РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000830914<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Mazur T. 
Surface-barrier CdTe diodes for photovoltaics = Поверхнево-бар'єрні CdTe діоди для фотовольтаїки / T. Mazur, M. Mazur, M. Halushchak // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2023. - 15, № 2. - С. 02006-1-02006-5. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.

В даній роботі проведено порівняльний аналіз застосування в енергетиці напівпровідникових сонячних елементів на основі монокристалічного, полікристалічного й аморфного кремнію (Si), а також телуриду кадмію (CdTe). Показано, що переваги тонкоплівкові технології та самого CdTe, як прямозонного напівпровідника, відкривають перспективу широкомасштабного виробництва конкурентоспроможних CdTe сонячних модулів (батарей). Описано технологію виготовлення підкладок, нанесення на пластинки індієвого омічного контакту, піддавання частини підкладок ряду додаткових обробок у водяній суспензії лужних металів, зокрема Li і CdTe:Li та проведення досліджень на них, а також на хімічно травлених підкладках, які не пройшли ніяких додаткових обробок і умовно позначено CdTe. Вивчено можливості застосування для фотоперетворювачів приладів на основі монокристалічного CdTe, які називаються поверхнево-барэєрними діодами (ПБД). Обговорено технологічні досягнення, які призводять до змін фізико-хімічних властивостей поверхонь монокристалічних n-CdTe підкладок (їх основних оптичних, електричних та фотоелектричних параметрів, а також характеристик контактів метал-напівпровідник на базі монокристалічного телуриду кадмію). Аналізуючи властивості об'єктів досліджень відзначено, що модифікація поверхні впливає не тільки на величину висоти потенціального бар'єру, але також суттєво змінює характер перебігу електричних і фотоелектричних процесів, а морфологія поверхні підкладок CdTe:Li залишається подібною немодифікованим, хоча величина ПБД на їх основі помітно вище. Також встановлено, що швидкість поверхневої рекомбінації ПБД на базі підкладинок з поверхневою наноструктурою на два і один порядок менше, ніж в структурах на основі базових підкладинок і оброблених в суспензії солей лужних металів відповідно. Модифікація підкладок призводить до збільшення ефективності сонячних елементів (СЕ), причому найбільша ефективність фотоперетворення СЕ спостерігається для ПБД на базі підкладок з поверхневою наноструктурою і становить 9 % за температури 300 К за умови освітлення АМ2. Розглянуто способи використання технологій, запропонованих у роботі, для створення поверхнево-бар'єрних фотоелементів на основі тонких плівок CdTe.



Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського