Тонкі плівки оксиду індію-стануму (ITO) з пониженим до 50 % мас. змістом оксиду індію вирощували шляхом розпорошення мішені IТО постійним струмом (DC) у змішаній атмосфері аргону та кисню на скляні підкладинки, попередньо нагріті до 523 К. Плівки, що демонстрували найкращі електричні характеристики, згодом термічно обробляли на повітрі за температур у 523 та 623 К протягом 60 хв. Для характеризації зразків використовували рентгенівську фотоелектронну спектроскопію (РФС) і рентгенівську емісійну спектроскопію (РЕС). Вивчено й обговорено вплив витрати кисню, вмісту Sn та температури термооброблення на електронні властивості. Міряння за допомогою РФС показали, що індій знаходиться в зарядовому стані In<^>3+, а станум - лише в стані Sn<^>4+ в тонких плівках ITО, розпорошених за різних умов і термічно оброблених за різних температур. Тонка плівка IТО з пониженим вмістом індію, що розпорошувалася за швидкості потоку кисню у 0,5 см<^>3/хв. і продемонструвала найвищу провідність серед свіжонанесених тонких плівок, показала найвищу відносну інтенсивність піку OII. Густина електронних станів зростала, коли переходили від плівки з пониженим вмістом індію до типової тонкої плівки ITО.

• Петровська Світлана Степанівна (фізико-математичні науки)
• Ільків Богдан Ігорович (фізико-математичні науки)
• Сергієнко Руслан Арсенійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"