З перших принципів у межах теорії функціонала густини у LDA та LDA+U-наближеннях проведено розрахунки зонної структури, повної і парціальної густин електронних станів, просторового розподілу густини електронного заряду та оптичних функцій: діелектричної проникності, показників заломлення та поглинання, коефіцієнтів відбивання та поглинання Na2GeSe3. За результатами розрахунку Na2GeSe3 є прямозонним кристалом із вершиною валентної зони та дном зони провідності у точці <$EGAMMA> зони Бриллюена. Розрахована ширина забороненої зони становить <$EE sub gd ~=~1,7> еВ в LDA і <$EE sub gd ~=~2,6> еВ у LDA+U-наближенні. За даними повної і парціальних густини електронних станів визначено вклади атомних орбіталей у кристалічні орбіталі, а також одержано дані про формування хімічного зв'язку у досліджуваних кристалах.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"