Druzhynin A. Ohmic contacts to n-type and p-type gallium antimonide whiskers = Омічні контакти до ниткоподібних кристалів антимоніду галію n-типу та p-типу провідності / A. Druzhynin, I. Ostrovskyi, Yu. Khoverko, O. Kutrakov, N. Liakh-Kaguy, D. Chemerys // Computational Problems of Electrical Eng. - 2021. - 11, № 1. - С. 1-6. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.За допомогою формувача струмових імпульсів створено омічні контакти до ниткоподібних кристалів (НПК) антимоніду галію n-типу провідності. Їх ВАХ за низьких температур є лінійними незалежно від напряму пропускання струму, що надає змогу використовувати описаний метод для створення електричних контактів і дослідження електрофізичних характеристик ниткоподібних кристалів GaSb. Дослідження проведено для зразків діаметром 12 і 20 мкм за температур 4,2 і 77 К. Для приварювання омічних контактів до кристалів GaSb виготовлено предметний столик, на якому закріплено ванночку з мікропіччю. Як контактний матеріал використано золотий мікродріт діаметром 30 мкм, а вплавлення здійснено під шаром флюсу. Цей спосіб є різновидом вплавлення та одним із найпридатніших методів для створення контактів до НПК, вирощених методом газотранспортних реакцій. Індекс рубрикатора НБУВ: З264-04 + В379.271.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж43601 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|