Сформульовано критерій стійкості дефектів у напівпровідникових структурах до дії магнітних та електричних полів, електромагнітного випромінювання, акустичних хвиль, механічних напружень. Одержано аналітичні співвідношення для порогових параметрів зовнішніх полів, у яких спостерігається трансформація дефектів. Наведено результати розрахунків порогових значень індукції магнітного поля, що викликають зміну стану дислокацій і кластерів дефектів у напівпровідникових кристалах.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"