Похідні графену демонструють надзвичайні механічні, оптичні та електронні властивості, які викликали високий науковий інтерес, і мають величезний потенціал для використання у різних додатках. Раманівська спектроскопія є універсальним інструментом для характеристики та ідентифікації хімічних і фізичних властивостей похідних графену. У роботі описано основні процеси раманівського розсіювання режимів першого (G) та другого порядку (D, G<^>*, 2D, G + D, 2G), які мають місце в оксиді графену (GO) та відновленому оксиді графену (r-GO), підготовлених з застосуванням методу вирощування за високого тиску. Для r-GO лінії розширено і трохи зміщено в червону область для всіх смуг у порівнянні з GO через розвинення деформації під час вирощування за високого тиску (гідротермальний процес) в результаті видалення функціональних груп кисню. Обговорено нормалізоване відношення інтенсивностей (ID/IG) для GO та r-GO. В обох зразках відношення ID/IG є високим, що свідчить про малі розміри GO та r-GO та наявність турбостратичного вуглецю та невпорядкованих структур. Зіставлення піків 2D-смуги демонструє чотири Лоренцівські піки, а інтенсивність 2D-смуги у порівнянні із G-смугою сильно зменшується, що підтверджує, що автори успішно синтезували двошаровий/тришаровий GO та r-GO. Для GO та r-GO розраховано розмір кристалітів (La). Існування 2D-смуги підтверджує, що автори синтезували високоякісні GO та r-GO.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"