Исследовано влияние f-d взаимодействия на вольтамперные характеристики структур металл-диэлектрик-металл (МДМ), содержащих контакты d-металлов (Fe, Co, Ni) с оксидами РЗМ. Показано, что в тонкопленочной МДМ-структуре (Fe, Co, Ni)/Tb2O3/(Fe, Co, Ni) обменное f-d взаимодействие между атомами с незаполненными f- и d-электронными оболочками значительно снижает высоту потенциального барьера для перехода зарядов между электродами. При условиях надбарьерного механизма переноса заряда определены сила и энергия влияния f-d взаимодействия на движение электрона в МДМ-структуре. Показано, что повышение температуры снижает, а рост внешнего магнитного поля, напротив, усиливает влияние f-d взаимодействия на вольтамперные характеристики МДМ-структур. Это может быть связано с влиянием данных факторов на упорядоченность расположения магнитных моментов атомов переходных элементов в области f-d взаимодействия.

• Касумов Анатолій Мухтарович (фізико-математичні науки)
• Шаповал Ксенія Олегівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"