У роботі оптимізовано сонячний елемент n-c-Si на основі гетеропереходу з внутрішнім тонким шаром (HIT): оксид індію і олова (ITO)/гідрогенізований p-легований аморфний кремній (p-a-Si:H)/гідрогенізований власний поліморфний кремній (i-pm-Si:H)/n-легований кристалічний кремній (n-c-Si)/алюміній (Al). За допомогою симулятора ємності сонячних елементів (SCAPS-1D) вивчено вплив густини дефектів в об'ємі (Nt) і на поверхні (Nss) активного шару сонячного елемента n-c-Si на характеристику густини струму від напруги (J-V) (напруга холостого ходу, густина струму короткого замикання, коефіцієнт заповнення та ефективність). Для обчислення значень Nss було взято середнє між густиною станів Gmg, розташованих у забороненій зоні (U-подібна модель), і загальною густиною станів Ntot (хвости Урбаха), яку було помножено на товщину дефектного шару. Показано, що для товщини дефектної поверхні <$E32~roman A back 45 up 35 symbol Р> між гідрогенізованим поліморфним кремнієм і кристалічним кремнієм (i-pm-Si:H/n-c-Si) густина станів Gmf, розташованих у забороненій зоні, і густина станів Ntot в хвості Урбаха мають дорівнювати відповідно <$E3,5~cdot~10 sup 17> см<^>-3 і <$E2,8~cdot~10 sup 17> см<^>-3 (використовуючи U-подібну модель). Зроблено висновок, що поверхню активного шару необхідно пасивувати так, щоб одержати Nss менше 10<^>11 см<^>-2. Тоді час життя неосновних носіїв в активному шарі (n-c-Si) має бути більше 1 мс. Дійсно, для Nss = 10<^>10 см<^>-2 та <$Etau~=~5> мс одержано ккд 22,08 %.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"