Одним з найважливіших факторів, які обмежують продуктивність сонячних елементів c-Si на основі гетеропереходу з внутрішнім тонким шаром (HIT), є густина дефектів на поверхні кристалічного кремнію. Числове моделювання було використано для вибору найбільш ефективного матеріалу як пасивуючого шару в сонячному елементі HIT c-Si. Для дослідження було вибрано такі матеріали: гідрогенізований мікрокристалічний кремній <$Emu>c-Si:H(<$EEg sub {i- mu c-Si:H } ~=~1,40> eV), гідрогенізований аморфний кремній a-Si:H (<$EEg sub {i-a-Si:H } ~=~1,84> eV), гідрогенізований поліморфний кремній pm-Si:H (<$EEg sub {i-pm-Si:H } ~=~1,96> eV) і гідрогенізований мікрокристалічний оксид кремнію <$Emu c-{roman SiO} sub x : roman H (Eg sub {i- mu c {roman SiO} sub x } ~=~2,5> eV). Результати моделювання показують, що посилення електричного поля на випромінювачі з використанням <$Emu>c-Si:H та a-Si:H як пасивуючого шару призводить до збільшення ефективності перетворення енергії сонячного елемента HIT c-Si з 25,42 до 26,34 % Створення потенційного бар'єру для фотогенерованих дірок на переходах i-pm-Si:H/n-c-Si та <$Emu>c-SiOx/n-c-Si знижує ефективність з 23,87 до 3,10 %. Цей бар'єр перешкоджає проходженню фотогенерованих дірок до емітера, що призводить до збільшення швидкості рекомбінації електронно-діркових пар і, отже, до зниження енергетичної ефективності. З шириною забороненої зони 1,84 еВ гідрогенізований аморфний кремній a-Si:H є найбільш підходящим кандидатом для створення пасивуючого шару на поверхні кристалічного кремнію для цього типу сонячних елементів.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"