У діапазоні температур 77 - 290 К досліджено темновий струм та 1/<$Esymbol Ж> шум на прямо зміщених фотодіодах InAs. Фотодіоди було виготовлено шляхом дифузії Cd у монокристалічні підкладки n-InAs. Показано, що за температур >> 130 К прямий струм визначається рекомбінацією носіїв заряду за участю глибоких станів у середині забороненої зони. За цих температур виявляється кореляція між прямим струмом і 1/<$Esymbol Ж> шумом. За більш низьких температур прямий струм і шум було проаналізовано в межах моделі неоднорідного p-n переходу, зумовленого дислокаціями в області виснаження. Одержано експериментальні докази того, що багатократне тунелювання носіїв є основним механізмом перенесення носіїв за низьких температур, що призводить до збільшення низькочастотного шуму.

• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"