ZnO та BeO є привабливими матеріалами з огляду на їх унікальні фізичні параметри, широку пряму заборонену зону, рівну 4,4 eV та 60,1 eV для ZnO та BeO відповідно та високу енергію зв'язку екситонів. Такі параметри роблять зазначені матеріали придатними для різних застосувань, ультрафіолетового (УФ) випромінювання та виявлення, пристроїв поверхневої акустичної хвилі (SAW), датчиків газу та прозорих провідних електродів. З цих причин дану роботу зосереджено на дослідженні зонної структури та щільності станів обох напівпровідників ZnO і BeO з використанням теорії функціоналу щільності (DFT) з точки зору обміну та кореляції, наближення узагальненого градієнта (GGA) та наближення локальної щільності (LDA). Розраховані структурні параметри і значення середньої довжини зв'язку добре узгоджуються з іншими даними. Такі електронні властивості, як зонна структура сполук ZnO і BeO, визначено і порівняно з наявними значеннями енергетичної зони та інтерпретуються хімічно.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"