У роботі представлено спосіб одержання комплексного <$Emu>-метокси (міді (II), вісмуту (III)) ацетилацетонату Cu3Bi(AA)4(OCH3)5, де HAA = H3C - C(O) - CH2 - C(O) - CH3 і результати досліджень електричних параметрів цієї речовини. Встановлено, що досліджуваний матеріал є напівпровідником. Склад, структуру та фізико-хімічні властивості синтезованого гетерометалевого <$Emu>-метокси (міді (II), вісмуту (III)) ацетилацетонату перевірено елементним, рентгенофазовим, магнітохімічним, ІЧ-спектроскопічним та термогравіметричним дослідженнями. Для виділеної комплексної сполуки (АА)4(OCH3)5 (I) розраховано молярну масу та кількість валентних електронів в одній молекулі. Молярна маса дорівнювала 950,5 г/моль, а число валентних електронів - 229. Для експериментальних досліджень було створено циліндричний зразок масою 0,1 г і об'ємом <$E17,67~cdot~10 sup -9> м<^>3 із комплексної сполуки (I) за допомогою методу пресування. Дослідження електропровідних властивостей ацетилацетонату <$Emu>-метокси (міді (II), вісмуту (III)) у стиснутому вигляді в інтервалі температур 50 - <$E120~symbol Р roman C> показало різке зниження питомого електричного опору від <$E8~cdot~10 sup 9> до <$E7~cdot~10 sup 3> Ом-см з підвищенням температури, що є характерним для напівпровідникових матеріалів. Електричну провідність матеріалу розраховували з урахуванням експериментальних вимірювань: <$Esigma sub 1> дорівнює <$E1,25~cdot~10 sup 8> 1/(Ом-м) для <$E50~symbol Р roman C> і <$Esigma sub 2> дорівнює <$E1,4~cdot~10 sup -2> 1/(Ом-м) для <$E120~symbol Р roman C>. Досліджено вплив магнітного поля на напруженість електричного поля всередині досліджуваного зразка речовини. Також було одержано залежність напруги Холла від індукції магнітного поля для речовини зразка. Діапазон робочих температур від +50 до + <$E220~symbol Р roman C>, хімічна сполука розкладається за <$E260~symbol Р roman C>. Концентрація носіїв заряду зростає від <$E7,8~cdot~10 sup 17> м<^>-3 за <$E50~symbol Р roman C> до <$E4,14~cdot~10 sup 29> м<^>-3 за <$E220~symbol Р roman C>, а постійна Холла зменшується з 9,43 м<^>3-C<^>-1 до <$E1,8~cdot~10 sup -11> м<^>3-C<^>-1, у разі підвищення температури від 50 до <$E220~symbol Р roman C>. Напруга Холла змінюється від <$E1,97~cdot~10 sup -5> В до <$E1,97~cdot~10 sup -3> В у діапазоні магнітного поля від 0 до 1000 мТл. Новий магніточутливий елемент на основі синтезованого напівпровідникового матеріалу буде використовуватися для створення датчиків магнітного поля.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"