Релаксація фотопровідності та час релаксації фотопровідності у двосторонньому макропористому кремнії визначається з системи двох трансцендентних рівнянь. Рівняння виведено на основі моделі релаксації фотопровідності у двосторонньому макропористому кремнії, яка враховує проникнення світла в макропори та освітлення монокристалічної підкладки та вихідного макропористого кремнію через дно макропор. Одержана система рівнянь подібна до системи двох рівнянь, яка описує релаксацію фотопровідності в монокристалічному кремнії. Відмінність полягає в тому, що в рівняннях містяться вирази, які описують процеси, що відбуваються в макропористих шарах та на межі макропористого шару та монокристалічної підкладки. За відсутності макропор ця система рівнянь перетворюється в систему рівнянь для визначення релаксації фотопровідності в монокристалічному кремнії. Час релаксації фотопровідності у двосторонньому макропористому кремнії знайдено з нестаціонарного рівняння дифузії неосновних носіїв заряду. Розв'язок нестаціонарного рівняння дифузії, записаного для кожного з макропористих шарів та монокристалічної підкладки, доповнюється граничними умовами на поверхнях зразка макропористого кремнію та на межі між макропористим шаром і монокристалічною підкладкою. Час релаксації фотопровідності у двосторонньому макропористому кремнії залежить від таких величин, як об'ємний час життя неосновних носіїв заряду, коефіцієнт дифузії неосновних носіїв заряду, товщина монокристалічної підкладки між макропористими шарами. А також величин, записаних для кожного макропористого шару: глибина макропор, середній діаметр макропор, середня відстань між центрами макропор, об'ємна частка макропор, швидкість поверхневої рекомбінації. Розрахунки показали, що релаксація фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії визначається рекомбінацією нерівноважних носіїв заряду на поверхні макропор кожного макропористого шару та обмежується дифузією носіїв заряду з підкладки до рекомбінаційних поверхонь. Час релаксації фотопровідності у двосторонньому макропористому кремнії розраховано та представлено на рисунку залежно від глибини макропор.

• Онищенко Володимир Пилипович (1946–) (економічні науки)
• Онищенко Володимир Федорович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"