Uteniyazov A. K. Amplification of photoelectric injection in the photodiode based on large-grain cadmium telluride films = Підсилення фотоелектричної інжекції у фотодіоді на основі великозернистих плівок телуриду кадмію / A. K. Uteniyazov, K. A. Ismailov, A. S. Muratov, B. K. Dauletmuratov, A. B. Kamalov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 2. - С. 157-163. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.Наведено результати досліджень підсилення фотоелектричної інжекції у структурі Al - Al2O3 - p-CdTe - Mo при високих напругах зміщення прямого струму. Показано, що спектральна чутливість досягає аксимального значення <$ES sub lambda ~=~8,4~cdot~10 sup 4> А/Вт при освітленні "власним" світлом з <$Elambda~=~450> нм та при V = 7 В, у той час, як при освітленні "домішковим" світлом з <$Elambda~=~950> нм <$ES sub lambda ~=~4,3~cdot~10 sup 4> А/W при тій самій напрузі зміщення. Установлено, що за освітлення конструкції "власним" світлом реалізується механізм позитивного зворотного зв'язку, а у разі освітлення "домішковим" - механізм параметричного підсилення. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.4
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|