Проведене моделювання меж функціональності польового транзистора з провідним каналом на основі моношару дихалькогеніду перехідного металу та з різними матеріалами витоку/стоку. Квантово-механічну прозорість канального бар'єру розраховано з урахуванням реального вигляду потенціалу такого бар'єру. Показано, що транзистор з 4-нм каналом n-MoS2 та контактами витоку/стоку MoS2 (металічна модифікація) в області порівняно невеликих напруг на затворі й на стоку ще зберігає достатній рівень функціональності (прозорість бар'єру є меншою від 1/2). Натомість цей же транзистор для випадку контактів витоку/стоку на основі Pt, коли висота бар'єру Шотткі є суттєво вищою, а прозорість канального бар'єру - відповідно суттєво меншою, зберігає функціональність і для довжини каналу 2 нм в усьому реалістичному діапазоні напруг на затворі й на стоку. Аналогічний результат одержано й для транзистора з каналом p-WSe2 і контактами на основі паладію. Отримані нами оцінки підтверджують реальність створення комплементарного інвертора на основі MoS2 транзистора n-типу і WSe2 транзистора p-типу з ультракороткими довжинами каналів у 2 - 4 нм.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Стріха Максим Віталійович (1961–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"