Висвітлено результати еспериментальних та теоретичних досліджень фазових діаграм рівноваги бінарної системи олово-телуор, області гомогенності телуриду олова. Звернено увагу на термодинамічні властивості і квазіхімію дефектів, а також структуру енергетичних зон та кінетичні властивості SnTe.

Освещены результаты експериментальных и теоретических исследований фазовых диаграмм равновеса бинарной системы олово-телуор, области гомогенности телурида олова. Обращено внимание на термодинамичекие свойства, а также структуру енергетических зон и кинетические свойства SnTe.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: РА332839 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Уперше показано, що додаткова симетрія шарувато-періодичного середовища зумовлює зменшення фазової швидкості поверхневих хвиль. Одержано інкременти (декременти) наростання (згасання) хвиль за умов взаємодії кінетичних хвиль з власними хвилями структури, утвореної напівобмеженим шарувато-періодичним середовищем та плазмоподібним напівпростором. Доведено можливість ефективної взаємодії надповільних поверхневих хвиль з носіями заряду, що рухаються. Досліджено нелінійну взаємодію та вперше одержано матричні елементи нелінійної трихвильової взаємодії хвиль у напівпровідниковій структурі, а також визначено існування стаціонарного стану та необхідну умову його існування. З'ясовано умову стійкості цього стану за нелінійної трихвильової взаємодії у дослідженій структурі. Установлено, що стаціонарний стан стійкий, якщо зростає амплітуда лише однієї з хвиль і це зростання менше за сумарні втрати двох інших хвиль.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Вивчено процеси перебудови дефектної структури приповерхневого шару базисних граней кристалів CdS. Установлено явище емісії електронів з базисних граней кристалів CdS без попереднього збудження поверхні за умов їх охолодження від кімнатної температури до температури залежності поверхневої провідності. Інтенсивність потоку електронної емісії з Cd-грані сульфіду кадмію залежить від провідності монокристалів та дії зовнішніх факторів: попереднього вакуумного термічного відпалу, електричного поля, рентгенівського опромінення. Запропоновано механізм перебудови структурних дефектів приповерхневого шару грані (0001) CdS під час охолодження, суть якого полягає у термостильованій (охолодженням) зміні конфігурації принаймні двох структурних дефектів з метастабільних у стабільні положення з вивільнення певної кількості додаткових вільних електронів, які під дією пірополя емітують у вакуум. Установлено межові дози опромінення, які дозволяють покращити та стабілізувати параметри приладів на базі бар'єрів Шотткі метал - CdS, зокрема, 0,2 Кл/кг для низько- та 0,4 Кл/кг для високоомних кристалів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: РА319734 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати дослідження електрофізичних властивостей анодних шарів поруватого кремнію на поверхні Si та в контакті метал - Si. Експериментально визначено вплив режимів формування, додаткового ультрафіолетового освітлення й адсорбції молекул на параметри локалізованих станів і рекомбінаційні характеристики поруватого кремнію. Запропоновано модель контакту метал - тонкий поруватий кремній - Si та визначено параметри поверхневих станів. На базі теоретичної моделі проаналізовано чутливість структур "каталітичний метал - поруватий кремній (5 - 100 нм) - Si" у процесі адсорбції водню. Доведено їх переваги над звичайними кремнієвими МОН структурами. Висвітлено нові версії оптоелектронних приладів на основі гетероструктур з шарами поруватого кремнію (лавинний фотодіод, оптично керований холодний катод, сонячний елемент з селективними дифузорами), визначено їх характеристики. Підтверджено практичне значення одержаних результатів на прикладі підвищення ефективності сонячних елементів за рахунок створення включень поруватого кремнію. Досліджено процеси структурно-хімічної перебудови у тонких оксидних шарах та її вплив на електрофізичні характеристики поверхнево-бар'єрних структур.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Наведено результати експериментальних досліджень впливу дрейфу електронів і атомів, який виникає у полі лазерного випромінювання (ЛІД), на оптичні, магнітні та електричні характеристики напівпровідникових кристалів та нановимірних багатошарових плівок. Показано, що причиною ЛІД атомів є кулонівська взаємодія іонізованих атомів з полем просторового заряду ЛІД електронів. Установлено, що ЛІД електронів призводить до значної зміни показника заломлення напівпровідників і намагнічування немагнітних плівок. Із використанням результатів досліджень створено методи сканування та скорочення нано- і пікосекундних лазерних імпульсів, очистки оптичних матеріалів, компенсації деполяризаційного фону у магнітооптичних системах запису інформації. Розроблено технологію формування субмікронних фазових структур та створено дослідні зразки оптичних дисків, описано нові схеми безкінематичних оптичних і магнітоакустичних систем запису інформації.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст