичних підзон, які відповідають парним і непарним станам квазічастинок. Виявлено, що енергії електрона та дірки в даних станах мають різну залежність від величини еліптичності наносистем. На базі хвильових функцій електрона в еліптичній нанотрубці встановлено правила відбору та одержано залежності сил осциляторів міжпідзонних квантових переходів електрона у дипольному наближенні від величини еліптичності наногетеросистеми. Розроблено теорію енергетичних спектрів електрона та дірки у складних еліптичних квантових дротах з аксіальною гетероструктурою. З'ясовано, що період існування квазістаціонарних станів електрона у відкритій квантовій точці вздовж еліптичного квантового дроту та ефективні маси квазічастинки в енергетичних підзонах у надгратці вздовж еліптичного квантового дроту мають немонотонні залежності від еліптичності квантового дроту. У межах моделі діелектричного континууму удосконалено теорію енергетичного спектра інтерфейсних і обмежених оптичних фононів у еліптичному квантовому дроті та еліптичній нанотрубці. Показано, що енергії інтерфейсних поляризаційних коливань та потенціали поляризації інтерфейсних та обмежених фононів залежать від геометричних розмірів і величини еліптичності наносистем.

  Скачати повний текст