Запропоновано нову зонну модель, що враховує всі ефекти, які виникають за рахунок конкретної симетрії кристалічних структур об'єктів дослідження та яку можна описати за допомогою невеликого набору констант. Визначено вплив анізотропії та спінового розщеплення зон на тонку структуру оптичного спектра поглинання у даній сполуці. Теоретично досліджено концентраційні та кутові залежності положення вузлів на осциляційних кривих квантових осциляцій у арсеніді кадмію та його твердих розчинах з цинком.

  Скачати повний текст

На підставі напівемпіричного методу MNDO проведено моделювання процесів адсорбції, десорбції, поверхневої міграції частинок адсорбату на поверхнях Si(100) і Ge(100). Розглянуто проблему врахування впливу ступеня покриття поверхонь воднем на механізм десрбації з моно- та дигідридних станів; встановлено вплив вакансійних дефектів на адсорбційні властивості поверхонь. Розраховано енергетичні характеристики процесів взаємодії силану з поверхнями Si(100) і H/Si(100), встановлено механізми початкових стадій росту кремнієвих плівок. Розраховано хемосорбційні стани іонів та атомів фосфору та бору, що адсобруються на поверхні Si(100) і Ge(100). Продемонстровано різницю геометричних і електронних характеристик цих станів.

  Скачати повний текст

Удосконалено низькотемпературну технологію одержування плівок CIGS та оксидів металів. Розроблено дослідну конструкцію сонячного елемента на основі гетероструктури CIGS/CdS, яка забезпечує більший захист фотоелектричного перетворювача від впливу зовнішнього агресивного середовища. Встановлено роль типу фронтального покриття та товщини шару CdS у процесі підвищення ефективності фотоелектричного перетворювача.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Наведено результати комплексних досліджень основних закономірностей та особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у сильнодеформованих кристалах кремнію та германію n-типу провідності. Запропоновано методи визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Встановлено, що поряд з класичними механізмами перерозподілу електронів між долинами існують додаткові, пов'язані з радикальною перебудовою зони провідності за рахунок деформаційно-індукованого збільшення ефективної маси електрона. Для сильнолегованих кристалів кремнію за умови досягнення переходу метал - ізолятор одержано залежність ефективної маси електрона від одновісного тиску, що знаходиться в повній відповідності з теоретичними розрахунками, а також з експериментальними даними. З'ясовано особливості ударної іонізації станів дрібних домішок на ізоляторному боці деформаційно-індукованого переходу метал - ізолятор для сильнолегованих кристалів кремнію та германію n-типу провідності. Виявлено особливості електрофізичних властивостей нейтронно-легованих кристалів кремнію, зумовлені наявністю високотемпературних технологічних термодонорів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Проведено теоретичний аналіз та експериментальне дослідження впливу домішок вісмуту та талію на домінуючі точкові дефекти. Виявлено механізми їх утворення та взаємодії у чистому селеніді свинцю та у випадку надлишку свинцю та селену.Досліджено легувальну дію домішок вісмуту та талію, а також явище самокомпенсації у масивних зразках PbSe, насичених селеном і свинцем відповідно. Виконано квазіхімічний і термодинамічний розрахунки рівноважної концентрації точкових дефектів, визначено їх константи рівноваги та ентальпії. Оптимізовано технологічні фактори вирощування плівок з парової фази методом "гарячої стінки" та кристалів PbSe, легованих вісмутом і талієм, що забезпечують n- або p-тип провідності матеріалів з мінімальними концентраціями та максимальною рухливістю, необхідні для приладових структур опто- та мікроелектроніки.

  Скачати повний текст

Досліджено закономірності змін та особливості нерівноважних процесів, механізмів рекомбінації та фото- і електрофізичних властивостей вузькощілинних (ВН) та безщілинних (БН) напівпровідників, що відбуваються внаслідок перебудови енергетичної структури під впливом пружної одноосьової деформації (ОД), магнітного поля Н або пасивації поверхні анодним окислом.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Встановлено основні закономірності впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості фосфідних та халькогенідних кристалів, зокрема нанокристалів, вивчено фізичні процеси, що відбуваються в них під дією високоенергетичного опромінення.

  Скачати повний текст

Виявлено залежність характеру переміщень мікропорошинок по поверхні пластини ніобата літію від кристалографічної орієнтації пластини, типу збуджуваної у пластині хвилі та заряду порошинок. Запропоновано модель, що пояснює особливості переміщення порошинок під дією хвилі у пластині. За методом сонохімічної реакції одержано нанопорошки сульфіду цинку, леговані іонами марганцю.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

У моделі прямокутних потенціальних бар'єрів та наближенні ефективних мас квазічастинок побудовано теорію енергетичних спектрів електрона та дірки в складних еліптичних квантових дротах з радіальною гетероструктурою. Доведено, що дані спектри складаються з енергетичних підзон, які відповідають парним і непарним станам квазічастинок. Виявлено, що енергії електрона та дірки в даних станах мають різну залежність від величини еліптичності наносистем. На базі хвильових функцій електрона в еліптичній нанотрубці встановлено правила відбору та одержано залежності сил осциляторів міжпідзонних квантових переходів електрона у дипольному наближенні від величини еліптичності наногетеросистеми. Розроблено теорію енергетичних спектрів електрона та дірки у складних еліптичних квантових дротах з аксіальною гетероструктурою. З'ясовано, що період існування квазістаціонарних станів електрона у відкритій квантовій точці вздовж еліптичного квантового дроту та ефективні маси квазічастинки в енергетичних підзонах у надгратці вздовж еліптичного квантового дроту мають немонотонні залежності від еліптичності квантового дроту. У межах моделі діелектричного континууму удосконалено теорію енергетичного спектра інтерфейсних і обмежених оптичних фононів у еліптичному квантовому дроті та еліптичній нанотрубці. Показано, що енергії інтерфейсних поляризаційних коливань та потенціали поляризації інтерфейсних та обмежених фононів залежать від геометричних розмірів і величини еліптичності наносистем.

  Скачати повний текст

Установлено, що у процесі витримки за кімнатної температури упродовж дев'яти років кристали кремнію, опромінені високоенергетичними електронами (E ~ 18 МеВ) у дозах 3,6 та 5,4 кГрей, стали більш однорідними за структурою, ніж у разі опромінення у дозах 1,8 і 2,7 кГрей. Визначено зміну концентрації, розмірів і спектра мікродефектів у кристалах кремнію, опромінених високоенергетичними частинками за умов тривалого природного старіння. Виявлено температурний гістерезис внутрішнього тертя та ефективного модуля зсуву в неопромінених і серії опромінених зразків кремнію. Поява петлі гістерезису взаємопов'язана з взаємодією генетичних мікродефектів з точковими дефектами у кристалі та їх несиметричним розподілом у процесі нагрівання - охолодження зразків. Установлено, що збільшення дози опромінення високоенергетичними частинками призводить до зменшення петлі гістерезису (площі), а за дози 3,6 кГрей до його повного зникнення, зумовленого збільшенням числа стоків для точкових дефектів як дрібних за розмірами (~ 1 - 5 мкм) мікродефектів.

  Скачати повний текст

Теоретично досліджено перебудову локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних і циліндричних квантових точках InAs/GaAs різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації матеріалу квантової точки й оточуючої матриці та зовнішнього тиску. Удосконалено метод розрахунку баричного коефіцієнта в квантово-розмірних нульвимірних напіпровідникових структурах. Досліджено вплив пружної взаємодії між квантовими точками, лапласівського тиску на межі квантова точка - матриця, температури росту та домішки в квантовій точці InAs на енергію основного оптичного переходу. Вперше теоретично встановлено залежності ефективних мас електрона та дірки від латерального розміру напруженої циліндричної квантової точки у площині росту та напрямі перпендикулярному до неї.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено характер змін температурної залежності положення рівня Фермі у монокристалах германію n- та p-типу провідності за наявності у забороненій зоні глибоких енергетичних рівнів.

  Скачати повний текст

Наведено результати експериментальних досліджень зв'язку морфології з механічними (межі міцності, граничної деформації) та електрофізичними (електроопору, термо-ерс) властивостями композиційних матеріалів (КМ), зокрема терморозширених графітів (ТРГ) - полімерів, де як полімер використано полівінілхлоридний пластизоль і фторопласт-3. Виявлено, що провідність КМ у рамках теорії перколяції відповідає моделі тривимірної електропровідної сітки з блокованими вузлами. Для одного й того ж КМ пороги перколяції для електроопору є меншими за відповідні значення для термо-ерс. Доведено, що у концентраційній області між порогами перколяції для електроопору і термо-ерс електропровідність обумовлена тунелюванням носіїв заряду через прошарок полімеру між окремими частинками ТРГ. Відмінність значень порогів перколяції пояснено недостатнім рівнем енергії носіїв заряду у випадку їх руху під дією градієнта температури для подолання потенціального бар'єра, який створює діелектричний прошарок. Описано процеси, що відбуваються у КМ за дії на них температури та механічних навантажень. Розроблено рекомендації щодо використання КМ як резисторів, стійких до впливу опромінення електронами та рентгенівськими квантами, а також тензодатчиків. Запропоновано використання методу термо-ерс для контролю процесів спікання електропровідних сумішей порошків у процесі їх компактування, а також для контролю пористості зразків монолітних КМ.

  Скачати повний текст