Бази даних

Автореферати дисертацій - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (89)Книжкові видання та компакт-диски (240)Журнали та продовжувані видання (4)
Пошуковий запит: (<.>U=В379.2,022$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 63
Представлено документи з 1 до 20
...

      
1.

Митровцій В.В. 
Динаміка гратки і структурні фазові переходи в гіпо(селено)-дифосфатах з шаруватою кристалічною структурою: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В.В. Митровцій ; Ужгород. нац. ун-т. — Ужгород, 2000. — 20 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022
Шифр НБУВ: РА312308 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
2.

Чабан Ю.Я. 
Фізичні властивості кристалів селеніду цинку, легованих елементами І та V груп: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Ю.Я. Чабан ; Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2000. — 20 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022
Шифр НБУВ: РА310941 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
3.

Колбунов В.Р. 
Синтез і дослідження електрофізичних властивостей кераміки на основі діоксиду ванадію: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / В.Р. Колбунов ; Дніпропетр. нац. ун-т. — Д., 2001. — 19 с. — укp.

Розроблено фізико-технологічні засади синтезу нового керамічного матеріалу на основі діоксиду ванадію та ванадієво-фосфатного скла, досліджено його електрофізичні властивості та вплив деградаційних процесів на дані властивості. Запропоновано модель стабільних ізольованих кластерів, що пояснює поводження електричних параметрів діоксиднованадієвої кераміки під час термоциклування. Встановлено, що середній розмір таких кластерів складає близько 0,4 мм. Зразки полімерного композиційного матеріалу на основі діоксиднованадієвої кераміки, що мали товщину майже або менше середнього розміру стабільного ізольованого кластера, виявляли високу стабільність електрофізичних параметрів під час термоциклування. Досліджено вольт-амперні характеристики (ВАХ) синтезованого матеріалу та виконано розрахунок ділянки ВАХ з негативним диференціальним опором, результати якого погоджуються з експериментальними даними. На базі ВАХ діоксиднованадієвої кераміки розраховано ряд її електричних і теплофізичних параметрів. Досліджено вплив циклічного перемикання керамічного зразка електричним полем на дані параметри.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 + Л428.7-106
Шифр НБУВ: РА315725 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
4.

Скришевський В.А. 
Генераційно - рекомбінаційні процеси в гетероструктурах з тонкими шарами поруватого кремнію та оксиду кремнію: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В.А. Скришевський ; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2001. — 32 с. — укp.

Наведено результати дослідження електрофізичних властивостей анодних шарів поруватого кремнію на поверхні Si та в контакті метал - Si. Експериментально визначено вплив режимів формування, додаткового ультрафіолетового освітлення й адсорбції молекул на параметри локалізованих станів і рекомбінаційні характеристики поруватого кремнію. Запропоновано модель контакту метал - тонкий поруватий кремній - Si та визначено параметри поверхневих станів. На базі теоретичної моделі проаналізовано чутливість структур "каталітичний метал - поруватий кремній (5 - 100 нм) - Si" у процесі адсорбції водню. Доведено їх переваги над звичайними кремнієвими МОН структурами. Висвітлено нові версії оптоелектронних приладів на основі гетероструктур з шарами поруватого кремнію (лавинний фотодіод, оптично керований холодний катод, сонячний елемент з селективними дифузорами), визначено їх характеристики. Підтверджено практичне значення отриманих результатів на прикладі підвищення ефективності сонячних елементів за рахунок створення включень поруватого кремнію. Досліджено процеси структурно-хімічної перебудови у тонких оксидних шарах та її вплив на електрофізичні характеристики поверхнево-бар'єрних структур.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022
Шифр НБУВ: РА316082 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
5.

Тавріна Т.В. 
Вплив відхилу від стехіометрії та введення сульфіду кадмію на структуру і фізичні властивості CuInSeV2D: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Т.В. Тавріна ; НАН України. Наук.-технол. концерн "Ін-т монокристалів", Ін-т монокристалів. — Х., 2002. — 19 с. — укp.

Визначено основні типи дефектів та енергії активації пов'язаних з ними енергетичних рівнів. Виявлено немонотонний характер зміни властивостей у межах гомогенності, пов'язаний із процесами колективної взаємодії та можливим упорядкуванням домішкових дефектів.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022
Шифр НБУВ: РА319756 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
6.

Коровицький А.М. 
Кінетичні ефекти у твердих розчинах кремній-германій: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / А.М. Коровицький ; Волин. держ. ун-т ім. Л.Українки. — Луцьк, 2002. — 18 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.33,022 + В379.2,022
Шифр НБУВ: РА318094 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
7.

Загоруйко 
Модифікація фізичних властивостей широкозонних напівпровідників AIIBVI для отримання термостабільних елементів та гетероструктур для оптоелектроніки: Автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.02.01 / Юрій Анатолійович Загоруйко ; НАН України; Інститут монокристалів. — Х., 2003. — 40 с.: рис., табл. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 + З843.324,022
Шифр НБУВ: РА327175

Рубрики:

      
8.

Кунець В.П. 
Еволюція фізичних властивостей напівпровідників $Ebold roman {A sup II B sup VI } гексагональної сингонії при переході до розмірів квантових масштабів: Автореф. дис... д-ра фіз.- мат. наук: 01.04.10 / В.П. Кунець ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. — К., 2004. — 32 с. — укp.

У порівнянні з даними для масивних кристалів з'ясовано: вплив ефектів розмірного квантування руху електронів та дірок, кулонівської взаємодії, поляризаційних та поляронних ефектів, анізотропії ефективних мас дірок, динамічної та статичної невпорядкованостей кристалічної гратки; особливості електрон-фононної взаємодії, природу акцепторних станів, причини та механізм деградації домішково-дефектної фотолюмінесценції, роль гідрогенізації поверхні квантових точок у збільшенні квантового виходу екситонної фотолюмінесценції. Досліджено ефекти поляризаційного самовпливу оптичних хвиль за умови насичення поглинання у масивних кристалах та квантових точках. На основі встановлених закономірностей запропоновано та обгрунтовано оптичні методи визначення фізичних параметрів квантових точок.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 + В371.3,022
Шифр НБУВ: РА331108

Рубрики:

      
9.

Федорцов Д.Г. 
Топографія і дифрактометрія кристалів кремнію з дислокаціями і мікродефектами в умовах X-променевого акустичного резонансу: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Д.Г. Федорцов ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2004. — 20 с. — укp.

З використанням числових методів розв'язку рівнянь Такагі проведено комплексні дослідження процесів динамічного розсіяння X-променів у кристалах кремнію, що містять різного типу дислокаційні петлі та бар'єри. Розглянуто різні модельні представлення дислокаційних петель у кремнії з урахуванням його анізотропії та побудовано їх дифракційні зображення. Установлено, що ці зображення істотно відрізняються поміж собою та суттєво залежать від розміру дислокаційних петель, їх потужності та просторової орієнтації відносно площин X-променевого розсіяння. Визначено вплив орієнтаційних характеристик даних петель на просторові розподіли інтенсивності X-променів та криві гойдання. За методами числового розв'язування рівнянь Такагі побудовано топографічні зображення окремих дислокаційних петель, бар'єрів Ломера - Котрела та їх комплексів. Досліджено вплив деформаційних полів дислокаційних петель на X-променеву акустичну взаємодію.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 +
Шифр НБУВ: РА332686

Рубрики:

      
10.

Литвинчук І.В. 
Структури зміни в пористому кремнії після іонної імплантації фосфором: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / І.В. Литвинчук ; Чернівец. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2004. — 20 с. — укp.

З'ясовано значення максимальних деформацій, протяжність областей пружних деформацій і характер їх змін. Відтворено товщинні розподіли деформацій і порушень в кремнії, генеровані імплантацією фосфором та іншими видами обробок, є досить складними та містять різнознакові деформації. Розглянуто вплив комбінованої дії іонної імплантації фосфором та хімічного травлення на просторові розподіли інтенсивності, структурні властивості та фотолюмінесцентні характеристики кремнію у процесі природного старіння. З використанням числового розв'язку системи рівнянь Такагі досліджено механізми та закономірності формування товщинних осциляцій інтенсивності у сильно деформованих зосередженою силою кристалів кремнію. Установлено, що за певного рівня деформацій, за якого зміна ефективної розорієнтації дефекту є більшою від ширини кривої гойдання W, поширення X-променів супроводжується процесами міжсіткової взаємодії.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 +
Шифр НБУВ: РА332687

Рубрики:

      
11.

Гасан-заде С.Г. 
Електронні явища в вузькощілинних та безщілинних напівпровідникових сполуках за умов регулювання параметрами енергетичної структури: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / С.Г. Гасан-заде ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Е.Лашкарьова НАН України. — К., 2004. — 32 с.: рис. — укp.

Досліджено закономірності змін та особливості нерівноважних процесів, механізмів рекомбінації та фото- і електрофізичних властивостей вузькощілинних (ВН) та безщілинних (БН) напівпровідників, що відбуваються внаслідок перебудови енергетичної структури під впливом пружної одноосьової деформації (ОД), магнітного поля Н або пасивації поверхні анодним окислом.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 +
Шифр НБУВ: РА329414

Рубрики:

      
12.

Гомоннай О.В. 
Індуковані високоенергетичним опроміненням ефекти у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О.В. Гомоннай ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. — К., 2004. — 32 с.: рис. — укp.

Встановлено основні закономірності впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості фосфідних та халькогенідних кристалів, зокрема нанокристалів, вивчено фізичні процеси, що відбуваються в них під дією високоенергетичного опромінення.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022
Шифр НБУВ: РА330994

Рубрики:

      
13.

Сунцов О.М. 
Дефектна структура, явища переносу, люмінесценція і радіаційні властивості нестехіометричних гетеросистем alpha - SiOsub2-x/sub [Osubi/sub, (Osub2/sub)subi/sub ] I Znsubx/subCdsub1-x/subS [ Osubs/sub ]: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О.М. Сунцов ; Запоріз. держ. ун-т. — Запоріжжя, 2004. — 18 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 +
Шифр НБУВ: РА333959

Рубрики:

      
14.

Соловко Я.Т. 
Вплив лазерного опромінення на поведінку домішок і дефектів у Ві-заміщених ферит-гранатових плівках: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.18 / Я.Т. Соловко ; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2004. — 20 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 + В372.5,022 +
Шифр НБУВ: РА334948

Рубрики:

      
15.

Шварц Ю.М. 
Фізичні основи напівпровідникових приладів екстремальної електроніки: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Ю.М. Шварц ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. — К., 2004. — 31 с. — укp.

Наведено результати комплексних досліжень закономірностей та особливостей зміни структурних, електрофізичних, термо-, магніто- і тензорезистивних властивостей сильно легованих значно компенсованих гетероепітаксійних плівок Ge. Визначено специфіку перебудови їх енергетичної структури під впливом межі розподілу Ge - GaAs і внутрішніх механічних напружень за умов дії температури, деформації та магнітного поля. Встановлено взаємозв'язок електрофізичних і теплофізичних властивостей з конструктивно-технологічними параметрами і термометричними характеристиками сильно легованих p - n-структур Si з урахуванням зміни домінуючих механізмів струмопереносу під впливом температури, електричного поля та радіації. Фізично обгрунтовано, реалізовано та застосовано за натурних умов експлуатації нові типи мікроелектронних приладів для екстремальної електроніки.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 + З852,022 +
Шифр НБУВ: РА333333

Рубрики:

      
16.

Пацай Б.Д. 
Вплив локальних структурних дефектів на розсіяння рентгенівських променів та магнітну сприйнятливість кисневомістких кристалів кремнію: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Б.Д. Пацай ; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2004. — 20 с.: рис. — укp.

Досліджено вплив попереднього нейтронного опромінення, кінцевої ультразвукової обробки та легування ізовалентними домішками Pb та Sn на дефектну структуру кристалів кремнію. Дослідження проведено за методом трикристальної дифрактометрії. Здійснено порівняльний аналіз різних методів обчислення. Обробку дифрактометричних даних й обчислення параметрів дефектів проведено за допомогою спеціальної програми, створеної згідно з розробленою методикою. Для всіх зразків обчислено радіуси та концентрації кластерів і дислокаційних петель. Побудовано залежності показника статичного Дебая - Валлера від температури термообробки. З метою вивчення природи дефектів здійснено вимірювання магнітної сприйнятливості кисневмісних кристалів кремнію.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 +
Шифр НБУВ: РА334640

Рубрики:

      
17.

Пікарук О.О. 
Колективна спонтанна рекомбінація у квантових гетероструктурах і нитковидних кристалах: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.О. Пікарук ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. — К., 2005. — 17 с. — укp.

Наведено результати досліджень ефекту надвипромінювання Діке у квантових InGaAs/GaAs гетероструктурах і кремнієвих ниткоподібних кристалах. Уперше показано, що незалежність часу надвипромінювання від рівня збудження, що спостерігаються у квантових гетероструктурах, взаємопов'язана з заповненням квантової ями та супроводжується стабілізацією інших характеристик надвипромінювання: форми спектрів та інтенсивності, що суттєво відрізняється від надвипромінювання у газах і об'ємних матеріалах. Установлено, що наявність певної кількості дефектів невідповідності у зазначених гетероструктурах призводить до зменшення інтенсивності, однак надвипромінювання відбувається. З'ясовано, що залежність максимального значення інтенсивності додаткового піка в інфрачервоній люмінесценції та зміна форми від рівня збудження у ниткоподібних кристалах кремнію подібні до тих, що є характерними для надвипромінювання Діке, це дозволяє припустити, що ниткоподібні кристали кремнію можуть бути використані для створення надкоротких імпульсів інфрачервоного світла.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 +
Шифр НБУВ: РА337896

Рубрики:

      
18.

Янчук І.Б. 
Взаємозв'язок структурних особливостей вуглецевих матеріалів з їх оптичними та механічними властивостями: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / І.Б. Янчук ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. — К., 2005. — 17 с.: рис. — укp.

Наведено результати комплексного дослідження впливу умов одержання та модифікації вуглецевих матеріалів на їх структурну досконалість, оптичні та механічні властивості. Вивчено полікристалічні алмазні й аморфні алмазоподібні вуглецеві плівки та нанопористі вуглецеві компоненти з використанням методів комбінаційного розсіювання світла та дослідження анізотропії електричного опору. Установлено, що попереднє нанесення алмазних нанопрекурсорів на поверхню підкладки сприяє підвищенню структурної досконалості та твердості осаджуваної алмазної плівки.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 +
Шифр НБУВ: РА335186

Рубрики:

      
19.

Москаленко В.В. 
Взаємодія електромагнітних хвиль з активними хвилями в періодичних напівпровідникових структурах: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.03 / В.В. Москаленко ; Харк. нац. ун-т ім. В.Н.Каразіна. — Х., 2005. — 16 с. — укp.

Уперше показано, що додаткова симетрія шарувато-періодичного середовища зумовлює зменшення фазової швидкості поверхневих хвиль. Одержано інкременти (декременти) наростання (згасання) хвиль за умов взаємодії кінетичних хвиль з власними хвилями структури, утвореної напівобмеженим шарувато-періодичним середовищем та плазмоподібним напівпростором. Доведено можливість ефективної взаємодії надповільних поверхневих хвиль з носіями заряду, що рухаються. Досліджено нелінійну взаємодію та вперше одержано матричні елементи нелінійної трихвильової взаємодії хвиль у напівпровідниковій структурі, а також визначено існування стаціонарного стану та необхідну умову його існування. З'ясовано умову стійкості цього стану за нелінійної трихвильової взаємодії у дослідженій структурі. Установлено, що стаціонарний стан стійкий, якщо зростає амплітуда лише однієї з хвиль і це зростання менше за сумарні втрати двох інших хвиль.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 +
Шифр НБУВ: РА341731

Рубрики:

      
20.

Горб А.М. 
Явища масо- та зарядопереносу, стимульовані ультразвуковими хвилями в пластинах ніобата літію: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / А.М. Горб ; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2005. — 16 с. — укp.

Виявлено залежність характеру переміщень мікропорошинок по поверхні пластини ніобата літію від кристалографічної орієнтації пластини, типу збуджуваної у пластині хвилі та заряду порошинок. Запропоновано модель, що пояснює особливості переміщення порошинок під дією хвилі у пластині. За методом сонохімічної реакції одержано нанопорошки сульфіду цинку, леговані іонами марганцю.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 +
Шифр НБУВ: РА337550

Рубрики:
...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського