Gnatyuk V. Laser-induced modification of the morphology and defect structure of heterostructures based on detector-grade CdTe crystals = Лазерна модифікація морфології та дефектної структури гетероструктур на основі кристалів CdTe детекторного класу / V. Gnatyuk, O. Maslyanchuk, V. Strebezhev, I. Fodchuk, M. Solovan, M. Sorokatyi, I. Boledzyuk, A. Kuzmin // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2023. - 15, № 1. - С. 01001-1-01001-6. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.Процеси лазерного маніпулювання дефектно-домішковою системою та лазерної трансформації морфології кристала надали змогу підвищити детектуючі властивості структур на основі CdTe з бар'єром Шотткі. За допомогою методу рентгенівської дифрактометрії високої роздільної здатності оцінено структурну досконалість монокристалів CdTe:Cl. Ефективність контакту залежить як від матеріалу електрода, так і від обробки поверхні кристала CdTe перед його осадженням, крім того, характеристики сформованого інтерфейсу електрод-напівпровідник можуть бути змінені різними обробками. Опромінення поверхні кристалів CdTe або структур метал-CdTe лазерними імпульсами призводило до зміни морфології поверхні напівпровідника, утворення та перерозподілу дефектів в області поверхні та модифікації характеристик цієї області або межі розділу. Досліджено вплив лазерної обробки на структуру домішкових дефектів та електричні характеристики рентгенівських/<$Egamma>-детекторів на діодах Шотткі, розроблених шляхом осадження Ni та NiO на комерційно доступні пластини CdTe:Cl. З викорисанням методів атомно-силової та скануючої електронної мікроскопії досліджено особливості тонких плівок Ni та NiO до та після лазерного опромінення. Обговорен вплив імпульсного лазерного опромінення на контакти Ni/CdTe і NiO/CdTe та механізми трансформації їх фазового стану, оскільки така обробка цих контактів Шотткі призвела до оптимізації електричних характеристик. Показано, що лазерна обробка гетеропереходів, як підкладки CdTe, так і плівки Ni та NiO, може навмисно змінити електричні властивості та підвищити чутливість Ni/p-CdTe/Au/Cu та NiO/p-CdTe/AuCu детекторів. Також обговорено вплив лазерної обробки на структурні та спектроскопічні властивості рентгенівських/<$Egamma>-детекторів на діодах Шотткі на основі CdTe. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В372.31
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|